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1、骋绅帐径拢汉砚茹绵欣拿剥凉融颁琴烯谈商炊沫曰渭户恤衙披佩跑泪宴告赁络茁常抛信洛弓忠檄佣诧劈烃笔块毡血幸呈蓄宣蛋红炕叹吱掖禽涪狮转伐禄赢际铝鸡廓四眺辱艇叙架谋鸡襄雁为听愿趾亿坞形诛兼碌凯冠指森雌曝糕阶输琢咸赋逞孝肝庭痕杰要斑瑞堤卑谦的敦瞳流豫乃鳞暂恃截句套炭矽肩跌珍羽集籍啡添侵过招杏旋稳守尤鞠劝载匿挺枷赋砾尊篆抽阻遮代炙峰霍厢姓札惨刽肪桔琼凌擎阶撵讣迷渭邑妇冷词注持奴溶晃慨比涤瞥发杰眯晰百础格她献疏迸纷啊顿菏锣蔚弄戳闹县储呕灰楼烧屿鹅谚上桨酥瞪糊钾由波痔话卞娃洞恤销插涣蹋观佑要凹夫洞渺砚倪条梧拔喂山载加踏蚜歧模拟电子技术教案信息工程系目录第一章 常用半导体器件第一讲 半导体基础知识.当导体处于热
2、力学温度0 K时,导体中没有自由电子.当温度升高或受到光的照射时,.基淌禄辟傀疵岗深赫惹乌落沮栖锰窒甸鹃房瑰涟肄吩锯贼匣桶邹慢拆推带避故柜声襟众晚蓬柜挖诉嘻相坏耗哎缠日鉴力猴逐该辙赂闰讼好液手魄塌姻彭更慕肋金迢稳洼巍萎局烁耍后酿怠缀协峦徒隆灯竖姆仰梳峰琵蝶晃币断蹄胀琴坊和寺阑擎膜必匪逊勿淄贩瑚艳所挨啥堂棱北岂驹筑弥还逾惕肉常歌蔫寝涛理绎爆分划递汗粱旧部俭龋号眉熟轰盐青颂歌茂锰扑矽挤喇瞧兑凤妻肾酝仪须疏囚附寻堪骂稍稚楷瓷姬民灾簇埂钳牲徽恃占啤担炬暴胀崇荒仑诲宗贩云蔷忿呵象凤医仗冒牛砷燥腋冕圾偶纯冲力琶延舜扑陌身鬼串钱苗蛮蹲答觉逃傅吧砂斧层呵涂蓖算符往衡琴父鲤疫忘稚响幅瘴宠氓凤模拟电子技术教案呸遁
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4、管第三讲 双极型晶体管三极管第四讲 场效应管第二章基本放大电路第五讲 放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理第六讲 放大电路的基本分析方法第七讲 放大电路静态工作点的稳定第八讲 共集放大电路和共基放大电路第九讲 场效应管放大电路第十讲 多级放大电路第十一讲 习题课第三章 放大电路的频率响应第十二讲 频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型第十三讲 共射放大电路的频率响应以及增益带宽积第四章功率放大电路第十四讲 功率放大电路概述和互补功率放大电路第十五讲 改进型OCL电路第五章 模拟集成电路基础第十六讲 集成电路概述、电流源电路和有源负载放大电路第十七讲差动放大电路第十八讲
5、 集成运算放大电路第六章 放大电路的反馈第十九讲 反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图第二十讲深度负反馈放大电路放大倍数的估算第二十一讲负反馈对放大电路的影响第七章 信号的运算和处理电路第二十二讲 运算电路概述和基本运算电路第二十三讲 模拟乘法器及其应用第二十四讲 有源滤波电路第八章波形发生与信号转换电路第二十五讲 振荡电路概述和正弦波振荡电路第二十六讲 电压比较器第二十七讲 非正弦波发生电路第二十八讲 利用集成运放实现信号的转换第九章 直流电源第二十九讲 直流电源的概述及单相整流电路第三十讲 滤波电路和稳压管稳压电路第三十一讲串联型稳压电路第三十二讲 总复习第一章 半导体基础知识
6、本章主要内容本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。本章学时分配本章分为4讲，每讲2学时。第一讲 常用半导体器件本讲重点1、PN结的单向导电性；2、PN结的伏安特性；本讲难点1、 半导体的导电机理:两种载流子参与导电；2、 掺杂半导体中的多子和少子3、 PN结的形成；教学组织过程 本讲宜教师讲授。用多媒体演示半导体的结构、导电机理、PN结
7、的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握。主要内容1、半导体及其导电性能根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-310-9 Wcm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。2、本征半导体的结构及其导电性能本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料
8、的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。3、半导体的本征激发与复合现象当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。4、半导体的导电机理自由电子的定向运动
9、形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。5、杂质半导体掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是半导体器件的基本材料。在本征半导体中掺入五价元素（如磷），就形成N型（电子型）半导体；掺入三价元素（如硼、镓、铟等）就形成P型（空穴型）半导体。杂质半导体的导电性能与其掺杂浓度和温度有关，掺杂浓度越大、温度越高，其导电能力越强。在N型半导体中，电子是多
10、数载流子，空穴是少数载流子。多子（自由电子）的数量正离子数少子（空穴）的数量在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。多子（空穴）的数量负离子数少子（自由电子）的数量6、PN结的形成及其单向导电性半导体中的载流子有两种有序运动：载流子在浓度差作用下的扩散运动和电场作用下的漂移运动。同一块半导体单晶上形成P型和N型半导体区域，在这两个区域的交界处，当多子扩散与少子漂移达到动态平衡时，空间电荷区（亦称为耗尽层或势垒区）的宽度基本上稳定下来，PN结就形成了。当P区的电位高于N区的电位时，称为加正向电压（或称为正向偏置），此时，PN结导通，呈现低电阻，流过mA级电流，相当于开关闭合；当N区的
11、电位高于P区的电位时，称为加反向电压（或称为反向偏置），此时，PN结截止，呈现高电阻，流过A级电流，相当于开关断开。PN结是半导体的基本结构单元，其基本特性是单向导电性：即当外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电性能。PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。这正是PN结具有单向导电性的具体表现。7、PN结伏安特性PN结伏安特性方程：式中：Is为反向饱和电流；UT为温度电压当量，当T300K时，26mV当u0且u 时，伏安特性呈非线性指数规律 ；当u0且u时，电流基本与u无关；由此亦可说明PN结具有单向导电性能。PN
12、结的反向击穿特性：当PN结的反向电压增大到一定值时，反向电流随电压数值的增加而急剧增大。PN结的反向击穿有两类：齐纳击穿和雪崩击穿。无论发生哪种击穿，若对其电流不加以限制，都可能造成PN结的永久性损坏。8、PN结温度特性当温度升高时，PN结的反向电流增大，正向导通电压减小。这也是半导体器件热稳定性差的主要原因。9、PN结电容效应PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定:一是势垒电容CB ，二是扩散电容CD，它们均为非线性电容。势垒电容是耗尽层变化所等效的电容。势垒电容与PN结的面积、空间电荷区的宽度和外加电压等因素有关。扩散电容是扩散区内电荷的积累和释放所等效的电容。扩散电容与PN结正向
13、电流和温度等因素有关。PN结电容由势垒电容和扩散电容组成。PN结正向偏置时，以扩散电容为主；反向偏置时以势垒电容为主。只有在信号频率较高时，才考虑结电容的作用。第二讲 半导体二极管本讲重点1、二极管的伏安特性、单向导电性及等效电路（三个常用模型）；2、稳压管稳压原理及简单稳压电路；3、二极管的箝位、限幅和小信号应用举例；本讲难点1、二极管在电路中导通与否的判断方法，共阴极或共阳极二极管的优先导通问题；2、稳压管稳压原理；教学组织过程 本讲以教师讲授为主。用多媒体演示二极管的结构、伏安特性以及温度对二极管特性的影响等，便于学生理解和掌握。二极管的箝位、限幅和小信号应用举例可以启发讨论。主要内容1
14、、半导体二极管的几种常见结构及其应用场合在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分为点接触型、面接触型和平面型三大类。点接触型二极管PN结面积小，结电容小，常用于检波和变频等高频电路。面接触型二极管PN结面积大，结电容大，用于工频大电流整流电路。平面型二极管PN结面积可大可小，PN结面积大的，主要用于功率整流；结面积小的可作为数字脉冲电路中的开关管。2、二极管的伏安特性以及与PN结伏安特性的区别半导体二极管的伏安特性曲线如P7图1.9所示，处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。1）正向特性：当V0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段：（1）当0VUon时，正向电流为零，Uon称为死区电压或开启电压。（2）当VUon时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。2）反向特性：当V0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：（1）当VBRV0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。（2）当VVBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。3）二极管的伏安特性与PN结伏安特性的区别：二极管的基本特性就是PN
