《模拟电子技术 教学课件 ppt 作者 顾海远 主编例3-14 3-15》由会员分享，可在线阅读，更多相关《模拟电子技术 教学课件 ppt 作者 顾海远 主编例3-14 3-15（2页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、【例【例 3- 14】图图 3- 56(b)所示电路中，已知所示电路中，已知 mA 5 DSS =I，V 5 GS(off) =U ， =k 5R ， =k 2 D R ， V 10 DD =U， 求电路的静态工作点， 求电路的静态工作点 D I、 GS U和和 DS U。 解：解： 1) 图解法图解法 已知已知 mA 5 DSS =I 和和 V 5 GS(off) =U ，由式，由式(2- 31)得得 2 GS DSSD ) 5 1 ( = u Ii 根据上式绘出转移特性曲线如根据上式绘出转移特性曲线如例例 3- 14 图图所示。在转移特性曲线中曲线所示。在转移特性曲线中曲线 GSD ui
2、与直线与直线RIu DGS =相交于相交于 Q 点，这条直线称为偏置线。点，这条直线称为偏置线。Q 点所对应的点所对应的 静态工作点电压和电流为静态工作点电压和电流为 V 2 . 3 GS =U ， mA 66. 0 D =I V 4 . 510)25(1066 . 0 10)( 33 DDDDDS +=+= RRIUU 2) 解析法解析法 解析法是根据下列方程，联立求解得到静态工作点电压和电流解析法是根据下列方程，联立求解得到静态工作点电压和电流 DDGS 5IRIU= (3- 74) 2 GS(off) GS DSSD )1 ( U U II= 由上述方程组，可以求得由上述方程组，可以求得
3、 = V 8 . 7 V 2 . 3 GS U ，显然，如果取，显然，如果取 V 8 . 7 GS =U 则已经超出了则已经超出了 GS(off) U ， 此时电流此时电流 0 D =i 。所以应该取。所以应该取 V 2 . 3 GS =U ，此时，此时 mA 64. 0 D =i ， V 5 . 510)25(1064. 010)( 33 DDDDDS +=+= RRIUU 。 可见该结。 可见该结 D R T i U G R R D I gs U s C DD U+ L R 1 C 2 C 图3-56(b)自给偏置电路 V GS u 1- 5 - 4- 10 mA D i 1 2 3 4
4、5 DSS I - 2- 3 Q R 1 例3-14图 图解法求静态工作点 GS(off) U D I 果与图解法得到的结果相差很小。果与图解法得到的结果相差很小。 从上述例子中， 似乎没有用到从上述例子中， 似乎没有用到图图 3- 56(b)中的中的 G R， 这是因为忽略了栅极， 这是因为忽略了栅极 的泄漏电流的泄漏电流 GSS I。当信号源带有直流分量时，需要通过。当信号源带有直流分量时，需要通过 G R来构成栅源之间来构成栅源之间 的直流通路，以便保持栅极处于接近地电位的某一直流电位，保证施加到的直流通路，以便保持栅极处于接近地电位的某一直流电位，保证施加到 栅极的感应电压有一个泄放回
5、路。但是，对于栅极的感应电压有一个泄放回路。但是，对于 JFET 来说来说 GSS I就是就是 PN 结的结的 反向饱和电流，通常反向饱和电流，通常)C25( o GSS I在在 1 nA10 nA。 GSS I对温度十分敏感，对于对温度十分敏感，对于 MOSFET 来说来说 GSS I就是绝缘栅的漏电流，比就是绝缘栅的漏电流，比 JFET GSS I更小。因此，当更小。因此，当 G R取取 值太大时，值太大时， G R上的电压将不容忽略。在工程应用中，往往需要根据用户对上的电压将不容忽略。在工程应用中，往往需要根据用户对 电路性能的要求来确定电路中的参数。电路性能的要求来确定电路中的参数。
6、【例【例 3- 15】 在在图图 3- 56(b)所示电路中，若已知所示电路中，若已知 V 20 DD =U ，要求放大器，要求放大器 中中 FET 的静态工作点为的静态工作点为 mA 2 D =I ， V 2 GS =U ， V 10 DS= U ，试确定，试确定 漏极电阻漏极电阻 D R和源极电阻和源极电阻R的值。的值。 解解: 由由 V 2 DGS =RIU 得到源极电阻得到源极电阻 =k 1 D GS I U R 由由 V 10)( DDDDDS =+=RRIUU 得得漏极漏极电电阻阻 = + =k 4 )( D DDDSDD D I RIUU R ，取，取标标称称值值 =k 9 . 3 D R 。
