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1、泓域咨询/徐州负性光刻胶项目申请报告目录第一章 行业发展分析7一、 大陆晶圆代工厂成熟制程快速扩建，国产光刻胶企业迎来重大机遇7二、 半导体工业发展的基石光刻技术8第二章 项目承办单位基本情况12一、 公司基本信息12二、 公司简介12三、 公司竞争优势13四、 公司主要财务数据15公司合并资产负债表主要数据15公司合并利润表主要数据15五、 核心人员介绍16六、 经营宗旨17七、 公司发展规划17第三章 项目建设背景、必要性24一、 聚4-羟基苯乙烯（PHOST）24二、 DUV光刻胶化学放大型KrF&ArF光刻胶25三、 加快构建现代产业体系，着力建设经济强市26四、 服务构建新发展格局，
2、有力畅通循环体系29五、 项目实施的必要性31第四章 总论33一、 项目名称及投资人33二、 编制原则33三、 编制依据34四、 编制范围及内容35五、 项目建设背景35六、 结论分析39主要经济指标一览表41第五章 项目选址方案44一、 项目选址原则44二、 建设区基本情况44三、 建设高品质中心城市，增强综合竞争优势49四、 项目选址综合评价51第六章 产品方案52一、 建设规模及主要建设内容52二、 产品规划方案及生产纲领52产品规划方案一览表52第七章 运营管理模式55一、 公司经营宗旨55二、 公司的目标、主要职责55三、 各部门职责及权限56四、 财务会计制度59第八章 法人治理结
3、构67一、 股东权利及义务67二、 董事70三、 高级管理人员74四、 监事77第九章 发展规划80一、 公司发展规划80二、 保障措施86第十章 人力资源配置分析89一、 人力资源配置89劳动定员一览表89二、 员工技能培训89第十一章 原辅材料及成品分析92一、 项目建设期原辅材料供应情况92二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理92第十二章 劳动安全生产93一、 编制依据93二、 防范措施94三、 预期效果评价100第十三章 项目节能说明101一、 项目节能概述101二、 能源消费种类和数量分析102能耗分析一览表103三、 项目节能措施103四、 节能综合评价104第十四章 进度规划方
4、案106一、 项目进度安排106项目实施进度计划一览表106二、 项目实施保障措施107第十五章 技术方案分析108一、 企业技术研发分析108二、 项目技术工艺分析111三、 质量管理112四、 设备选型方案113主要设备购置一览表113第十六章 项目投资计划115一、 投资估算的依据和说明115二、 建设投资估算116建设投资估算表120三、 建设期利息120建设期利息估算表120固定资产投资估算表122四、 流动资金122流动资金估算表123五、 项目总投资124总投资及构成一览表124六、 资金筹措与投资计划125项目投资计划与资金筹措一览表125第十七章 项目经济效益评价127一、
5、经济评价财务测算127营业收入、税金及附加和增值税估算表127综合总成本费用估算表128固定资产折旧费估算表129无形资产和其他资产摊销估算表130利润及利润分配表132二、 项目盈利能力分析132项目投资现金流量表134三、 偿债能力分析135借款还本付息计划表136第十八章 招标及投资方案138一、 项目招标依据138二、 项目招标范围138三、 招标要求138四、 招标组织方式139五、 招标信息发布139第十九章 风险分析140一、 项目风险分析140二、 项目风险对策142第二十章 总结说明144第二十一章 附表附件145主要经济指标一览表145建设投资估算表146建设期利息估算表1
6、47固定资产投资估算表148流动资金估算表149总投资及构成一览表150项目投资计划与资金筹措一览表151营业收入、税金及附加和增值税估算表152综合总成本费用估算表152利润及利润分配表153项目投资现金流量表154借款还本付息计划表156本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 行业发展分析一、 大陆晶圆代工厂成熟制程快速扩建，国产光刻胶企业迎来重大机遇半导体工业沿摩尔定律向前发展，光刻技术是基石。摩尔定律的延续离不开光刻技术的进步，目前全球最为顶尖且实现量产的光刻工艺为台积电的5nm制程工艺（2020
7、年），3nm制程工艺预计将于2022年正式投产。而大陆方面，最为领先的晶圆代工企业中芯国际已于2021年实现7nm制程工艺的突破，但仍与世界顶尖水平存在着约2代技术的差距，对应的技术研发周期约为3-4年。半导体光刻胶为晶圆制造核心材料，大陆产品仍存较大技术差距。在所有的晶圆制造材料中，半导体光刻胶凭借其复杂且精准的成分组成要求而具有最高的价值含量。半导体光刻胶产品由低端到高端可分为g线、i线、KrF、ArF和EUV光刻胶，最高端的EUV光刻胶基本被日本和美国企业所垄断。大陆方面目前仅实现了KrF光刻胶的量产，ArF光刻胶产品仍处于下游客户验证阶段并未形成实际性的量产产能，而最高端的EUV光刻胶
8、的技术储备近乎空白。行业政策与“大基金”加持，助力光刻胶突破“卡脖子”技术壁垒。“十四五”规划提出了“强化国家战略科技力量”的方针，重点强调要从“卡脖子”问题清单和国家重大需求中找出科学问题。集成电路的产业发展一直是我国的“卡脖子”问题之一，其中半导体光刻胶等产品领域存在有明显的“受制于人”的问题，而突破这些“卡脖子”技术壁垒必将成为践行“强化国家战略科技力量”这一宏观战略的重点之一。自2014年6月国务院发布国家集成电路产业发展推进纲要以来，国家不断地通过政策、科研专项基金、产业基金等多种形式为国内光刻胶企业的发展提供支持。大陆晶圆代工产能增速全球第一，聚焦成熟制程利好国产化推进。根据SIA
9、和BCG预测，2021-2030年期间中国大陆的晶圆代工产能增速在全球范围内将排名第一。伴随着大陆晶圆代工产能的快速扩张，特别是28nm及以上成熟制程晶圆代工产能快速扩张，大陆市场对于光刻胶等半导体材料的需求将与日俱增。而中美贸易摩擦对于半导体材料的限制或禁运，将加快国内已实现量产突破的产品向国内晶圆代工厂商的导入进度。同时，半导体光刻胶企业在获得持续订单后有望形成正反馈循环，依靠可持续性的资金流入，推动现有半导体光刻胶产品的产能扩增及新一代半导体光刻胶产品的研发。二、 半导体工业发展的基石光刻技术1904年英国物理学家弗莱明发明了二级检波管（弗莱明管），1907年美国发明家弗雷斯特发明了第一
10、只真空三极管，而世界上第一台通用电子计算机ENIAC则于1946年由约翰冯诺依曼等人在美国发明完成。ENIAC由17,468个电子管和7,200根晶体二极管构成，重量高达30英吨，占地达170平方米。1947年12月，美国贝尔实验室正式成功演示了第一个基于锗半导体的具有放大功能的点接触式晶体管，并于1954年开发出了第一台晶体管化计算机TRADIC。TRADIC由700个晶体管和10,000个锗二极管构成。 现如今已经来到21世纪20年代，在ENIAC和TRADIC发布大半个世纪后，华为公司于2020年10月22日发布了截至当时全球最为先进的芯片产品之一基于5nm工艺制程的手机SoC芯片麒麟9
11、000。麒麟9000集成了多达15,300,000,000个晶体管，将手机所需的CPU、GPU、NPU、ISP、安全系统和5G通信基带等计算单元都集成于一体。与ENIAC和TRADIC相比，麒麟9000的电子元器件数量增加了约100万倍，但整体的器件体积和质量却有了极大程度的缩小，搭载有麒麟9000芯片的华为Mate40Pro手机的重量仅为212克。从ENIAC和TRADIC到麒麟9000，这反映了全球科技的高速发展，而更确切地说这代表着全球半导体集成电路（IC）工艺的飞跃。19世纪50年代末，仙童（Fairchild）半导体公司发明了基于掩膜版的曝光和刻蚀技术，极大地推动了半导体技术革命，该
12、技术也一直沿用至今。1965年，时任仙童半导体公司研究开发实验室主任的戈登摩尔（GordonMoore）在电子学（Electronics）上发表了题为让集成电路填满更多的元件（CrammingMoreComponentsOntoIntergratedCircuits）的文章，并首次提出了被后世奉为“计算机第一定律”的经验性规律摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可以容纳的元器件的数目，每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。在过去的数十年间，整个半导体工业都始终遵循着摩尔定律向前不断发展。基于现有的晶圆制造工艺规划情况，摩尔定律在未来至少5-10年内仍将保持着“生命力”。半导体工业能够
13、沿着摩尔定律向前发展离不开光刻工艺的不断进步，在光刻领域，对于摩尔定律其实还存在另外一种解读：每18-24个月，利用光刻工艺在集成电路板上所能形成的最小图案的特征尺寸将缩小30%。光刻工艺是半导体制造中通过化学或物理方法进行图案转移的技术。现代光刻工艺通过光学成像系统将掩膜版上的电路设计图样，使用特定波长的光投影到涂覆有光刻胶的硅片上，使其感光并发生化学性质及溶解性的转变，而后再通过显影、刻蚀、去胶等步骤将原掩膜版上的图案信息转移到带有电介质或者金属层的硅片上。在整个芯片制造过程中可能需要进行数十次的光刻，光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的30%，耗时约占整个芯片生产环节的40%-50%。光
14、刻工艺的精密度决定了集成电路的关键尺寸，奠定了器件微缩的基础，即得到更短的沟道长度和实现更低的工作电压。第二章 项目承办单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xx投资管理公司2、法定代表人：尹xx3、注册资本：670万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2016-12-87、营业期限：2016-12-8至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事负性光刻胶相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动
15、。）二、 公司简介未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念，倡导“诚信尊重”的企业情怀；坚持“品质营造未来，细节决定成败”为质量方针；以“真诚服务赢得市场，以优质品质谋求发展”的营销思路；以科学发展观纵观全局，争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 三、 公司竞争优势（一）自主研发优势公司在各个细分领域深入研究的同时，通过整合各平台优势，构建全产品系列，并不断进行产品结构升级，顺应行业一体化、集成创新的发展趋势。通过多年积累，公司产品性能处于国内领先水平。公司多年来坚持技术创新，不断改进和优化产品性能，实现产品结构升
