《毕节负性光刻胶项目投资计划书【范文】》由会员分享，可在线阅读，更多相关《毕节负性光刻胶项目投资计划书【范文】（127页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、泓域咨询/毕节负性光刻胶项目投资计划书目录第一章 项目投资背景分析7一、 市场端乘国内成熟制程产能增长东风，从中低端产品开始发力7二、 芯片短缺，上游原材料供应偏紧，国产材料导入进度加快10三、 聚4-羟基苯乙烯（PHOST）11四、 培育壮大企业主体12五、 项目实施的必要性12第二章 项目总论14一、 项目名称及项目单位14二、 项目建设地点14三、 可行性研究范围14四、 编制依据和技术原则15五、 建设背景、规模16六、 项目建设进度17七、 环境影响18八、 建设投资估算18九、 项目主要技术经济指标18主要经济指标一览表19十、 主要结论及建议20第三章 行业、市场分析22一、 大
2、陆晶圆代工厂成熟制程快速扩建，国产光刻胶企业迎来重大机遇22二、 政策端“强化国家战略科技力量”，行业政策与“大基金”助力突破“卡脖子”领域23三、 负性光刻胶最传统的光刻胶25第四章 建筑工程可行性分析28一、 项目工程设计总体要求28二、 建设方案30三、 建筑工程建设指标31建筑工程投资一览表31第五章 产品方案33一、 建设规模及主要建设内容33二、 产品规划方案及生产纲领33产品规划方案一览表33第六章 发展规划36一、 公司发展规划36二、 保障措施37第七章 SWOT分析说明40一、 优势分析（S）40二、 劣势分析（W）42三、 机会分析（O）42四、 威胁分析（T）43第八章
3、 运营模式分析47一、 公司经营宗旨47二、 公司的目标、主要职责47三、 各部门职责及权限48四、 财务会计制度51第九章 法人治理59一、 股东权利及义务59二、 董事62三、 高级管理人员67四、 监事70第十章 进度规划方案72一、 项目进度安排72项目实施进度计划一览表72二、 项目实施保障措施73第十一章 安全生产分析74一、 编制依据74二、 防范措施75三、 预期效果评价81第十二章 人力资源分析82一、 人力资源配置82劳动定员一览表82二、 员工技能培训82第十三章 原辅材料成品管理84一、 项目建设期原辅材料供应情况84二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理84第十四章
4、工艺技术设计及设备选型方案85一、 企业技术研发分析85二、 项目技术工艺分析87三、 质量管理88四、 设备选型方案89主要设备购置一览表90第十五章 项目投资计划92一、 投资估算的编制说明92二、 建设投资估算92建设投资估算表94三、 建设期利息94建设期利息估算表95四、 流动资金96流动资金估算表96五、 项目总投资97总投资及构成一览表97六、 资金筹措与投资计划98项目投资计划与资金筹措一览表99第十六章 经济效益100一、 基本假设及基础参数选取100二、 经济评价财务测算100营业收入、税金及附加和增值税估算表100综合总成本费用估算表102利润及利润分配表104三、 项目
5、盈利能力分析104项目投资现金流量表106四、 财务生存能力分析107五、 偿债能力分析108借款还本付息计划表109六、 经济评价结论109第十七章 招标方案111一、 项目招标依据111二、 项目招标范围111三、 招标要求111四、 招标组织方式112五、 招标信息发布112第十八章 总结评价说明113第十九章 附表附录115营业收入、税金及附加和增值税估算表115综合总成本费用估算表115固定资产折旧费估算表116无形资产和其他资产摊销估算表117利润及利润分配表118项目投资现金流量表119借款还本付息计划表120建设投资估算表121建设投资估算表121建设期利息估算表122固定资产
6、投资估算表123流动资金估算表124总投资及构成一览表125项目投资计划与资金筹措一览表126本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目投资背景分析一、 市场端乘国内成熟制程产能增长东风，从中低端产品开始发力晶圆制造材料市场规模稳步提升，中国大陆市场增速全球最高。半导体制造所需材料种类繁多，按前后端工艺分为晶圆制造材料和组装与封测所需材料。根据SEMI数据，2007-2021年，晶圆制造材料与封装材料的市场规模总体上都呈
7、现出上升态势，并且前者增速更高。根据SEMI数据，2015年晶圆制造材料的市场规模约为240亿美元，晶圆封装材料的市场规模为192亿美元。根据SEMI预测，2021年全球晶圆制造材料市场规模升至344亿美元，2015-2021年CAGR为6.2%；全球晶圆封装材料的市场规模将达215亿美元，2015-2021年CAGR为1.9%。根据SEMI数据及预测，从全球不同地区的半导体材料市场来看，亚洲地区占据了大部分市场份额，其中又以中国台湾的市场规模最大。2021年中国台湾半导体材料市场规模预计将达到127亿美元，占比达22.2%。增长率方面，各地区2016-2021年半导体材料市场的年均复合增长率
8、在3.9%至8.4%之间，其中受益于下游晶圆代工产能快速增长的中国大陆晶圆制造材料市场规模年均增长率最高达8.4%。根据SEMI预测，2021年全球晶圆制造材料市场中半导体光刻胶及其配套试剂的总体市场规模占比将达到12.9%，仅次于硅片与电子特气位列第三；预计2021年全球半导体光刻胶市场规模将达到19.8亿美元，2016年至2021年的半导体光刻胶全球市场规模CAGR约为5.7%。而国内市场方面，根据彤程新材数据，2021年国内半导体光刻胶市场规模预计可达32.3亿元，同比增速高达45%。此外，根据彤程新材预测，伴随着国内晶圆代工产能的不断提升，2025年国内半导体光刻胶市场规模有望达到10
9、0亿元，2021-2025年间半导体光刻胶的市场规模CAGR将达到32.6%。先进制程的发展并不意味着中低端产品的淘汰。芯片是由很多层结构有机地堆砌而成的，根据芯片结构设计，每一层的结构与沟槽尺寸各有区别。在芯片的制造过程中，特别是先进制程芯片的制造过程中，如果每一层都使用最先进光刻工艺、设备、材料来进行制造的话，对于晶圆制造厂商而言其建设芯片生产线的资本开支、后期设备的维护成本以及原材料成本将会过高。因此在芯片中，有很多层的结构其实是可以使用前一代或者更早期的光刻工艺来完成的，这就使得KrF光刻胶、i线光刻胶和g线光刻胶等半导体光刻胶中相对中低端的产品在先进制程中也仍有用武之地。也正因如此，
10、全球最顶级的光刻机厂商ASML在拥有了大量ArF和EUV光刻机的产品下，也仍然对外出售KrF光刻机和iLine光刻机等中低端产品。目前全球晶圆代工产能绝大部分都集中在东亚地区，截至2019年，中国台湾、韩国、日本和中国大陆的合计晶圆代工产能占比高达73%（折算8英寸片产能），然而10nm及以下节点逻辑芯片的先进制程产能由中国台湾的台积电和韩国的三星所垄断，而中国大陆的产能结构则几乎全以28nm及以上的成熟制程为主。截至2019年，在28nm及以上节点的逻辑芯片成熟制程产能中，中国大陆的产能占比达到22.0%，仅次于中国台湾（35.9%），位列全球第二。从全部半导体晶圆代工总产能角度来看，根据I
11、CInsights数据，截至2020年年底，在全部折算为8英寸片的数据口径下，中国大陆的晶圆代工月产能达到330万片/月，产能总量与日本相当，其中相对高端的12英寸片月产能占比达到63.6%。2017至2020年间，全球投产的晶圆厂约为62座，其中26座设于中国大陆。而根据BCG的统计数据，截至2020年9月全球在建晶圆代工产能达到540万片/月，其中中国大陆的在建产能占比最高，达42%。根据BCG的预测，2020至2030年期间，全球晶圆代工产能复合增长率约为4.6%，其中中国大陆的晶圆代工产能增速最快，预计2030年中国大陆的晶圆代工产能的全球占比将达到24%，位居全球第一。同时在这十年期
12、间，中国大陆的新增产能占比约为30%。而根据SIA的预测，2019至2030期间，中国大陆的晶圆代工产能复合增速达到10.7%，2019至2025年期间CAGR高达14.3%，到2030年中国大陆的晶圆代工产能的全球占比将由2019年的16%提升至29%。不论是从哪一种预测口径来看，中国大陆的晶圆代工产能增速都领先于其他国家或地区，到2030年中国大陆的晶圆代工产能占比将达到全球第一的位置，中国大陆半导体产业未来的高速发展可以预期。同时，在新增产能的制程结构方面，由于先进制程技术禁运以及高技术壁垒等原因，中短期内中国大陆的新增晶圆代工产能绝大部分仍将为成熟制程产能。二、 芯片短缺，上游原材料供
13、应偏紧，国产材料导入进度加快自2020年开始，由于新冠疫情在全球蔓延，部分工厂曾暂时关闭相关产能，导致了半导体产业链供应端的短缺。而伴随着疫情常态化运行，全球工业、汽车、消费电子等需求开始复苏，同时叠加多种崭新芯片应用需求的兴起，全球市场对于半导体芯片的需求量大幅增加，全球半导体芯片开始出现供不应求的局面。近期，多家半导体企业纷纷上调产品价格，芯片涨价情况不断向上游延伸，中游的封测和晶圆厂商以及上游的半导体材料厂商也都不同程度地上调了产品价格。此外，由于疫情、地震等不可抗力原因，国外某些厂商的光刻胶等关键半导体材料也出现了供应问题，加剧了半导体材料的短缺问题。这导致了国内的晶圆代工厂商开始积极
14、寻找其他产品供应商，同时也明显加快了对上游原材料产品的验证速度。在这一背景下，以北京科华为代表的国产光刻胶产品也在近期相继实现了在某些制程工艺的成功导入。三、 聚4-羟基苯乙烯（PHOST）聚4-羟基苯乙烯（PHOST）因其在248nm波长下的透明性、高灵敏度和抗刻蚀性等优势，成为了用于KrF光刻技术的光刻胶的主要成分。通过引入不同的酸致脱保护基团，在光致产酸剂的配合下就可以使得KrF光刻胶拥有一定的光响应性，从而在光照条件下发生聚合物的溶解度变化。常见的酸致脱保护基团包括4-叔丁基氧基羰基（t-BOC）类、酯类和乙缩醛类三种。目前主流的KrF化学放大型正性光刻胶往往是具有多种取代基团的共聚物
15、，通过调节聚合物整体的分子量和带有不同取代基团单体的配比来调节光刻胶的性能。根据KrF光刻胶的活化能，可以将KrF光刻胶分为高活化能胶（俗称高温胶，如ESCAP）和低活化能胶（低温胶，如乙缩醛类）。高温胶和低温胶因脱保护的温度差异，导致了比较明显的性能差异。此外，由于空气中存在有一定量的碱性分子，在KrF光刻胶曝光后，光刻胶会接触空气导致曝光后所产生的光酸会被空气中的碱性成分中和掉，最终会造成光刻胶灵敏度的大幅度变化，这一现象被称为曝光到显影的时间延迟问题（PED）。为了解决这一问题，工业界除了采取在洁净室、光刻机等关键地方安装化学成分过滤器以外，还可以通过在光刻胶表面涂布一层保护层来隔绝空气中的碱性物质。四、 培育壮大企业主体构建大企业与中小企业协同创新、共享资源、融合发展的产业生态体系。深入开展产业招商、大力实施以商招商，加强与市外优强企业合作，积极引进一批优强企业主体，推动发展壮大企业家
