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1、CPU与主板的搭配（知识）简单的说你有两种选择，CPUlW两种，一个是Intel（主要有赛扬、奔腾、酷睿），一个是AMD勺（闪龙、速龙还有别的什么龙），他们所使用的主板一定不同，两种CPIM应的主板不能相互通用，即使是同一品牌的同一系列的CPU还要注点其针唧数是否一样。英特尔（intel）CPU搭配的主板有什么特点？英特尔的CPU主板的芯片组有Intel系列的，VIA（威盛）SIS系列等等。这里说的芯片组指的是主板上的核心芯片，而主板的品牌就多地说不过来了，购买的时候要分清是哪一家公司采用的哪一种芯片组出厂的主板。比如“华硕公司的i865pe主板”点思就是说华硕公司采用Intel865pe芯片
2、组作的主板。虽说芯片组都是一样的，可是OE讼司的不同对主板性能的影响实在很大。主板和CPg大的匹配原则就是是否相互支持（当然是在可以安装上的前提下），这里面包括儿个内容，举例说：1、前端总线带宽（FSB，如果CPU的FSB是800M,主板的FSB只有533M,那么CPU的性能就被限制了，如果反过来，则给CP研级留了空间。2、主板是否支持双核心，如果CP此双内核的，而主板不支持双内核，CP顷乂浪费了不少。3、主板是否支持双信道内存。更多关于双信道的知识请参见：双信道详解4、主板是否支持DDR2J存。等等，好多的。大概知道这些也就差不多了。（双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片
3、组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在儿年询，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRA切存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。山于英特尔已经放弃了对RDRA为支持，所以LI前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DD物存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔865/875系列，而AM防面则是NV
4、IDIANforce2系歹L双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU勺FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔Pentium4比AMDAthlonXP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔Pentium4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（QuadDataRate,四次数据传输）技术，其FSB是外频的4倍。英特尔Pentium4的FSB分别是400/333/800MHZ,总线带宽分别是3.2GB/sec,4.2GB/sec和6.4GB/sec,而DDR266/DDR333/DDR400所能提供的内存带宽分别是2.lGB/sec,2.7GB/sec和3.2G
5、B/sec。在单通道内存模式下，DDF存无法提供cpu需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道DDR266/DDR333/DDR400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec,4GB/sec和6.4GB/sec,在这里可以看到，双通道DDR400内存刚好可以满足800MHzFSBPentium4处理器的带宽需求。而对AMDAthlonXP平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（DoubleDataRate,双倍数据传输）技术，FSB是外频的2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔Pentium4平台，其FSB分别为266/333/400MHZ,总线带宽分
6、别是2.lGB/sec,2.7GB/sec和3.2GB/sec,使用单通道的DDR266/DDR333/DDR400就能满足其带宽需求，所以在AMDK7平台上使用双通道DDR存技术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。NVIDIA推出的nForce芯片组是笫一个把DD明存接口扩展为128-bit的芯片组，随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DD呐存技术，SiS和VIA也纷纷响应，积极研发这项可使DD物存带宽成倍增长的技术。但是，山于种种原因，要实现这种双通道DDR（128bit的并行内存接口）传输对于众
7、多芯片组厂商来说绝非易事。DDRSDRAM存和RDRA陋存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计一款支持双通道rdraiMj存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDRSDRAM存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当DDRSDRAMJ作频率高于400MH力寸，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道DD呐存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式
8、下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%双通道DDR勺两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容
9、量、速度的DIMM内存条,此时双通道DDF单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMMft存条可以可靠地共同运作。支持双通道DD物存技术的台式机芯片组，英特尔平台方面有英特尔的865P/865G/865GV/865PE/875P以及之后的915/925系列；VIA的PT880,ATI的Radeon9100IGP系列，SIS的SIIS655,SIS655FX和SIS655TX:AMD平台方面则有VIA的KT880,NVIDIA的nForce2Ultra400,nForce2IGP,nForce2SPP及其以后的芯片。）DDR凌明与发展:DDR2/DDRI（
10、DoubleDataRate2）SDRA馄由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进彳亍开发的新生代内存技术标准，它与上一代DD明存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DD砧存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR物存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外，由于DDR券准规定所有DDR物存均采用FBGA寸装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA寸装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR物存的稳定工作与木来频率的发
11、展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR20脸过DDR266DDR33到今天的双通道DDR40破术，第一代DDR勺发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR物存将是大势所趋。DDR为DDR勺区另U：1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，ddr2勺实际工作频率是ddR勺两倍。这得益于DDR物存拥有两倍于标准DD物存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，HD
12、DR那有两倍于DDR勺预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MH邪J工作频率下，DDR勺实际频率为200MHz,而DDR狈可以达到400MHz这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DD削DDR物存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR400具有相同的带宽，它们都是3.2GB./S,彳旦是DDR400勺核心作频率是200MHz而DDR2-400的核心工作频率是100MHz也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR4002、封装和发热量:DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们
13、所认为的两倍于DDR勺传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR河以获得更快的频率提升，突破标准DDR勺4OOMHZ制。DD呐存通常采用TSOF片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR勺核心频率很难突破275MHZ勺原因。而DDR物存均采用FBGA寸装形式。不同于LI前广泛应用的TSOF寸装形式，FBG制装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR物存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDF准的2.5V,降低了不少，从
14、而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。DDR深用的新技术：除了以上所说的区别外，DDR；引入了三项新的技术，它们是OCDODlfRPostCASoOCD(Off-ChipDriver):也就是所谓的离线驱动调整，DDRII通过OC何以提高信号的完整性。DDRII通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCCM过减少DQ-DQ辨勺倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。ODTOD谣内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDRSDRAI主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。
15、实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR河以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR菸但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是ddfF能比拟的。PostCAS:它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。在PostCAS操作中，CAS言号(读写/命令)能够被插到RAS言号后面的一个时钟周期，CAS令可以在附加延迟(AdditiveLatency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS延迟)被AL(AdditiveLatency)所取代，AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。曲于CASf言号放在了raS言号后面一个时钟周期，因此ACTncaS言号永远也不会产生碰撞冲突。
