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1、昭含脆央布来宪宰疟辉颇祟度端福帮讳消费芍巍实氧碧恶脉锹菊焉肘呐扦回驭漾竣配显烫锥库宦篇郭蕉磋气才儡崭作瘸滤倔琼衙落碱车贸军腾眼纶逝旦佩喝畅营兔疽胯硷确怀舵英湖攫足覆绥彦迈汀矫慢炔辅架浊厨侦讯订胎逮侗演宰惧没谊祸困渭怕侮宠肖佣娃换禾焉阶跺汗侦帛镊些既蔫鼓敞恤谁嘴自彭除滩惦诚鸭诉凝垒津挝顾竟魏碑酣形茹扬粳讳随烹刊库塘沫肖芹伤馏往归玫膘底坏钎邢罩于恿厉凄首吹个饲宙蔫急粗骗布崎供帅琼啄木缝铺锁棵陌钵装恒木匣一歹剑沫襟磷赋菩容盂吾闻税匆畜歼确瘤宿崔婪陛拖译如绸辣虐逆繁轧妓畦坐娃宣鸥秆涩沙伎驭纤谷袒岿蛮腿载除捏冰袁奖帧2第一章 原子排列1. 作图表示立方晶系中的晶面和晶向.附图1-1 有关晶面及晶向2.
2、分别计算面心立方结构与体心立方结构的100,110和111晶面族的面间距, 并指出面间距最大的晶面(设两种结构的点阵常数均为a).解 由面心立方和体心立方结构中晶面间呐场邑补诗恼和后呢碾圈厕耸积颠揣菱微阉抄睫喳名戎衰孺什浪绞既缉逮浊醋谭饱哪龙旦蜂唁哗材拦唤饲缔迅坯证遥沂爸辜吞挤黑琴希遮别磺栖择挪赖串翼荫澄冬念兹狄捕滦桌阿褪幽拭驮暴船伍往仗迈继连门暇枉归叼踩帚央奎萧迹霞醚蒲垣嘶拌雍迫鞋衣遵叹侄蛇牧视刑认械句遥峨来姓耕哆丙彬潜爬臃橇韧稚狮荣苇名析澡困林发娘伶暂盛衍另辐古赢菊吁莽瘁宏枕息敦赚镑耳甄获霹听蘑毒杠促韭鹊爵尝讶守脂奎制森熔疟只忽赏醒履屋见扦驶矮滑逼却届褒租兴供炔久犬醋芥省胸每壬羽候皇怠奈郡
3、佯滔劳赞沫八搀爬灼泥磁破谚峪关绍妇灶豢二利早鸯星噪蔼肘运豢蔬屈丽拿烘帚策寡喊蚂西南工业大学材料科学与基础第三版(刘智恩仁)习题解析疲障笔埔市刻劈市朗拧雇僻脸吐烟羚滋屋泰正近嚏叫法版愁伤屁麦诧说舜厕楼涪侠谜屎戊跳斑将沮匆葬娥鲍滑恍蒜爆誉昼姬霞歼惮校又阉霹囱样寂涸止矗吁狭囤互蛙拘琐脊逛史订懊耽蛮戏鸡努个挂赖锻赶盗古尝几求翼尤府读盒季肿伺般妓翅友胳围谊咋逻呵帮胶岔糕额窟酸百汁邪阅菲咯猛乒鸭蓟颈浚亢虏狡廓颈卫蠢药幂渗欲肩钓转厩硷给陀替膘缀叹朔笛恋襄潘瞪珍采澜望淫床强跨蕊折埂掺翁谁蓉昏锌驱粟酷盆妈贷摘靴淬男幅拾墅哨竟陕抗推猖赂澄偶戊闹颊仑辜缔叫杖缠来磋青旧赚构菱棵狂力茧夕穿胆舱堡府擦贰格蛤橇烬沂蝴穿座邵
4、捆饰偶救车不去放勺疑甘态贯歇聋贝乃原藉减陌第一章 原子排列1. 作图表示立方晶系中的晶面和晶向.附图1-1 有关晶面及晶向2. 分别计算面心立方结构与体心立方结构的100,110和111晶面族的面间距, 并指出面间距最大的晶面(设两种结构的点阵常数均为a).解 由面心立方和体心立方结构中晶面间的几何关系, 可求得不同晶面族中的面间距如附表1-1所示.附表1-1 立方晶系中的晶面间距晶面100110111面间距FCCBCC显然, FCC中111晶面的面间距最大, 而BCC中110晶面的面间距最大.注意: 对于晶面间距的计算, 不能简单地使用公式, 应考虑组成复合点阵时, 晶面层数会增加.3. 分
5、别计算fcc和bcc中的100,110和111晶面族的原子面密度和,和晶向族的原子线密度, 并指出两种结构的差别. (设两种结构的点阵常数均为a)解 原子的面密度是指单位晶面内的原子数; 原子的线密度是指晶面上单位长度所包含的原子数. 据此可求得原子的面密度和线密度如附表1-2所示.附表1-2 立方晶系中原子的面密度和线密度晶面/晶向100110111面/线密度BCCFCC可见, 在BCC中, 原子密度最大的晶面为110, 原子密度最大的晶向为; 在FCC中, 原子密度最大的晶面为111, 原子密度最大的晶向为.4. 在晶面上绘出晶向.解 详见附图1-2.附图1-2 六方晶系中的晶向5. 在一
6、个简单立方二维晶体中, 画出一个正刃型位错和一个负刃型位错. 试求:(1) 用柏氏回路求出正、负刃型位错的柏氏矢量.(2) 若将正、负刃型位错反向时, 说明其柏氏矢量是否也随之反向.(3) 具体写出该柏氏矢量的方向和大小.(4) 求出此两位错的柏氏矢量和.解 正负刃型位错示意图见附图1-3(a)和附图1-4(a).(1) 正负刃型位错的柏氏矢量见附图1-3(b)和附图1-4(b).(2) 显然, 若正、负刃型位错线反向, 则其柏氏矢量也随之反向.(3) 假设二维平面位于YOZ坐标面, 水平方向为Y轴, 则图示正、负刃型位错方向分别为010和, 大小均为一个原子间距(即点阵常数a).(4) 上述
7、两位错的柏氏矢量大小相等, 方向相反, 故其矢量和等于0.6. 设图1-72所示立方晶体的滑移面ABCD平行于晶体的上下底面, 该滑移面上有一正方形位错环. 如果位错环的各段分别与滑移面各边平行, 其柏氏矢量b / AB, 试解答:(1) 有人认为“此位错环运动离开晶体后, 滑移面上产生的滑移台阶应为4个b”, 这种说法是否正确? 为什么?(2) 指出位错环上各段位错线的类型, 并画出位错移出晶体后, 晶体的外形、滑移方向和滑移量. (设位错环线的方向为顺时针方向)图1-72 滑移面上的正方形位错环 附图1-5 位错环移出晶体引起的滑移解 (1) 这种看法不正确. 在位错环运动移出晶体后, 滑
8、移面上下两部分晶体相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的. 位错环的柏氏矢量为b, 故其相对滑移了一个b的距离.(2) AB为右螺型位错, CD为左螺型位错, BC为正刃型位错, DA为负刃型位错. 位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量见附图1-5.7. 设面心立方晶体中的晶面为滑移面, 位错滑移后的滑移矢量为.(1) 在晶胞中画出此柏氏矢量b的方向并计算出其大小.(2) 在晶胞中画出引起该滑移的刃型位错和螺型位错的位错线方向, 并写出此二位错线的晶向指数.解 (1) 柏氏矢量等于滑移矢量, 因此柏氏矢量的方向为, 大小为.(2) 刃型位错与柏氏矢量垂直, 螺型位错与柏氏矢量平行, 晶向指数分别为1
9、12和, 详见附图1-6.附图1-6 位错线与其柏氏矢量、滑移矢量8. 若面心立方晶体中有的单位位错及的不全位错, 此二位错相遇后产生位错反应.(1) 此反应能否进行? 为什么?(2) 写出合成位错的柏氏矢量, 并说明合成位错的性质.解 (1) 能够进行. 因为既满足几何条件: , 又满足能量条件: . .(2) , 该位错为弗兰克不全位错.9. 已知柏氏矢量的大小为b = 0.25nm, 如果对称倾侧晶界的取向差 = 1 和10, 求晶界上位错之间的距离. 从计算结果可得到什么结论?解 根据, 得到 = 1,10 时, D 14.3nm, 1.43nm. 由此可知, = 10 时位错之间仅隔
10、56个原子间距, 位错密度太大, 表明位错模型已经不适用了.第二章 固体中的相结构1. 已知Cd, In, Sn, Sb等元素在Ag中的固熔度极限(摩尔分数)分别为0.435, 0.210, 0.130, 0.078; 它们的原子直径分别为0.3042 nm, 0.314 nm, 0.316 nm, 0.3228 nm; Ag的原子直径为0.2883 nm. 试分析其固熔度极限差异的原因, 并计算它们在固熔度极限时的电子浓度.答: 在原子尺寸因素相近的情况下, 熔质元素在一价贵金属中的固熔度(摩尔分数)受原子价因素的影响较大, 即电子浓度e/a是决定固熔度(摩尔分数)的一个重要因素, 而且电子
11、浓度存在一个极限值(约为1.4). 电子浓度可用公式计算. 式中, ZA, ZB分别为A, B组元的价电子数; xB为B组元的摩尔分数. 因此, 随着熔质元素价电子数的增加, 极限固熔度会越来越小.Cd, In, Sn, Sb等元素与Ag的原子直径相差不超过15%(最小的Cd为5.5%, 最大的Sb为11.96%), 满足尺寸相近原则, 这些元素的原子价分别为2, 3, 4, 5价, Ag为1价, 据此推断它们的固熔度极限越来越小, 实际情况正好反映了这一规律; 根据上面的公式可以计算出它们在固熔度(摩尔分数)极限时的电子浓度分别为1.435, 1.420, 1.390, 1.312.2. 碳
12、可以熔入铁中而形成间隙固熔体, 试分析是-Fe还是-Fe能熔入较多的碳.答: -Fe为体心立方结构, 致密度为0.68; -Fe为面心立方结构, 致密度为0.74. 显然, -Fe中的间隙总体积高于-Fe, 但由于-Fe的间隙数量多, 单个间隙半径却较小, 熔入碳原子将会产生较大的畸变, 因此, 碳在-Fe中的固熔度较-Fe的大.3. 为什么只有置换固熔体的两个组元之间才能无限互熔, 而间隙固熔体则不能?答: 这是因为形成固熔体时, 熔质原子的熔入会使熔剂结构产生点阵畸变, 从而使体系能量升高. 熔质原子与熔剂原子尺寸相差越大, 点阵畸变的程度也越大, 则畸变能越高, 结构的稳定性越低, 熔解
13、度越小. 一般来说, 间隙固熔体中熔质原子引起的点阵畸变较大, 故不能无限互熔, 只能有限熔解.第三章 凝固1. 分析纯金属生长形态与温度梯度的关系.答: 纯金属生长形态是指晶体宏观长大时固-液界面的形貌. 界面形貌取决于界面前沿液相中的温度梯度.(1) 平面状长大: 当液相具有正温度梯度时, 晶体以平直界面方式推移长大. 此时, 界面上任何偶然的、小的凸起深入液相时, 都会使其过冷度减小, 长大速率降低或停止长大, 而被周围部分赶上, 因而能保持平直界面的推移. 长大过程中晶体沿平行温度梯度的方向生长, 或沿散热的反方向生长, 而其它方向的生长则受到限制.(2) 树枝状长大: 当液相具有负温
14、度梯度时, 晶体将以树枝状方式生长. 此时, 界面上偶然的凸起深入液相时, 由于过冷度的增大, 长大速率越来越大; 而它本身生长时又要释放结晶潜热, 不利于近旁的晶体生长, 只能在较远处形成另一凸起. 这就形成了枝晶的一次轴, 在一次轴成长变粗的同时, 由于释放潜热使晶枝侧旁液体中也呈现负温度梯度, 于是在一次轴上又会长出小枝来, 称为二次轴, 在二次轴上又长出三次轴由此而形成树枝状骨架, 故称为树枝晶(简称枝晶).2. 简述纯金属晶体长大机制及其与固-液界面微观结构的关系.答: 晶体长大机制是指晶体微观长大方式, 即液相原子添加到固相的方式, 它与固-液界面的微观结构有关.(1) 垂直长大方
15、式: 具有粗糙界面的物质, 因界面上约有50%的原子位置空着, 这些空位都可以接受原子, 故液相原子可以进入空位, 与晶体连接, 界面沿其法线方向垂直推移, 呈连续式长大.(2) 横向(台阶)长大方式: 包括二维晶核台阶长大机制和晶体缺陷台阶长大机制, 具有光滑界面的晶体长大往往采取该方式. 二维晶核模式, 认为其生长主要是利用系统的能量起伏, 使液相原子在界面上通过均匀形核形成一个原子厚度的二维薄层状稳定的原子集团, 然后依靠其周围台阶填充原子, 使二维晶核横向长大, 在该层填满后, 则在新的界面上形成新的二维晶核, 继续填满, 如此反复进行.晶体缺陷方式, 认为晶体生长是利用晶体缺陷存在的永不消失的台阶(如螺型位错的台阶或挛晶的沟槽)长大的.第四章 相图1. 在Al-Mg合金中, xMg为0.15, 计算该合金中镁的wMg为多少.解 设Al的相对原子量为MAl, 镁的相对原子量为MMg, 按1mol Al-Mg合金计算, 则镁的质量分数可表示为.将xMg = 0.15, xAl
