模电填空题答案

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1、第一章1杂质半导体分为 ( N ) 型和 (P ) 型。自由电子是( N ) 型半导体中的多子。空穴是 (P ) 型半导体中的少子。2杂质半导体中的少子因( 本征激发) 而产生,多子主要因( 掺杂 ) 而产生。3常温下多子浓度等于(杂质 ) 浓度,而少于浓度随(温度 ) 变化显著。4导体中的 ( 扩散 ) 电流与载流子浓度梯度成正比;( 漂移 ) 电流与电场强度成正比。5当 ( P ) 区外接高电位而 ( N) 区外接低电位时,PN 结正偏。6 ,PN 结又称为 (空间电荷区 ) 、 ( 耗尽层)、 ( 阻挡层 )和 ( 势垒区 )。7 PN 结的伏安方程为 (u / U1)。该方程反映出PN

2、 结的基本特性是( 单IS(e DT向导电性 ) 特性。此外, PN 结还有 ( 电容 )效应和 (反向击穿 )特性。8 PN 结电容包括 (势垒 )电容和 ( 扩散 )电容。 PN 结反偏时,只存在 ( 势垒 ) 电容。反偏越大,该电容越 (越小)。9普通 Si 二极管的导通电压的典型值约为(0.7 ) 伏,而 Ge 二极管导通电压的典型值约为 ( 0.3 ) 伏。10 ( 锗 ) 二极管的反向饱和电流远大于( 硅) 二极管的反向饱和电流。11 PN 结的反向击穿分为(齐纳)击穿和 ( 雪崩 )击穿两种机理。12 稳压管是利于PN 结(反向击穿)特性工作的二极管。13 变容二极管是利于PN结

3、( 反向)特性工作的二极管。14 二极管交流电阻r d 的定义式是(rddudiD ),rd 的估算式是 ( UDQIT),其中D热电压 UT 在 T=300K 时,值约为 ( 26)mV 。第二章1当发射结正偏, 集电结反偏时, BJT 工作在 ( 放大 )区,当发射结和集电结都(正偏 )时, BJT 饱和;当发射结和集电结都( 反偏 ) 时, BJT 截止。2放大偏置的NPN 管,三电极的电位关系是( U CU BU E)。而放大偏置的PNP管,三电极的电位关系是(UCUBUE)。3为了提高 值, BJT 在结构上具有发射区杂质密度( 远远高于 ) 基区杂质密度和基区 ( 很薄 )的特点。

4、4 CBO表示(集电极反向饱和电流),下标O表示(发射极开路 ) 。 ICEO 表示 ( C-EI间的穿透电流),下标 O 表示 (基极开路)。这两个电流之间的关系是II(CEOCBO)。5在放大区 iC 与 iB 的关系为 ( i Ci BI),对 Si 管而言 iC ( i B )。CBO266共射直流放大系数与共基直流电流放大系数的关系是()。17在放大区,i E、 i C 和 iB 近似成 ( 线性 ) 关系,而这些电流与uBE 则是 ( 指数 )关系。8放大偏置的 BJT 在集电结电压变化时,会通过改变基区宽度而影响各级电流,此现象称为 ( 基区宽度调制效应 ) 。if (u)一条共

5、射输入特性曲线对应的函数关系是(BBEu CE 常数 )。9一条共射输出特性曲线对应的函数关系是( iCf (u CE ) i B常数)。10 当温度增加时,( 增大 ), ICBO ( 增大 ) ,而共射输入特性曲线( 左移 ) 使得 UBE减小。11 BJT 的三个主要极限参数是( I C max)、(PCM)和 ( U BR ( CEO) )。i C12 交流 的定义式为(i E) ;直流的定义式为u CE常数IC(I)。E13 当 |( f) | 1 时的频率称为BJT 的(特征频率 )。14 rbe 和交流 其实是两个共射H参数,它们与混合 参数的关系是rber b br b e )

6、, =(gr=(mb e)。r15 引入厄利电压UA是为了便于估算反映基调效应的混合 参数 (ce)和(rb c)。16 场效应管 (FET) 依靠 ( 栅源电压 uGS)控制漏极电流iD ,故称为 ( 电压)控制器件。17 FET 工作于放大区,又称为( 饱和 )区或(恒流)区。此时 iD 主要受 ( 栅源 uGS )电压控制,而 iD 几乎不随 (漏源 uDS )电压的改变而变化。18 N 沟道 FET 放大偏置时,沟道电流i D 的方向是从 (漏 )极到( 源 )极;P 沟道 FET 放大偏置时, iD 的方向是从 ( 源)极到 (漏)极。19 沟道预夹断是指沟道在 ( 靠近漏极 ) 位

7、置刚好消失的状态。此时,uDS 与 uGS 满足的关系式称为 ( 预夹断 ) 方程。27i D20 FET的 小 信 号 跨 导 定 义 为g m =(),对于耗尽型管uGS u DS常数mg (mg (2I(1u)gi DDSSGSm 0U GS ( off )UIGS ( off )或 (DSS) ;对于增强型管2IDO (uGS1)。UUGS ( th )GS ( th )21 在放大区,耗尽型管转移特性曲线近似满足的平方律关系式为I(1u)2I DO ( u1)2)。( DSSGS),而增强型管的平方律关系式为(GSUGS ( off )UGS ( th )22根据 FET 在放大区的

8、外特性, 它的栅极、 源极和漏极分别与BJT 的( 基 )极、 (发射)极和 ( 集电极)极相似。23FET 的三种基本放大组态: CS 组态、 CD 组态和 CG 组态,其放大特性分别与BJT 的( CE)组态、 ( CC)组态和 (CB ) 组态相似。24FET 的 ( 沟道调制 )效应与 BJT 的基区宽调效应相似。基区宽调效应使集电结反偏电压变化对各极电流有影响,而FET 的该效应使 ( u DS )电压的变化对iD 产生影响。25FET 的小信号参数 (rds)是沟道调制效应的反映。第三章1放大器的直流通路可用来求( 静态工作点)。在画直流通路时,应将电路元件中的(电容)开路, (

9、电感 )短路。2交流通路只反映( 交流)电压与 (交流)电流之间的关系。在画交流通路时,应将耦合和傍路电容及恒压源(短路)。3 题2.13(3)所示共射放大器的输出直流负载线方程近似为U(CEE CIC(R CR e )经过 (Q ) 点,且斜率为 (1R C/ RL)。该电路的交流负载线是)的一条直线。共射放大器的交流负载线是放大器工作时共射输出特性曲线上的动点( u CE, i C )的运动轨迹。4 CE 放大器工作点选在 ( 交流负载线)的中点时,无削波失真的输出电压最大。5放大器信号源的等效负载是放大器的( 输入 )电阻,而向放大器的负载R L 输出功率的等28效信号源的内阻是放大器的(输出)电阻。6多级放大器的增益等于各级增益分贝数(相加)。若放大器Au= -70 7 倍,则Au 的分贝数=( 37 )。7级联放大器常用的级间耦合方式有( 直接)耦合,( 阻容 )耦合和 ( 变压器 )耦合。8放大器级间产生共电耦合的原因是(直流电源存在内阻),消除共电耦合的方法是采用( 电源去耦 )电路。9高增益直流放大器要解决的一个主要问题是( 零点漂移(温漂))。10 在多级放大器中,中间某一级的( 输入 )电阻是上一级的负载。11任何放大器的 (功率)增益总是大于一。12从频谱分

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