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1、微星 H67 主板采用图形化 UEFI BIOS。BIOS 主页BIOS 设置操作规则BIOS 支持多国语言，可以选择简体中文。本详解采用英文底本。一、节能设置（Green Power）1-1、EUP 2013（欧洲节能标准）EUP2013 是欧盟新的节能标准，要求电脑在待机状态时，功耗降低到欧盟的要求。开启EUP2013 可能导致开机加电时间略微延迟。设置项：开启/关闭，默认是开启。1-2、CPU Phase Control（CPU 供电项管理）CPU 供电一般是多相的脉宽调制（PWM）方式，当 CPU 空闲时不需要大电流，可以关闭多余的供电相，降低供电电路的自身耗电。CPU 供电相管理有三
2、项设置，APS 模式/Intel SVID 模式 /关闭，默认是 Intel SVID 模式。APS 模式（Active Phase Switching）也叫主动相变换模式，是微星的动态相位切换功能，其原理是依据 CPU 的负载调控 PWM 供电的相数。Intel SVID 模式（Serial Voltage Identification）是英特尔 VRD12 供电规格采用的串行电压识别。英特尔的 EIST 就是依据 SVID 总线侦测 CPU 电压。依据 CPU 电压来调控PWM 供电的相数。关闭：关闭 CPU 供电相切换功能。1-3、Motherboard LED Control（主板 L
3、ED 管理）主板上 LED 指示灯管理，设置项：Auto/Off，默认 Auto。如果想节点电，可以关闭（Off）LED 指示灯。1-4、C1E Support（C1E 支持）开启或关闭 C1E。C1E 的全称是 C1E enhanced halt stat，由操作系统 HLT 命令触发，通过调节倍频降低处理器的主频，同时还可以降低电压。设置项：开启/关闭，默认关闭。1-5、Intel C-State（英特尔 C 状态）开启或关闭 C-State。C-State 是 ACPI 定义的处理器的电源状态。处理器电源状态被设计为 C0,C1,C2,C3.Cn。 C0 电 源 状 态 是 活 跃 状
4、态 ， 即 CPU 执 行 指 令 。 C1 到 Cn都 是 处 理 器 睡 眠 状 态 ， 即 和 C0 状 态 相 比 ， 处 理 器 消 耗 更 少 的 能 源 并 且 释 放 更 少 的 热量 。 但 在 这 睡 眠 状 态 下 ， 处 理 器 都 有 一 个 恢 复 到 C0 的 唤 醒 时 间 ， 不 同 的 C-State要 耗 费 不 同 的 唤 醒 时 间 。 设 置 项 ： 开启/关闭，默认是开启。C-State 与 C1E 的 区 别 ： C-State 是 ACPI 控 制 的 休 眠 机 制 ， C1E 是 HLT 指 令 控制 的 降 低 CPU 频 率 节 能 。
5、 C1E 是 C0 状 态 下 的 节 能 。附件：C-State 表1-6、Package C State Limit（C 状态限制）这是设置 C 状态限制。如果限制到 C0，C1E 就不起作用，如果限制到 C2，就不能进入C3 更节能的状态，设置项：C0/C2/C6/C7/No Limit/Auto，默认是 Auto，超频时也可以设置为 No Limit（不限制） 。二、超频设置（Over Clocking）2-1、Adjust CPU Ratio（调整 CPU 倍频）这是酷睿二代的 CPU 超频的方式。CPU 有 2 种，锁倍频的和不锁倍频的（K 字） 。锁倍频的也可以超倍频，只是超的幅
6、度小。K 字 CPU 的倍频是开放的。调整方法是回车，从弹出的倍频菜单中选择。2-2、Internal PLL Overvoltage（超内部 PLL 电压）PLL 电压就是时钟频率电压，超这个电压增强时钟信号，是超频的辅助手段。设置项：Auto/Disabled/Enabled，默认是 Auto。2-3、EISTEIST 全称为“Enhanced Intel Speed Step Technology”， 是 Intel 公司专门为移动平台和服务器平台处理器开发的一种节电技术。到后来，新推出的桌面处理器也内置了该项技术。EIST 是根据处理器负载来调节主频和电压的模块，它的触发机制同 C1E
7、 halt state 是不同的。操作系统、BIOS 的支持是必需的，操作系统通过 ACPI 进行调节。EIST 提供了更多的 CPU 频率和电压调节级别，因此可以比 C1E halt 更加精确的调节处理器的状态。设置项：Enabled/Disabled，默认是 Enabled。2-4、Intel Turbo Boost（睿频）英特尔第 2 代睿频技术。CPU 可以根据负载启用核心数量，并自动超频。单核工作时频率可提高 20%。设置项：Enabled/Disabled ，默认是 Enabled。2.5、OC Genie Button Operation（超频精灵按钮）开启/关闭超频精灵，这个设
8、置项相当于微星高端主板上的超频精灵按钮。设置项：Enabled/Disabled，默认是 Enabled。2-5、DRAM Frequency（内存频率）设置内存的频率，敲回车，从弹出的频率菜单选择，H67 不支持内存超频。2-6、Extreme Memory Profile（X.M.P）启用 XMP，XMP 是英特尔早期的一个内存超频规格。把 DDR3 内存频率提升到 1600。现在有些 DDR3 内存条支持 XMP，可以启用这个选项达到 1600。其实也可以在内存频率里直接设置到 1600。设置项： Enabled/Disabled，默认是 Disabled。2-7、DRAM Timing
9、 Mode（内存时序模式）这里是设置内存时序的调整模式。Auto 就是按内存的 SPD 参数自动设置，Link/Unlink 是手动设置，Link 是 2 个通道用同一个时序设置，Unlink 是 2 个通道分开设置时序。当设置了 Link/Unlink 后，下面的 Advanced DRAM Configuration 变为可操作的，以便于手动设置内存时序。2-8、Advanced DRAM Configuration（高级内存时序配置）1、第一梯队的六个参数这 6 个参数是最重要的，可以在 CPU-Z 里面看到。其中 CL、RCD、RP 是 JEDEC 标准排名前三的重要参数。Comman
10、d Rate：命令速率，也称之为 CR，Command Mode。设置参数有1T/2T/3T。这个选项是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。延迟时间以周期为单位。1T 当然比 2T 快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置 1T 后肯定要蓝屏死机。一般保持 Auto 设置即可，让 BIOS 自己去设置。tCL：参数范围 5-15T。CL 就是 CAS# Latency，列地址选通潜伏时间，指的是 “内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS 控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为 CAS 主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定
11、的前提下应该尽可能设低。tRCD：参数范围 4-15T。RCD 就是 RAS# to CAS# Delay，行地址到列地址的延迟时间，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。JEDEC 规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。tRP：参数范围 4-15T。RP 就是 Row# precharge Delay，内存行地址选通脉冲预充电时间。也叫做“内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。tRP 用来设定在另一行能被激活之前，RAS 需要的充电时间。tRP 参数大
12、会导致所有的行激活延迟过长，参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。参数值大将提高系统的稳定。这 3 个参数是 JEDEC 规范中最重要的参数，参数值越低，内存读写操作越快，但稳定性下降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高。tRAS：参数范围 10-40T。RAS 就是 Row# active Delay，内存行地址选通延迟。即“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。如果 tRAS 的周
13、期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低 tRAS 周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果 tRAS 的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为 CAS latency + tRCD + 2 个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS 的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大 tRAS 的值。tRFC：参数范围 48-200T。RFC 就是 Refresh Cycle Time，刷新周期时间。它是“SDRAM 行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank 中的另一
14、个行单元两次发送刷新指令(即：REF 指令) 之间的时间间隔。tRFC 值越小越好，它比 tRC 的值要稍高一些。2、DRAM 参数的第二梯队tWR：参数范围 5-16T。WR 就是 Write Recovery Time，写恢复延时。该值指的是在一个激活的 bank 中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的 tWD 虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。tWTR：参数范围 4-15T。 WTR 就是 Write to R
15、ead Delay，写到读延时。这个参数设定向 DDR 内存模块的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR 值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能，但系统会不稳定。tRRD： 参数范围 1-15T。RRD 就是 Row to Row Delay，行到行延迟。也称为 RAS to RAS delay ，表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示向相同的 bank 中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF 指令)之间的时间间隔。tRRD 值越小越好。延迟越低，表示下一个 bank 能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的
16、数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。tRTP：参数范围 4-15T。RTP 就是 DRAM READ to PRE Time，内部读取到预充电命令时间。这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小，系统运行很快，但不稳定。tFAW：参数范围 4-63T。FAW 就是 DRAM FOUR ACT WIN Time，内存四项动作成功时间。该选项通常设置为 Auto 即可，对性能以及稳定性影响不大。tWCL： 参数范围 5-15T。WCL 就是 Write CAS Latency，写指令到行地址控制器延时。SDRAM 内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。这个参数和 tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL 是“读”的延迟，tWCL 是“写”的延迟。tCKE：参数范围 3-15T。CKE 是时钟有效信号（Clock Enable），在这里这个参数叫做CKE Min
