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1、注册电气工程师（供配电专业）分类模拟题5单项选择题丄、一个高压同轴圆柱电缆，外导体的内半径为b,内导体的半径为其值可以自由选定。若b固定, 要使半径为3的内导体表面上电场强度最小，b与3的比值应该是oAe B2 C3 D. 42、一高压同轴圆柱电缆，内导体的半径为a,外导体的内半径为b,其值可以自由选定。若a固定, 要使内导体表面上电场强度最小，A与b的比值应该是。1B.C.D.3、无限大真空中一半径为a的球，内部均匀分布有体电荷，电荷总量为q。在ra的球外，任一点, 处电场强度的大小E为V/moqa.加张qB4兀D.4、在无限大真空中，有一半径为a的导体球，离球心d （da）处有一点电荷q。
2、该导体球的电位（p为B.5、在真空中，相距为已的两无限大均匀带电平板，面电荷密度分别为+。和-6该两带电平板间的电 位U应为oA.oaB.C.(、(TdaD.6、在真空中，电荷体密度为Q的电荷均匀分布在半径为3的整个球体积中，球内的介屯常数为0,则 在球体中心处的电场强度E为oPB. 0pac.瑪3nD. 7、在真空中，一导体平面中的某点处电场强度为E=0.70ey-0.35ey-l. 00ez (V/m),设该点的场强与导体表面外法线相量一致，此点的电荷面密度为oA-0.65xl0_12C/m2 B. 0.65xlO_12C/m2C. -11.24xlO_12C/m2 D. 11.24x 1
3、0_12C/m28、两半径为a和b(a 一无损耗同轴电缆，其内导体半径为a,外导体的内半径为b,内外导体间介质的磁导率为p,介 电常数为亥同轴电缆单位长度的外电感L。应为o2兀/2he2 7i a22、无限长无损耗传输线上任意处的电压在相位上超前电流的角度为A. 90 B. -90 C. 0 D.某一固定角度23、电阻为300G的信号源通过特性阻抗为300Q的传输线向75Q的电阻性负载供电，为达到匹配的目 的，在传输线与负载间插入一段长度为入/4的无损传输线，该线的特性阻抗应为Q。A. 187.5 B. 150 C 600 D 7524、电阻为300G的信号源通过特性阻抗为36G的传输线向25
4、G的电阻性负载供电，为达到兀配的目的，在传输线与负载间插入一段长度为入/4的无损传输线，该线的特性阻抗应为QoA 30 B 150 C. 20 D 7025、终端短路的无损耗传输线长度为波长的倍数为时，其入端阻抗的绝对值不等于特性阻抗。A 1/8 B 3/8 C 1/2 D 5/826、内阻抗为250G的信号源通过特性阻抗为75Q的传输线向300Q的电阻性负载供电，为达到匹配的目的，在传输线与负载间插入一段长度为入/4的无损传输线，该线的特性阻抗应为A. 150 B. 375 C 250 D 187.527、终端开路的无损耗传输线长度为波长的倍数为时，其入端阻抗的绝对值不等于特性阻抗。A. 1
5、1/8 B. 1/2 C. 7/8 D 5/828、一特性阻抗为Z0=50Q无损耗传输线经由另一长度l=0.105A（X为波长），特性阻抗为Z2的无损耗传输线达到与ZL=40 + jl0Q的负载匹配，应取Z2为Q。A. 38 75 B. 77.5 C- 56 D. 6629、在如下图所示屯路中，已知Ui=lV,硅稳压管VDz的稳定电压为6V,正向导通压降为0.6V,运 放为理想运放，则输出电压5为下列何值oVo30、下图所示电路中，设VS】的稳定电压为7V, VDz2的稳定电压为丄3V,则电压Uab等于20V十VDzi 奁 平1 VD72口心A. 0.7 B. 7C. 13 D- 2031、如
6、下图所示电路，当U2为正弦波吋，图中理想二极管在一个周期内导通的电角度为O-tl IVD 斗 A. VDIe今/0 I ;VD3 i v 1)2 叽 丨肛A. 0B. 90C. 180 D- 12032、在下图所示屯路中，设二极管正向导通吋的电压降为0.7V,则电压6为Vo3kO2.7kf255VA. 0-7B. 0 3C. -5-7D. -11433、设下图所示电路中的二极管性能理想，则电压企为VoVDl-KhVD2A. -515 VB. -15RD. 25C. 10Vo34、下图所示电路中，设二极管为理想元件，当Ui=1.50V时，m为VDl2(KJk2-CZFV VI )2A25B. 7
7、5 C 100 D 15035、N型半导体和P型半导体所呈现的电性分别为A正电，负屯 B.负电，正电C.负电，负电 D.中性，中性答案：单项选择题A代入圆柱形电场强度计算式解析此题屈于圆柱形电场强度的计算问题。现已知古I定，因此将di7=0 = x111- Q丿d ffln j-L_ =0 dzi1V ln-a./ 111-X. a ；.bhn In = I n * =aaA In 1 = 0 = In 1 = 0 ZY L aa2、A解析4、A解析5 B经求得b与a的比值为e,故此题a与b的比值就应该是导体球处于点电荷q的静电场中，自身是一个等电位体。解析两带电平板间为匀强电场，其场强大小为
8、E 耳,故两带电平板间的电位差为U = Ea = 仇。6、B解析当rVR时,厂 q4n(73-巫产电荷肿诃代入上式，得到E工ME= 24兀即？；当qr时，色J勺厂二 =牛耳)Z 仏肿 3q,在球体中心处即“故如c +时如小時m母同=70 +035, +l2V/tn = L27V/m 、佔由卄解析由题口J知电场强度的模I I，该点的电荷面密度p=e0E=8.854x10-12x1,27C/m2=ll .24xlO-12C/m2o8、C解析此题考球形导体的电场强度。现已知同心圆内外球面施加电压5，则同心圆球内(arb)电场对称，其场强为,则Uq = r dr=f-rerdr =-x- =- 一丄n 厶=qJa4兀盯4he r b 4ne a b J 4tu厂/、ql ab,.E(尸)= ：=5 Xer (a r b) 。所以仏b-a r现在已知b固定，U。也不变，问a=?时E(r)最小，将r=m代入上式，并令 ab-a)duUab 1 b-a ada=0帯。cr(b-a)1X(b_丄2时，E (a)取最小值，即半径为m的球面上电场强度最小。故当b9、B解析设电荷q和导体平而法线所在的平面为xz平而，如下图所示。先作电荷q对导体平面xz平而Q (R / lx + 广)q的镜像电荷-q(-x, 0
