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1、精品文档附件：中国科学院部分LED技术成果明细表【编号：01】制造LED芯片专用光刻机技术来源单位：成都光电所技术简介：中国科学院光电技术研究所研发光刻机已经近30年的历史，近年来研发成功的URE-2000系列光刻机在集成电路等领域已经获得广泛应用，相对于国内外同类产品具有极高的性价比，已经销售200多台，稍加改进即可满足LED芯片制作和封装要求。技术特点及优势：(1)技术指标曝光面积：150mm150mm;分辨力：0.8Hm(胶厚2m正胶)；对准精度：0.6Rm；照明均匀性：3.5%a100mm);5.5%d150mm)掩模尺寸：3inch、4inch、5inch、7inch;样片尺寸：直径
2、415mm-M50mm、厚度0.1mm-6mm；(2)技术优势URE-2000系列光刻机已经销售200多台套（其中由口美国、新加坡、越南、朝鲜等10多台），目前占据国内最大市场份额，产品深受国内外用户欢迎，产品2007年获全国创新技术与产品称号，2008年获四川省科技进步奖，产品无论技术指标、性价比、外观、模块化、售后服务相对于国内外同行优势明显。我们光刻机共有八种型号，其中单面有五种：URE-2000A、URE-2000B、URE-2000/35、URE-2000/25、URE-2000/17,双面有三种：URE-2000S/A、URE-2000S/B、URE-2000S/25。相关图片：图
3、1不同型号的光刻机【编号：02】半导体深紫外LED光源技术来源单位：中国科学院半导体研究所技术简介：半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以AlGaN合金为有源区的LED的发光波长能够覆盖210-400nm的紫外波段，是实现该波段深紫外LED器件产品的唯一理想材料。同时紫外LED具有其它紫外光源无法比拟的优势。本项目为“863计划支持项目，已完成小试。获得两项发明专利和国家科技进步二等奖。技术特点及优势：通过详细研究铝钱氮材料生长的预反应问题，解决了外延晶体质量差、容易在表面形成由于应力而产生的裂纹等问题。获得了无裂纹的高结晶
4、质量铝钱氮材料，大幅度改善了铝钱氮材料的晶体质量，其（0002）面的X射线双晶衍射半高宽小于200弧秒，表面AFM测试表明其粗糙度小于1nm,并获得了Al组分高达85%的AlGaN材料；铝钱氮材料的CL发光波长为260nm。实现了深紫外UVLED器件的300nm以下室温荧光发光，并在国内首次制备成功了300nm以下的深紫外LED器件，波长为280nm的深紫外器件在20mA连续驱动电流下输生功率大于0.6mWo相关图片:图2半导体深紫外LED光源应用于所区路灯进行示范验证【编号：03】大功率白光LED器件技术来源单位：中国科学院半导体研究所技术简介：LED作为照明光源与现有的照明光源相比具有节约
5、能源、寿命长、体积小、发光效率高、无污染以及色彩丰富等优点。虽然GaN基功率型LED的发光效率迅速提高，但量子效率、电流分布均匀性和器件散热能力仍是制约功率型LED性能提高的技术瓶颈。本课题重点研究了不同正装LED结构对散热与光提取效率的影响以及光学增透膜、高反膜与N电极对提取效率的影响，通过优化正装芯片结构设计和光学膜系设计，研制由高性能大功率蓝光和白光LEDo本项目为“863计划支持项目，已完成小试。获得两项发明专利和国家科技进步二等奖。技术特点及优势：采用新型外延结构及条形结构有利于提高器件提取效率，降低热阻。研制生的白光LED在350mA工作电流下，工作电压3.2V,突破了130lm/
6、W技术，实现光效产业化100lm/W以上，封装后热阻小于7K/W。相关图片:图4白光LED发光照片图3在20mA电流下，室温连续输出功率大于0.65mW(281nm)【编号：04】第三代宽禁带半导体材料一氮化钱衬底晶片及相关产品技术来源单位：苏州纳米所技术简介：氮化钱（GaN）是第三代半导体材料，产品可广泛应用于氮化钱高亮度发光二极管、蓝绿光激光器二极管、射频器件、电力电子器件等。苏州纳米所在GaN晶片中具有雄厚实力和丰富成果。技术特点及优势：（1）小尺寸氮化钱自支撑晶片产品图片（Photo）:性能参数(Specification)精品文档导电类型ConductionTypeN-typeSem
7、i-insulating电阻率 Resistivity(300K)抛光 Polishing有效面积 UsableSurface Area105mQcmQ,cmStandard:DoubleSidePolishedOption:SingleSidePolished90%(2)氮化钱厚膜晶片产品图片(Photo)性能参数(Specification)2，尺寸DimensionsC-axis (0001) 1.把晶体取向Orientation厚度GaNthicknessTypical30m以位错密度DislocationDensityLessthan3x108cm-2导电类型ConductionTy
8、pe电阻率Resistivity(300K)衬底SubstrateN-type105Q2sapphire(0001)(3) 2英寸直径自支撑氮化钱晶片产品图片(Photo)性能参数(Specification)尺寸 Dimensions晶体取向Orientation2”C-axis (0001) 1段厚度 Thickness位错密度Dislocation Density电阻率 Resistivity(300K)载流子浓度CarrierConcentrationLess than 5 x 107cm-213 x 1018 cm-3抛光 PolishingStandard: Double Side
9、PolishedOption: Single SidePolished有效面积 UsableSurface Area90%【编号：05】基于同质外延技术的超大功率单芯片LED产业化技术来源单位：苏州纳米所技术简介：该项目是中科院创新项目，拥有独立自主知识产权，技术已达国际先进水平。应用于高端半导体照明领域。技术成熟度：目前处于小批量生产阶段。投资规模：6000万可建成相应生产线。合作方式：技术合作、技术服务等。已获得相关发明专利近10项。技术特点及优势：技术指标：1w白光LED光通量100120lm，光效100120lm/w;3w白光LED光通量1802001m,光效6070lm/w。创新内容
10、：采用自主研发的同质氮化镓衬底，实现垂直结构LED，提高了材料质量，减小了器件发热；自主开发的同质外延在位监控系统及纳米图形化设计，大大提高了产品质量。【编号：06】平板显示关键技术及产业化开发技术来源单位：苏州纳米所技术简介：该项目是苏州市人才孵化项目，研发并进行产业化大尺寸液晶显示所需的LED背光模组，可应用于平板显示器领域，拥有中外专利23项。已完成42寸样机研制。可通过专利许可等方式开展产业化合作，投资规模约7000万元。技术特点：本项目技术指标：亮度提升300%、成本降低30%；动态对比度达到10000：1；使用寿命大于5万小时；功耗低于同尺寸、同亮度CCFL背光模组30%;制造成本
11、控制在CCFL背光模组的1.3倍以内。创新内容（A）LED光源极化及保极化导光板；（B）LED光源COB封装；（C）双通道图像动态驱动；（D）LED差异老化控制。相关图片：图6CCFL背光液晶电视的显示效果（左），LED背光液晶电视的显示效果（右）tmageContmt: H铝e - BLU * LCDPower: fl,J2 =黑 tQ,73,0.55, 030：图7LED背光模组时空调制实现高对比度和低功耗【编号：07】高效率高光通量LED关键技术及3W级LED芯片开发技术来源单位：苏州纳米所技术简介：本项目主要研究高效率、高光通量LED的一些关键技术，针对3W级LED芯片产品进行开发研究
12、。研究高效率、高光通量LED芯片制作的关键技术问题，采用自支撑同质GaN衬底实现垂直结构的条形高效率、大通量LED芯片，解决LED倒装焊接散热技术难题，开发由3W级100lm/W的高效率大功率LED芯片产品。在3W级的LED芯片产品方面，国际上还处于开发阶段，只有少数几家刚刚开发生产品，推向市场的就只有Osram公司，其技术瓶颈就是散热问题，热量如不能有效地散发由去，导致器件无法在大电流条件下工作，就无法实现高光通量LED照明。因此，解决3W级LED芯片的散热问题，就相当于打开了半导体照明的一扇门，里面就是无限的市场。所以，各国LED大企业都全力开发3W或以上级别的芯片，以获得高额的利润及广阔
13、的市场空间。【编号：08】OLED有机太阳能电池产业的关键材料技术来源单位：苏州纳米所技术简介：本项目主要是设计合成并提供各种有机发光二极管（OLED）材料，有机光伏材料。OLED可广泛用于平板显示、白光照明、有机太阳能电池等。据产业分析公司NanoMarkets报告显示，OLED产业在过去10年总计获得了数以10亿美元计的投资，OLED材料市场到2015年将达到27亿美元。该公司还预测，在实验室测试中OLED照明的效率已经超过荧光灯，有望开创节能固体照明新时代。全球范围内的节能趋势将推动OLED照明产业迅速发展，并刺激市场对OLED材料的需求，到2015年将有90%的OLED材料被用于照明应
14、用。DisplaySearch公司预测OLED面板市场在2015年将突破60亿美元。有机光电子产业（OLED显示、OLED白光照明、柔性有机太阳能电池）的兴起，为有机光电材料的研究开发提供了新的机遇。相关图片：图8单个相素的OLED发光样品图9各种发光金属配合物光致荧光图【编号：09】新型LED光源-量子点的制备及量产放大技术技术来源单位：苏州纳米所技术简介：量子点作为一种新型的半导体纳米材料，具有低启亮电压、高色纯度、发光颜色可通过控制量子点大小进行调节等优点，是理想的LED光源。量子点-LED作为一种新型绿色环保新能源，具有节能、安全、长寿命等优点，将有利于缓解我国的能源和环境压力。本项目负责人在最近几年成功研发了一种温和条件下制备高质量量子点的技术，所制备得到的量子点荧光发射光谱窄、量子产率高、稳定性好。拟结合纳米所在LED上的优势，通过技术成果转化，系统研究量产放大过程中，不同工艺参数的影响规律，成功开发出高质量量子点的量产技术路线并在LED光源和显示上进行应用。可广泛应用于LED光源、显示屏、太阳能、生物成像和标记。拥有1项美国专利。【编号：10】紫外LED-纳米光
