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1、常见存储器辨析有关各种存储器速度性能的资料大收集，RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、FRAM最后而重点搜集r NOR FLASH存储涔的资料。常见存储器概念辨析：RAM、SRAM. SDRAM、ROM、EPROM.常见存储器概念辨析：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM. EEPROY、Flash存储器可以分为很多种类，其中 根据掉电数据是否丢失可以分为RAM （随机存取存储器）和ROM （只读存储器），其中RAM的访问速度比较 快，但掉电后数据会丢失，而RON掉电后数据不会丢失。ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，R
2、AM是Random Access Memory的缩 写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM 就是计算机的内存。RAM又可分为SRAM （Static RAM，静态存储器）和DRAM （Dynamic RAM，动态存储器）。SRAM是利用双稳态 触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。DRAM是利用MOS （金属氧化物半导体）电容存储 电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRAM的成木、集成度、功耗等明显 优于SRAM。SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻 的
3、地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲, DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM漫，不过它还 是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。而通常人们所说的SDRAM是DRAM的一种，它是同步动态存储器，利用一个单一的系统时钟同步所有的地 址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设ih提供高速的数据传输。在嵌入式系 统中经常使用。ROM也有很多种，PROX是可编程的ROM，PROX和EPROM （可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性 的，也就是软件灌入后，就无法修改心这种是早期的产品，现在已经不可能使用了
4、,而EPROY是通过紫 外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时 间很长，写入很慢。Flash也是一种非易失性存储器（掉电不会丢失），它擦写方便，访问速度快，已大大取代/传统的EPROM 的地位。由于它具有和ROM一样掉电不会丢失的特性，因此很多人称其为Flash ROM。FLASH存储器又称闪 存，它结合/ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROY）的性能，还不会断电丢失数据同 时可以快速读取数据（3RAM的优势），I；盘和MP3里用的就是这种存储器c在过去的20年里，嵌入式系 统一直使用ROM （EPROM）作为它
5、们的存储设备.然而近年来Flash全面代替f ROM （EPROM）在嵌入式系统 中的地位，用作存储bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。目前Flash主要有两种XOR Flash NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样， 用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容型从而节约J成本: NAXD Flash 没有采取内存的演机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进行的，通常是一次读取512个字节， 采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行AND Flash上的代码，因此好
6、多使用XAND Flash的 开发板除了使用NAXD Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NANDFLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC （Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH主要来自Intel. AMD, Fujitsu和Toshiba,而生产XANDFlash的主耍，家有 Samsung 和 Toshiba0转自：http：/ www. cnblogs. com/zhspy/archive/
7、2010/06/06/1752887. htmlFLASH存储器和EEPROM存储器的区别1、首先从10引脚占用方面比较，EEPROM只需占用两个10引脚，时钟（elk）和数据（data）引脚, 外加电源三个引脚即可,符合12c通讯协议。而FLASH需要占用更多10引脚.有并行和串行的,串行的需 要一个片选（cs）引脚（可用作节电功耗控制），一个时钟（elk）引脚，FLASH读出和写入引脚各一个， 也就是四个。并行的需要8个数据引脚，当然比串行的读写速度要快。2、从功能方面比较，EEPROM可以单字节读写，FLASH部分芯片只能以块方式擦除（整片擦除），部分芯片 可以单字节写入（编程），一般需
8、要采用块写入方式：FLASH比EEPROM读写速度更快，可靠性更高。但比的片机片内RAM的读写还要慢。3、价格方面比较,FLASH应该要比EEPROF贵。另供参考：EEPROM, EPROM, FLASH 都是基于一种浮栅管单元（Floating gate transister）的结构。EPROM 的浮栅 处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激H；, EEPROM的单元是由FLOTOX（Floatinggate tuneling oxide transister）及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以 可以小元读/写。技术上，FLASH是
9、结合EPROM和EEPROX技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方 式来编程，擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling,但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块 或整块的擦除，这就降低了设计的豆杂性，它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister,所以可以做 到高集成度，大容域，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。其实对于用户来说，EEPROM和FLASH的最主要的区别就是1。EEPROM可以按“位”擦写，而FLASH只能一大片一大片的擦。23 EEPROM 一般容量都不大，如果大的话，EEPROV相对与FLASH就没有价格上的优势广
10、。市面上卖 的stand alone的EERPOM 一般都是在&1KBIT以下，而FLASH 一般都是8MEG BIT以上（NOR型）。3,读的速度的话，应该不是两者的差别，只是EERPOM一般用于低端产品，读的速度不需要那么快. 真要做的话，其实也是可以做的和FLASH差不多。4。因为EEPROM的存储的元是两个管子而FLASH是一个（SST的除外，类似于两管），所以CYCLING 的话，EEPROM比FLASH要好一些，到1000K次也没有问题的。总的来说，对与用户来说，EEPROM和FLASH没有大的区别，只是EEPROM是低端产品，容量低，价格 便宜，但是稳定性较FLASH要好一些。但
11、对于EEPROM和FLASH的设计来说,FLASH则要难的多,不论是从工艺上的还是从外围电路设计上 来说。Flash memory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产 品。它的最大特点是必须按块（Block）擦除（每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格），而 EEPROM则可以一次只擦除一个字节（Byte）。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上，用来保存BIOS程序, 便于进行程序的升级,其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电 低的优点，但是将其用来取代RAM就显得不合适，因为RAM需要能够按字节改写，而Fl
12、ash ROM做不到。ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory 的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的 RAM就是计算机的内存。RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM）, SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储 设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，柠如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种 称为动态RAM （Dynamic RAMDRAM）, DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是
13、比任何的 ROM都要快,但从价格上来说DRA兄相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAN1的，DRAM 分为很多种.常见的主要有 FPRAW FastPage、EDORAM. SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAX。DDR RAM （Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM 和SDRAM是基木一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍九 这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成木优势，事实上击败Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM.在很多高端的
14、显卡上，也配备高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染 能力。ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROV（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROY是一 次性的，也就是软件灌入后，就无法修改九 这种是早期的产品，现在已经不可能使用广，而EPROM是通 过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写 入时间很长，写入很慢。举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中 的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话
15、）要做，如果写入， 漫长的等待是让用户忍无可忍的。FLASH存储器又称闪存，它结合f ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）的性能, 还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAN1的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去 的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替 ROM（EPROW在朕入式系统中的地位，用作存储Boot loader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用 （U 盘）。目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flasho NOR Flash的读取和我们常见的SDRA
16、M的读取是5 / 131 / 13一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约门或本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进行的，通常是一次读取512 个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash 的开发板除使用NAND Flah以外，还作上/一块小的NOR Flash来运行启动代码。一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用 NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC (Disk On Chip)和我们通常用的闪盘”， 可以在线擦除。目前市面上的FLASH主要来自Intel, AMD, Fujitsu和Toshiba,而生产XAND Fla
