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1、IRF3205S/L国际整流器IRHEXFET Power MOSFET先进的加工技术 极低的导通聊抗 动态的dv/dt等级*175* C运行温度充分的丐呦等级Thermal ResistanceVdss= 55VRDS(on)= 8.0mQId= 110ATO-262 D2PakIRF3205SIRF3205L描述来门国际紈流器公词先进的HEXFET R功率金屈氣化物半导体场效应晶休你 利用先进的处理技术达到毎个硅片极低的导通阳抗.这样右益结合高速的开关和可靠使MOSFETS大吊地实用设备匕.使设计师能够非常高效.町靠的应用在 各个方面.D2Pak表面封装的适介丁小功率大而积小HEX4 它能
2、够捉供虽大的功率输出和最可能小的导通阳抗存现仃的贴片対装 卜。D2Pak适合与大电流应用场合.是因为它仃低的内部连接阳抗和具仃2W的散热能力，是典別的贴片封装应用最大额定参数參数最大值单位IdTc = 25C持续漏极电流，Vgs10V110AIdTc=100cC持续漏极电流,Vgs10V80AIdm脉冲漏极电流，390APd Tc = 25C功率消散200W线性额定降低因数1.3W/CCVgs门极电压20VI AR雪崩电流62AEar20mJdv/dt二极竹恢父妗值电压变化率5.0V/nSTj Tstg工作节点温度和保存温度-55 to+175C焊接温度，在10秒内300 (假设为 1.6mm
3、)C封装扭矩10lbHn(1.1N-m)热阻特性參效典型值最大值单位Rex节点到外壳0.75c/wRgja接点到环境（PCB安装，稳定状态）40电气特征Tj=25C （除非有其他详细说明）Mk最小典型垠大单位测试条件V(BR)DSS55VVos = 0V, Id = 250pAAV(BRXSS/1TJ击穿电乐的温度系数0.057v/c参考为 25CJd=25mARDS(on)静态漏源导通电阴8mQVds = Vgs, Id = 250pAVosah)门极开启电压2.04.0VVDS = 25V, ID = 62Agfs询向跨导44SVDS = 25V, ID = 62Aloss漏源漏电流100
4、uAVds=25V, Vgs 二 0V,Tj= 50*C-100Vds=-20VQg总体门极电荷146nCId=62A Vds二44VVos=10V,See Fig.6 and 13Qgs门源电荷35Qgd门漏电荷54td(on)打开延时14nsVdd二28VId=62ARg=4.5QVw=10V,See Fig. 6and 13tr上升时间101td(off)关断延时50tf下降时间65Ld内部漏极fl感4.5nHBetween lead,丄6mm(0.25in)From packageAnd center of die con tactLs内部源极自憊7.5Ciss输入电容量3247pFV
5、GS=0VVDS=25Vf=1.0MH乙See Fig.5Cdss输出电容盘781Crss反向恢复时间211Eas反向恢复电荷1050(6264mJIas=62AiL=138uH漏源极限和特征最小典型最大单位测试条件Is持续源极电流（Il身二极 管）110AMOSFET symbol showing the integral reverse p-n junction 屆 diode.sIsm脉冲源极电流（Il身二极 管）390VsD二极骨询向压降1.3VTj=25-CIs=62AiVGs=0V 4tn反向恢复时间69104nsTj=25C,If=62A di/dt=100A/us4Qrr反向恢
6、复电荷143215ncUn前向恢复时间内在打开时间是可以忽略的（打开受控于Ls+LG注意: 反复级别：脉宽小最大值。结点温度为。（4 IS.11）. 开始时 Tj=25r, L=138uH Rg=25 Q, Ias=62A.（看图 脉宽 400us;duty cycle W2%. 适勺的连续电流取决丁允许结点温度包装极限温度为75A.12). lso62A,di/dt207A/us,VDD(BR)Dss,Tjr 裱装在 1平方PCB (FR-4 or G-1-Material ).被推荐的时装和焊接技术涉及应用技术笔记#AN-994 任器件毁坏和表现出运行外出点的操作极限的典熨值.Q）这个适当
7、的极限值为Tj=175，C.001C()luCDtn。Donos-o*ru 一 eCJ001VGSTOP 15V1DVe.ov7.0Ve.av5JV5.QVBOTTOM4.5VI M1111 丄ftttlco o0010()luon Qonos6Tuoq Q -20us PULSE WIDTHTj = 25C0.1 1 10 100Vnq, Drain-to-Source Voltage (V)国1典型输出特性V1187G554 =3一 =SSHF20us PULSE Tj=175X54WIDTH101 1 10 100Vnc . Drain-to-Source Voltage (V)0000
8、10o 1() -ul)noO)ojnos6*ru&oaouss-SWH coDonos,oTu_eo巧.o(pezuelwoN)VDS = 25V20ms PULSE WIDTH(USSCJE0.56 8 10 12Vqs ? Gate-to-Source Voltage (V)0.0-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120140160 150Tj . Junction Temperature(c C)图3典型传输特性图4规格化的阻抗Vs温度图5典型电容Vs漏源电压图6典型门极电荷Vs门源电压VgD .Source-toDrain Voltage (V)vDS, D
9、rain-to-Source voltage (V)图7典型漏源二极管前向电用图8瑕犬安全I作区域2C(图12c最人的雪崩能屋Vs漏极电流图13a基本门极电荷波形D.U.TY+T- VDD极管峰值dv/dt恢复测试电路Circuit Layout Cons derations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage Inductance Current Transformer dv/dt controlled by RG Driver same type as D.U.T. lSD controlled by Duty Factor MDHD
10、.U.T. - Device Under Test图 14 N沟道 HEXFETSD2Pak包装轮廓j 11.43 (.450)厂NOTES:1 DIMENSIONS AFTER SOLDER D P.2 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSIY14 5M 10823 CCNTROLL NG DIMENSION : INCH.4 HEATSINK & LEAD DIMENSIONS DO NOT INCLUDE BUR RS.LEAD ASS：GNMENTS1 GATE2- DRAIN3- SOURCEJ 17.78 .7C0)3.81 (.150)C1O0)一2X8 8& (.350)2 08 .082)2XIID2Pak器件记号信息INTERNATIONAL RECTIFIER LOGOASSEMBLYLOT CODEF530SIR92469B 1MTTPART NUMBERDATE CODE(YY WW)YY 二 YEARIWW = WEEKITO-262包装轮廓10.54 1.415) 亠 10.29 (.405)1.15 (.04514.09 | .S55l13.471.5304 0 1603-55【10.54(,415)9.91 .304 .69 JS54.20 (.1662.S4 t，100J2
