单击此处编辑母版标题样式,,单击此处编辑母版文本样式,,第二级,,第三级,,第四级,,第五级,,,,*,,,单击此处编辑母版标题样式,,单击此处编辑母版文本样式,,第二级,,第三级,,第四级,,第五级,,,,*,一维纳米材料,1,,一维纳米材料,,概念：,,指在径向上尺寸在,1 nm~100 nm,这个范围内，长度方向上的尺寸远高于径向尺寸，长径比可以从十几到上千上万，空心或者实心的一类材料2,,一维纳米单元分类,一维纳米材料可以根据其空心或实心，以及形貌不同，分为：,,纳米管,,纳米棒或纳米线,,纳米带以及纳米同轴电缆等纳米管的典型代表就是纳米碳管，它可以看作由单层或者多层石墨面按照一定的规则卷绕而成的无缝管状结构其它的还有,Si,、,Se,、,Te,、,Bi,、,BN,、,BCN,、,WS,2,、,MoS,2,、,TiO,2,纳米管等等3,,一维纳米单元分类,纳米棒一般是指长度较短、纵向形态较直的一维圆柱状,(,或其横截面呈多角状,),实心纳米材料；,,,纳米线是指长度较长，形貌表现为直的或弯曲的一维实心纳米材料纳米带与以上,2,种纳米结构存在较大的差别，其截面不同于纳米管或纳米线的接近圆形，而是呈现四边形，其宽厚比分布范围一般为几到十几。
纳米带的典型代表为氧化物，如,Ga,2,O,3,、,ZnO,、,SnO,2,等纳米同轴电缆是指径向在纳米尺度的核／壳准一维结构，其代表产物有,C,／,BN,／,C,、,Si,／,SiOx,、,SiC,／,SiO,2,等4,,4.1,碳纳米管,(carbon nanotube),,,1991,年,4,月，日本筑波的,NEC,公司,饭岛澄男,(Iijima),等首次用高分辨透射电镜观察到了,多壁碳纳米管,(Mult-Walled Carbon Nanotube),这些碳纳米管是多层同轴管，也叫巴基管,(Bucky tube),1993,年又发现,单壁碳纳米管,(Single-Walled Carbon Nanotube),与,MWNTs,相比，,SWNTS,是由,单层圆柱型石墨层,构成，其直径大小的分布范围小，缺陷少，具有更高的均匀一致性5,,1970,年，,法国奥林大学,Endo,用气相生长技术制成了直径为,7nm,的碳纤维，但未进行细致的表征几乎同时，,莫斯科化学物理研究所,的研究人员也独立地发现了碳纳米管和纳米管束，但是这些碳纳米管的纵横比很小,1996,年，美国著名的诺贝尔奖金获得者,斯莫利,(Smalley),等合成了成行排列的单壁碳纳米管束,(bundle),，每一束中含有许多碳纳米管，这些碳纳米管的直径分布很窄。
我国中国科学院物理研究所,解思深,等人实现了碳纳米管的定向生长，并成功合成了超长,(,毫米级,),纳米碳管6,,一、合成碳纳米管的方法,,Methods for Preparation of SWNTs,,•,电弧放电法,Arc-Charge Method (Iijima),,•,激光烧蚀法,Laser Ablation Method (Smalley),,•,化学气相沉积法,Chemical Vapor Deposition,,Method,解思深,7,,电弧法,,,该方法是在真空反应室中充以一定压力的惰性气体，采用,面积较大的石墨棒,（直径为,20mm,） 作,阴极,，,面积较小的石墨棒,（直径为,10mm,）为,阳极,，如图在电弧放电过程中，两石墨电极间总是,保持,1mm,的间隙,，阳极石墨棒不断被消耗，在阴极沉积出含有,NTS,、,Fullerenes,、石墨微粒、无定形碳和其他形式的碳微粒，同时在电极室的壁上沉积有由,Fullerenes,、无定形碳等碳微粒组成的烟灰（,Soot,）8,,电弧法,Carbon Arc or Arc Discharge,9,,Arc Method,10,,其关键工艺参数有：,,电弧电流及电压、惰性气体种类及压力、电极的冷却速度等。
电弧电流一般为,70—200A,、放电电压,20—40V,不等若,电弧电流低,，有利于,NTS,生成，但电弧不稳定；若,电弧电流高,，,NTS,与碳的其他纳米微粒融合在一起，且无定形碳、石墨等杂质增多，给其后的纯化处理带来困难惰性气体一般用氦气、氮气，其最佳压力为,66661Pa,，,,如低于,13332Pa,，则几乎无,NTs,生成，即高气压低电流有利于生成纳米碳管（,NTS,）11,,电弧法制备的一般都是,MWNTS,，且尺寸小,(,长度＜,1um),，更重要的是阴极沉积物沉积时的温度太高（电弧能产生高达,4000K,的高温），导致所制备的,MWNTS,的,缺陷多,，且与其他的,副产物,如无定形碳、纳米微粒等杂质烧结于一体，对随后的分离和提纯不利尽管石墨电弧法有些不足，但到目前为止它仍是制备,MWNTS,的主要方法，因为电弧过程能很方便地产生制备,NTS,所需要的高温12,,催化电弧法,,,,催化电弧法是在石墨电弧放电法的基础上发展起来的，,在,阳极,中以不同的方式掺杂不同的金属催化剂,（如,Fe,、,Co,、,Ni,、,Y,等），利用两极的弧光放电来制备纳米碳管，其实验装置与石墨电弧法的基本相同。
催化电弧法主要是用来制备,单壁纳米碳管,，也是目前比较流行的制备方法，很有希望用此法实现对单壁纳米碳管的连续化、大批量的生产13,,激光烧蚀法,,,1996,年，瑞斯大学,Tans,和,Smalley,等在,1200,度的炉中用激光蒸发碳靶，采用,Co-Ni,做催化剂获得了有序单壁碳纳米管束,(bundle),，每一束中含有许多碳纳米管由流动的,Ar,气载入水冷的,Cu,收集器14,,© American Scientist 1997,15,,Laser Method,16,,电弧法和激光蒸发法是目前获得高品质碳纳米管的主要方法但存在一些问题：,,,首先，需要,3000,o,C,以上的高温将固态的碳源蒸发成碳原子，限制了碳管的产量其次，蒸发方法生长的碳管形态高度纠缠，并与碳的其他存在形式及催化剂金属元素相互杂糅，需要进行提纯17,,CVD,法,,,在,20,世纪,70,年代初期，,Baker,等在采用金属（,Fe,、,Co,、,Ni,、,Cr,）作为催化剂热分解碳氢化合物以,制备碳纤维方面,做过系统研究，其研究结果对利用催化分解碳氢化合物制备,NTS,是一种很好的提示并具参考价值18,,制备,NTS,方法的典型装置,,在一平放的,管式炉,中放人作为反应器的石英管，将一,瓷舟,置于石英管中，瓷舟底部铺上一层薄薄的,采用浸渍法制备的负载在石墨粉或硅胶上的金属催化剂或纯金属粉末催化剂,。
反应混合气（含,2.5,％～,10,％乙炔的氮气）以一定速率通过催化床，温度为,773,～,1073K,，反应时间由催化剂用量、混合气流速和反应温度而定，从几十分钟到几个小时不等反应中所用的催化剂一般为,负载在硅胶或分子筛或石墨上的铁、钴、镍、铜、铬或它们的合金实验结果表明，用,铁和钴作催化剂,时制备的,NTs,含量高、质量好，尤其是钴更好19,,20,,CVD Method,21,,其他方法,,醇热法,600,o,C,钱逸泰,,,,,,,,,,,CH,3,CH,2,OH,+,Mg,,→ 2C+,MgO,+,3H,2,22,,模板法,,(b),23,,碳管生长机理,,,CVD,法,生长温度,常为,500-1000,℃,，生长过程中，,过渡金属,(Fe,、,Ni,、,Co,等,),催化剂颗粒,吸收和分解碳氢化合物的分子,，碳原子扩散到催化剂的内部后形成,金属,-,碳的固溶体,，随后，碳原子,从过饱和的催化剂颗粒中析出,，形成纳米管结构通常一根碳管,一端附有或包覆着催化剂颗粒，另一端为空心,24,,Growth mechanism,Visualisation of a possible carbon nanotube growth mechanism,,25,,26,,Acid Based Purification,Before Purification After Purification,27,,SEM,束状排列纳米碳管,28,,束状排列纳米碳管,TEM,29,,二、碳纳米管的结构,,高分辫透射电镜证明,：,,多壁碳纳米管,一般由几个到几十个单壁碳纳米管同轴构成,。
管间距为,0.34nm,左右，这相当于石墨的,[0002],面间距碳纳米管的直径为,零点几纳米至几十纳米，长度一般为几十纳米至微米级,每个单壁管侧面由,碳原子六边形,组成，两端由,碳原子的五边形封顶,根据管壁可以分为,单壁碳纳米管和多壁碳纳米管,30,,碳纳米管的结构,碳原子整,齐,排列，形成碳薄片，被,卷,成,圆管,形狀的薄片就是,纳,米碳管,碳薄片,納米碳管,捲起,31,,Schematic of a single-walled carbon nanotube (SWNT),Schematic of a multi-walled carbon nanotube (MWNT),32,,NATURE, 1993,NATURE, 1991,33,,STM Image,34,,单壁碳纳米管,,存在三种类型的结构：,,分别称为,单,臂,纳米管、锯齿形纳米管和手性形纳米管,如图所示这些类型的碳纳米管的形成取决于碳原子的,六角点阵二维石墨片,是如何,“,卷起来,”,形成圆筒形的35,,二维石墨片的卷曲,a,1,a,2,36,,手性矢量,C,h,= na,1,+ ma,2,,a,1,和,a,2,为单位矢量，,n,m,为整数，手性角,θ,为手性矢量与,a,1,之间的夹角。
通常用,(n,m),表征碳管结构,；也可用,直径,d,t,和螺旋角,θ,表示对于不同类型的碳纳米管具有不同的,m,n,值m=n, θ=30,o,,,单臂纳米管Armchair,,n,或,m=0, θ=0,o,,,锯齿形纳米管zigzag,,θ,处于,0,o,,与,30,o,之间，手性纳米管chiral,37,,a,富勒烯、,b,单臂纳米管、,c,锯齿形纳米管和,d,手性形纳米管,38,,碳管的研究存在的两个重要问题：,,,1,碳管的最小直径是多少？,,直径越小，弯曲度越大，,π,电子云形状变化越大，相反，直径越大，弯曲度越小，,π,电子云接近石墨的情形，性质接近石墨2,制备无法控制碳管的直径和手性产物是,不同直径与手性的混合物,，缺乏有效的分离方法39,,最细的碳纳米管,(0.4 nm),2000,年，香港科技大学的汤子康博士即宣布发现了世界上最细的纯碳纳米碳管,0.4nm,，这一结果已达到碳纳米管的理论极限值Sumio Iijima,40,,2003,年，德国,Crupke,利用电泳的方法从半导体纳米管中分离处金属性纳米管两种管具有不同的介电常数，在电场作用下，金属管吸引的电极上41,,,不同手性的单壁管具有不同的管径，也具有不同的电学性质。
物理上是不同的禁带宽度和费米能级，化学上是不同的价带和导带，分子轨道理论上是,HOMO,和,LUMO,，电化学上是氧化还原电势不同手性的化学电势不一样，和分子的反应活性也不一样，管径大禁带窄,的半导体单壁管反应活性比,小管径,带隙宽的要大，,金属型,最大，所以可以通过,控制反应动力学,来达到分离,不同手性纳米管,的效果42,,三、碳纳米管的性质和应用,,1.,电学性质,,碳纳米管的性质强烈依赖于直径和手性，直径越小，电子的状态与,sp,2,差别越大，表现的量子效应越明显,美国,C.T.White,教授计算得出,[n-m]=3q,（,q,为整数,),,碳管为金属性其他情况表现半导体性，并且禁带宽度正比于碳管直径的倒数单臂纳米管为,金属性,，锯齿形、手性碳管部分为,金属,，部分为,半导体性,随着半导体纳米管直径增加，带隙变小，在大直径情况下，带隙为零，呈现金属性质43,,44,,Smalley,等人利用,STM,测量出单个碳管的手性角，并测量出电流,-,电压曲线，测出带隙,Eg,，部分,Eg,为,0.5~0.6 eV,，与预计的半导体纳米管能隙（,0.5eV,）一致电流随电压呈梯形上升，电导高于,Cu,，在低温（,4.2K,）下电导随外加磁场的变化出现涨落现象。
如图,,金属性纳米碳管,---,集成电路连线,,半导体性纳米碳管,---,纳米电子开关和量子器件例如挤压碳管45,,随着偏压,V,的增加，电流呈台阶性增加46,,2.,碳纳米管具有与金刚石相同的热导和独特的力学性质,,,热导在,120 K,以下随温度成平方关系，,120 K,以上趋于线性常温热导大约,25W,／,K·cm,(,金刚石,20),，比热容在整个测量温区表现出良好的线性碳纳米管的强度比钢高,100,多倍，杨氏模量估计可高达,5 TPa,，,(,测量报道,1.28±0.59),这是目前可制备出的具有最高比强度的材料，而比重却只有钢的,1/6,，,延伸率为百分之几，具有好的可弯曲性,，单壁纳米碳管可承受扭转形变并可弯成小圆环，应力卸除后可完全恢复到原来状态；压力不会导致碳纳米管的断裂用作复合材料的增强剂,47,,碳纳米管的强度测量,48,,Mechanically Deformed Carbon Nanotubes,具有极好的可弯折性,0,30,45,60,90,49,,具有极好的可扭曲性,50,,,3.,纳米碳管在平面显示器的应用,,,直径细小的碳纳米管可以用来制作极细的,电子枪,，在室温及低于,80,伏的偏置电压下，即可获得,0.1,～,1,微安的发射电流。
开口碳纳米管比封闭碳纳米管,具有更好的场发射特性与目前的商用电子枪相比，碳纳米管电子枪具有,尺寸小、发射电压低、发射密度大、稳定性高、无需加热和无需高真空,等优点，有望在新一代冷阴极平面显示器中得到应用51,,Samsung,早在,1999,年已经展示了,4.5,寸彩色的,CNT-FED,，事过多年一直没有见到产品上市，,,,,据说是,CNT-FED,的稳定度问题,一直无法克服所致52,,原因：,,一个是虽然纳米碳管有非常好的场发射特性，但是,电流电场的关系图极为陡峭,，如图所示，,5%,的电场强度变化会造成,80%,以上的电流变化另一个是,纳米碳管场发射的稳定性的问题,，如图所示，这种场发射的电流随时间常有,20%,的大小变化，造成极大困扰53,,4.,原子力显微镜针尖,,,,优点：纳米级直径，高的长径比，高的机械柔软性，电子特性确定分辨率高，探测深度深，可进行狭缝和深层次探测54,,AFM Tips with CNT,55,,5.,化学传感器,,,由于碳纳米管暴露在,NO,2,,和,NH,3,,时，,电导发生明显的增加或减小,，奠定了在气体化学传感器应用的基础Kong. J,等人测定了,SWNT,在,NO,2,,和,NH,3,通过时，碳纳米管电导随电压的变化情况。
电导,NO,2,3,个数量级；电导,NH,3,2,个数量级,,,优点：具有响应速度快，灵敏度高（较常规高,1000,倍），重现性好，室温操作等56,,6.,碳纳米管储氢,,碳纳米管由于,其管道结构及多壁碳管之间的类石墨层空隙,，成为最有潜力的储氢材料，用于发展纳米管燃料电池美国国立可再生能源实验室采用程序控温脱附仪测量单壁纳米碳管的载氢量，从实验结果推测在,130K,、,4×10,4,Pa,条件下的载氢量为,5wt,％一,10wt,％，并认为,SWNT,是唯一可用于氢燃料电池汽车的储氢材料,这是世界上关于碳纳米管储氢的第一篇报道57,,H,2,原子和,C,纳米管,58,,Nanotube Covers,59,,4.2.,纳米棒、纳米带和纳米线,,,准一维纳米材料,是指在两维方向上为纳米尺度，长度比上述两维方向上的尺度大很多，甚至为宏观量的新型纳米材料纳米棒、纳米线、纳米带、同轴纳米电缆,,60,,纳米棒,：纵横比,(,长度与直径的比率,),小，截面为圆形一般小于,20,纳米线,：纵横比大，截面为圆形半导体和金属纳米线通常称为量子线纳米带：,其截面为长方形同轴纳米电缆：,,芯部为半导体或导体的纳米线，外包异质纳米壳体（半导体或导体），外部的壳体和芯部线是同轴的。
61,,62,,63,,64,,65,,66,,67,,68,,一维纳米材料的制备方法,热蒸发沉积、分子束外延、脉冲激光沉积、化学气相沉积 、溶胶,-,凝胶、水热合成、电化学沉积、电泳、模板合成等方法一维纳米材料制备主要是利用“由下而上”的方法，,,通过物理、化学的方法获得材料组成的原子（离子）或分子，在适当的制备条件下获得一维纳米结构，其制备的关键是在纳米材料生长过程中控制合适的条件，使材料只在一维方向上结晶生长69,,一维纳米材料的制备方法,一维纳米材料制备过程的状态将制备方法分为,,,1,）气相法；,,2,）液相法；,,3,）模板法70,,1,）气相法,,两种生长机理：,,气相,-,液相,-,固相（,VLS,）生长机理，,,气相,-,固相（,VS,）生长机理VLS,法是以液态金属团簇催化剂作为气相反应物的活性点，将所要制备的一维纳米材料的材料源加热形成蒸气，待蒸气扩散到液态金属团簇催化剂表面形成过饱和团簇后，在催化剂表面生长形成一维纳米结构71,,气相,-,液相,-,固相（,VLS,） 生长机理,72,,气相,-,液相,-,固相（,VLS,）法,2001,年，杨培东等利用,Au,催化的化学气相沉积法在管式炉中，在蓝宝石,(110),基底上外延生长出,ZnO,纳米线阵列。
具体生长方法是：首先在有掩膜,(,方格,),蓝宝石衬底上生长一层,Au,膜，然后以混合的,ZnO,粉与石墨粉作为原料，放入管式炉中部的氧化铝舟中，在高纯,Ar,气保护下将混合物粉末加热到,880℃~905℃,，生成的,Zn,蒸气被流动,Ar,气体输送到远离混合粉末的纳米线“生长区”，在生长区放置了提供纳米线生长的蓝宝石,(110),基底材料ZnO,只能在,Au,膜区外延生长，由于衬底,(110),和,ZnO(0001),面间良好的匹配，,ZnO,能垂直于衬底向上生长，最终得到直径,20 nm~150 nm,、长约,10 mm,的,ZnO,纳米线73,,气相,-,固相（,VS,）法,,一种或几种原料在高温下形成蒸气或者本身就是气态，在低温时，使气相分子快速降温凝聚，达到临界尺寸后，形核并生长这种制备方法的优点是不需要催化剂，不足之处是所需温度较高不同晶体结构的材料都可以在一定条件下形成一维纳米结构，而在纳米线和纳米带的形成过程中，表面能最小化可能起到很重要的作用温度和过饱和度是两个重要因素高温和高过饱和度利于二维形核，导致形成片状结构，相反，低温和低过饱和度对一维纳米结构的生长有促进作用。
74,,气相,-,固相（,VS,）法,,气相,-,固相法生长一维纳米材料需要满足两个条件：,,,①轴向螺旋位错：一维纳米材料的形成是晶核内含有的螺旋位错延伸的结果，它决定了一维纳米材料快速生长的方向；,,,②防止侧面成核：首先一维纳米材料的侧面应该是低能面，这样，从其周围气相中吸附在低能面上的气相原子其结合能低、解析率高，生长会非常缓慢75,,气相,-,固相（,VS,）法,,北京大学的俞大鹏等采用简单物理蒸发法成功地制备了硅纳米线具体方法是，将经过,8,小时热压的靶（,95,％,Si,，,5,％,Fe),置于石英管内，石英管的一端通入氩气作为载气，另一端以恒定速率抽气，整个系统在,1200,℃,保温,20,小时后，在收集头附近管壁上可收集到直径为,15±3nm,、长度从几十微米到上百微米的硅纳米线他们认为该方法生成的硅纳米线芯部是直径约,10nm,的晶体硅，外层是厚度约,2nm,的硅的氧化物76,,2,）液相法,气相法适合于制备各种无机半导体纳米线,(,管,),、纳米带对于金属纳米线，利用气相法却难以合成液相法可以合成包括金属纳米线在内的各种无机、有机纳米线材料，是另一种重要的合成一维纳米材料的方法。
77,,2,）液相法,对于晶体结构呈高度各向异性的晶体来说，它们依靠其晶体学结构特性差异很容易从各向同性的液相介质中生长成一维线型结构包括硫族,(,氧除外,),单质及化合物，一般具有六方密堆积链结构，如,Te,、,Se,、,M,2,O,2,X,6,(M=Li,，,Na,；,X=Se,，,Te),等这种生长成一维纳米结构的方法称之为“晶体学结构控制生长方法”78,,2,）液相法,金属一般常为各向同性的晶体结构，因此要使金属晶体生长成一维线型结构，则需要在金属晶体形核、生长阶段破坏其晶体结构的对称性，通过生长过程中限制一些晶面的生长来诱导晶体的各向异性生长①,“毒化”晶面控制生长,,②,溶液,—,液相,—,固相法,(solution-liquid-solid,，,SLS),79,,①,“,毒化,”,晶面控制生长,,利用多元醇还原法，选择乙二醇作为溶剂和还原剂来还原,AgNO,3,，同时选用聚乙烯吡咯烷酮,PVP(polyvinyl pyrrolidone),作为包络剂,(capping reagent),，选择性地吸附在,Ag,纳米晶的表面，以控制各个晶面的生长速度，使纳米,Ag,颗粒以一维线型生长方式生长,.,80,,①,“,毒化,”,晶面控制生长,81,,②,溶液,—,液相,—,固相法,(solution-liquid-solid,，,SLS),在低温下合成了,III-V,族化合物半导体,(InP,，,InAs,，,GaP,，,GaAs),纳米线。
这种方法生长的纳米线一般为多晶或单晶结构，纳米线的尺寸分布范围较宽，其直径为,20-200 nm,，长度约,10 mm,机理非常类似于前面说过的高温,VLS,生长机制一般制备过程如下：溶剂一般选碳氢溶剂,(,如甲苯、,1,3-,二异丙苯等,),，其中的前驱物为三叔丁基茚,(tri-tert—butylindane),金属有机化合物或镓烷,(gallane),为了防止产物中残留一些金属有机低聚物，常在液相体系中加入一定量的质子性的试剂，如,MeOH,、,PhSH,、,Et,2,NH,或,PhCOOH.,82,,②,溶液,—,液相,—,固相法,(solution-liquid-solid,，,SLS),在加热条件下，液相中涉及到的金属有机物反应通式如下：,式中的,t-Bu,为,tert-butyl,的缩写，即叔丁基，,XH,指质子性催化剂，,M,和,E,分别指,III,族,In,、,Ga,元素和,V,族,P,、,As,元素，,H,指氢元素83,,2,）模板法,模板法制备纳米线可以追溯到,1970,年Possin,等在用高能离子轰击云母形成的孔中，制备出了直径只有,40 nm,的多种金属,.,,模板法可以分为硬模板法、软模板法和无模板法。
84,,2,）模板法,按硬模板材料可以分为,,多孔氧化铝膜模板法、,,聚合物膜模板法、,,碳纳米管模板法,,生命分子模板法等85,,一般过程,纳米孔道模板材料,镀,Au,或,Ag,膜作阴极,固定于导电基底上,暴露于电解液,恒电压恒电流电沉积,溶解模板，得到纳米管或纳米线,Seminar I,86,,The TEM images of Ag nanowires,,AAO membrane with different pore diameters,,,(a) and (b), 20 nm; (c) and (d) 50 nm.,87,,88,,CdS,纳米线,,,produced in AAO templates with the diameter of,,20nm (a), 30nm (b, c), and 50nm (d), respectively,89,,利用表面活性剂胶团为模板合成的金纳米棒,软模板,90,,91,,软模板法,,利用高分子聚合物聚乙二醇,(PEG),作为大分子表面活性剂，在特定的胶束范围和介质体系中形成超分子模板，以它作为微反应器，利用,PEG,与无机物之间的协同作用，控制模板中的水解反应，在特定的试剂、浓度、比例和温度等条件下，制备具有球形、针／棒状纳米氧化锌粒子。
92,,无模板法,,是指在合成过程中不使用任何硬模板或软模板界面合成法就是无模板法中的一种例如苯胺单体先溶解在有机相（正己烷、苯、甲苯、,CCl4,等）中，氧化剂溶解在酸性水溶液中，然后慢慢的将两者转移到烧杯中，有机相和水相直接产生一个界面层绿色的聚苯胺首先在界面层产生，再逐渐扩散到水相，只至整个水相被深绿色的聚苯胺填满最后通过渗析或者过滤就可得到纳米纤维状的聚苯胺93,,纳米同轴电缆制备实例,94,,1997,年，法国,Colliex,在分析电弧放电产物中发现了外径,4~12nm,的三明治几何结构的,C-BN-C,管，称为,同轴纳米电缆（,coaxial nanocable,）,方法,：石墨阴极与,铪,HfB,2,阳极在,N,2,中电弧放电，,阳极提供,B,，阴极提供,C,，,N,2,提供,N,，,Hf,作为催化剂,另外一种结构为,BN,纳米线，外包石墨1998,年，,NEC,公司张跃刚用激光烧蚀法：,,原料为,BN,，,C,，,SiO,2,的混合物，产物为,SiC/SiO,2,电缆；加入,Li,3,N,则形成,SiC/SiO,2,/BNC,电缆95,,1.TiO,2,纳米线,,制备方法有哪些？,,2.,在一维纳米材料生长中，气相法与液相法有什么相同点与不同点？,,3.,讨论碳纳米管的类型与制备方法。
4.,讨论金纳米棒的制备方法96,,。