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1、金属靶材行业投资潜力及发展前景一、 影响溅射靶材行业发展的主要因素（一）影响溅射靶材行业发展的有利因素1、溅射靶材行业国家政策大力支持高性能溅射靶材及下游平面显示、半导体、太阳能电池行业均属于国家政策支持和鼓励的范畴，国家出台了一系列的鼓励政策和指导意见，为行业及下游行业的发展创造了良好的政策环境。同时，为鼓励下游行业使用国产高性能溅射靶材，2015年11月，财政部、发改委、工信部、海关总署、国家税务总局五部委联合发布通知，规定进口靶材的免税期到2018年年底结束。自2019年起，从美国及日本等国家进口靶材需要缴纳关税，增加了进口靶材的成本，从而进一步提高国产靶材的价格竞争优势。这充分显示了我
2、国在重点行业关键材料上进行进口替代的力度与决心。2、溅射靶材行业下游市场需求持续扩大高性能溅射靶材是显示面板、半导体、太阳能电池、记录媒体不可缺少的原材料，进而广泛应用于消费电子、智能家电、通信照明、光伏、计算机、工业控制、汽车电子等多个下游应用领域。我国是全球最大的消费电子产品生产国、出口国和消费国，也是全球最大的集成电路半导体消费国和进口国，在最终下游众多生产及消费领域的需求驱动了我国高性能溅射靶材行业快速增长。因此，未来高性能溅射靶材行业高速成长的确定性较高，基本不会受到偶发性或突发性因素影响。随着全球平面显示、半导体、太阳能电池、记录存储等行业生产规模持续扩张，直接带动了高性能溅射靶材
3、行业的发展，使得中国国内溅射靶材使用量快速增长，给国内溅射靶材厂商带来良好的发展机遇。3、溅射靶材行业全球产业链转移提供新机遇由于我国大力发展平面显示及集成电路半导体行业，出现了以京东方为代表的平面显示行业巨头以及以中芯国际为代表的集成电路芯片厂商，多条高世代线和大尺寸产线建成或在建，使得全球面板及半导体产业向国内进行大规模转移。但与此同时，上游配套材料却仍主要由以日本为代表的国际巨头予以提供，由于西方国家持续升级对我国的科技发展限制，相关核心原材料的迫在眉睫。为解决问题，近年来，我国出台了多项溅射靶材行业的支持政策，也涌现出一批包括本企业在内的国内高性能溅射靶材领先企业，在部分品种靶材的核心
4、技术上相继得以突破，并已进入到下游知名客户的供应链体系。从而提升了我国在全球高性能溅射靶材行业的市场地位，也为国内溅射靶材行业的进一步发展提供了更为广阔的市场空间。4、国内溅射靶材技术有所突破近年来，国内溅射靶材供应商抓住国家政策大力扶持和全球制造业转移的机遇，通过自主创新和引进国外先进生产设备和技术，推动行业技术水平持续提升，与国际先进水平的差距逐步缩小或达到平均水平，部分自主生产的产品已经实现进口替代。此外，国内部分具有自主知识产权及品牌的企业，凭借先进的生产工艺，良好的市场口碑，开始参与国际市场的竞争，并能够进入全球领先企业的供应链体系，为国内溅射靶材市场的持续发展打下了良好基础。（二）
5、影响溅射靶材行业发展的不利因素1、国内溅射靶材产业起步较晚，整体行业竞争力仍有不足在高性能溅射靶材产业中，美国、日本等发达国家企业已经经过几十年的发展历程，在核心技术、生产工艺、产品质量、业界口碑等方面都积累了深厚的基础，形成了有利的市场先发优势。我国高性能溅射靶材产业起步较晚，虽然少部分领先企业在部分高性能溅射靶材领域内已经有所技术突破，并形成了一定的规模销售，但从整体技术水平、业务规模以及在全球客户中认可程度等方面与境外主要企业之间还存在不小的差距。2、溅射靶材行业高端技术人才匮乏高性能溅射靶材生产工艺复杂、技术含量高，对研发技术人员的专业素质要求很高，研发和制造需要具备较为扎实的专业知识
6、储备和丰富的生产实践经验，能对生产过程实施精细化管理。目前，虽然国内少数领先企业依靠自主研发在部分高性能溅射靶材领域实现突破，但仍需要继续在技术研发上加大投入，拓展产品线及产品应用领域。由于我国高性能溅射靶材行业起步较晚，相关研发人才及技术人才较为匮乏，是阻碍本行业发展的重要不利因素。二、 溅射靶材产业链中国溅射靶材上游为各种原材料，包括金属、合金、陶瓷化合物；中游主要为靶材制造、溅射镀膜；下游广泛应用于半导体芯片、平面显示、信息存储、太阳能电池、智能玻璃等。中国溅射靶材产业链上游金属上市企业包括新疆众和、天山铝业、铜陵有色、安宁股份、中环股份等，合金企业包括江赣锋锂业、兴业矿业、浙富控股、厦
7、门钩业、寒锐钻业等。中游的溅射靶材企业主要为日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯、有研新材、金钼股份、新疆众和、隆华科技、江丰电子、康达新材、阿石创、超卓航科等。下游集成电路企业包括中芯国际、长电科技、韦尔股份、通富微电、华天科技等，太阳能电池企业包括通威股份、隆基绿能、天合光能、晶科能源、TCL中环等。三、 溅射靶材种类和规格按材质可分为金属靶材（纯金属铝、钛、铜、钽等）、合金靶材（镍铬合金、镍钴合金等）、陶瓷化合物靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）。按下游终端应用可分为半导体靶材、平板显示靶材、太阳能电池靶材、记录存储靶材等，四大板块约合占比97%。按形状分类可分为长靶、方靶、圆靶和管
8、靶。其中常见的靶材多为方靶、圆靶，均为实心靶材。近年来，空心圆管型溅射靶材由于具有较高的回收利用率，也在国内外得到了一定推广。在镀膜作业中，圆环形的永磁体在靶材的表面产生的磁场为环形，会发生不均匀冲蚀现象，溅射的薄膜厚度均匀性不佳，靶材的使用效率大约只有20%30%。目前，为了提高靶材的利用率，国内外都在推广可围绕固定的条状磁铁组件旋转的空心圆管型溅射靶材，此种靶材由于靶面360都可被均匀刻蚀，因而利用率可由通常的20%30%提高到75%80%。不同应用领域对于溅射靶材的材料和性能要求存在一定差异。如半导体芯片对于靶材的纯度和精度要求最高，技术难度也最高，通常为圆靶；而面板则要求材料面积大、均
9、匀性好，技术难度不如芯片但要求也很高，形状常为长靶。四、 半导体行业（一）溅射靶材在半导体行业的应用集成电路产业链主要包括集成电路设计、晶圆制造和封装测试三大主干环节，及EDA、IP、设备、材料、掩膜等关键支持环节。溅射靶材、光刻胶、硅片、光掩膜、电子特种气体、抛光材料、湿电子化学品等材料，均是半导体生产必备的关键材料。其中，溅射靶材主要应用于晶圆制造和封装测试环节的薄膜沉积工序。（二）半导体行业概述半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，被广泛应用于各种电子产品中。半导体产品可细分为四大类：集成电路、分立器件、光电子器件和传感器。集成电路作为半导体产业的核心，占据半导体行业规模的八
10、成以上，其细分领域包括逻辑芯片、存储器、微处理器和模拟芯片等，被广泛应用于5G通信、计算机、消费电子、网络通信、汽车电子、物联网等产业，是绝大多数电子设备的核心组成部分，具有十分广阔的市场空间。作为资金与技术高度密集行业，集成电路行业形成了专业分工深度细化，产业链各环节企业相互依存的格局。在问题突出、国际贸易局势不确定性长期存在的背景下，半导体及相关支持性产业的国产化重要性日益提升。1、半导体行业发展历程从发展历程来看，自诞生以来，由于产业链的细化与应用市场需求的变化，半导体与集成电路产业已经经历了多次产业转移。目前，中国大陆凭借着在智能终端方面的生产能力与庞大的消费市场，正逐步承接半导体与集
11、成电路产业的第三次转移。2、半导体行业发展现状及未来发展趋势全球半导体行业方面，伴随全球信息化、网络化和知识经济的迅速发展，特别是在以物联网、人工智能、汽车电子、智能手机、智能穿戴、云计算、大数据和安防电子等为主的新兴应用领域强劲需求的带动下，全球半导体产业收入将保持持续增长。2018年全球半导体行业收入为4，76151亿美元，2019年受全球宏观经济低迷影响，半导体行业景气度有所下降，收入同比下降1197%，为4，19148亿美元，预计2021年半导体行业开始复苏，2024年预计全球半导体行业收入将达到5，72788亿美元。国内半导体行业方面，在半导体和集成电路行业快速发展的同时，我国集成电
12、路产品依然大量依赖进口，集成电路产品的自给率仍然偏低。2015年，中国制造2025计划中提出了到2025年，70%的核心基础零部件、关键基础材料实现自主保障的战略目标，在该目标的指引下，我国集成电路产业逐步开始了国产化的进程，这也为国内的集成电路及集成电路产业链相关企业提供了实现跨越式发展的机遇。根据国际半导体协会（SEMI）的统计数据，2017年到2020年期间，全球将有62座新晶圆厂投产，其中将有26座新晶圆厂座落中国大陆，占比达42%。新晶圆厂从建立到生产的周期大概为2年，未来几年将是中国大陆半导体和集成电路产业的快速发展期。随着半导体产业的快速发展，将进一步推动国内高性能溅射靶材行业的
13、高速增长。五、 溅射靶材行业发展现状近年来我国对溅射靶材行业重视程度不断提升，各类政策出台推动行业积极发展。例如2019年十四五规划和2035年远景目标刚要提出集成电路攻关方面，以重点装备和高纯靶材等关键材料为研发方向。2021年3月，财政部、海关总署等联合发布关于支持集成电路产业和软件产业发展进口税收政策的通知，明确对于国内靶材企业进口国内不能生产、性能不满足需求的自用生产性原材料及消耗品免征进口关税。在国内良好的政策环境和各细分市场广阔的市场空间下，国内溅射靶材企业市占率提升空间大，机会逐步开启。随着政策利好、以及在技术创新推动下芯片、光伏高新技术产业需求不断释放，我国溅射靶材行业规模不断
14、扩大。数据显示，2021年我国溅射靶材市场规模达3758亿元，同比增长97%。预计2022年我国溅射靶材市场规模将达到410亿元。其中高性能溅射靶材市场在国家战略政策支持以及下游众多应用领域需求的支撑下，行业技术不断突破，产品性能不断提升，带动市场规模不断扩大。数据显示，2021年我国高性能溅射靶材市场规模由2016年的989亿元增长至2418亿元，预计2022年市场规模将达2881亿元。ITO靶材市场容量也在不断扩张。有数据显示，2019-2021年，我国ITO靶材市场容量从639吨增长到1002吨，年复合增长率为2522%。预计2022年我国ITO靶材市场容量能达到1067吨。六、 平板显
15、示靶材应用场景平板显示主要包括液晶显示（LCD）、等离子显示（PDP）、有机发光二极管显示（OLED）等，多由金属电极、透明导电极、绝缘层、发光层组成，为了保证大面积膜层的均匀性，提高生产率和降低成本，溅射技术越来越多地被用来制备这些膜层。平板显示镀膜用溅射靶材主要品种有：钼靶、铝靶、铝合金靶、铬靶、铜靶、铜合金靶、硅靶、钛靶、铌靶和氧化铟锡（ITO）靶材等。若根据工艺的不同，FPD行业用靶材也可大致分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射用靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等材料。蒸镀用靶材一般为Ag和Mg两种金属。Ag和Mg合金一般用于小尺寸OLED面板产线中的阴极制作。除此以外，Ag也可以
16、作为顶发射OLED器件中的阳极反射层使用。薄膜晶体管液晶显示面板TFT-LCD由大量的液晶显示单元阵列组成（如4K分辨率的屏幕含有800多万个显示单元阵列），而每一个液晶显示单元，都由一个单独的薄膜晶体管（TFT）所控制和驱动。薄膜晶体管阵列的制作原理，是在真空条件下，利用离子束流去轰击靶材，使固体表面的原子电离后沉积在玻璃基板上，经过反复多次的沉积+刻蚀，一层层（一般为712层）地堆积制作出薄膜晶体管阵列。OLED典型结构是在氧化铟锡（ITO）玻璃上制作一层几十纳米厚的发光材料，ITO透明电极作为器件的阳极，钼或者合金材料作为器件的阴极。从阴阳2极分别注入电子和空穴，在一定电压驱动下，被注入的电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层并复合，形成激子并使发光分子产生单态激子，单态激子衰减发光。
