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1、第十章 半导体探测器,Semiconductor Detector,半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子空穴对，电子空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。,我们把气体探测器中的电子离子对、闪烁探测器中被 PMT第一打拿极收集的电子 及半导体探测器中的电子空穴对统称为探测器的信息载流子。产生每个信息载流子的平均能量分别为30eV(气体探测器)，300eV(闪烁探测器)和3eV(半导体探测器)。,半导体探测器的特点：,(1) 能量分辨率最佳；,(2) 射线探测效率较高，可与闪烁探测器相比。,常用半导体探测器有：,(1) P-N结型半导体探测器；,(2) 锂漂移型半导体
2、探测器；,(3) 高纯锗半导体探测器；,10.1 半导体的基本性质,1、本征半导体和杂质半导体,1) 本征半导体：,由于热运动而产生的载流子浓度称为本征载流子浓度，且导带中的电子数和价带中的空穴数严格相等。,常用半导体材料为硅(Si)和锗(Ge)，均为IV族元素.,理想、无杂质的半导体.,固体物理理论已证明半导体内的载流子平衡浓度为：,ni和pi为单位体积中的电子和空穴的数目，下标“i”表示本征(Intrinsic)材料。T为材料的绝对温度，EG为能级的禁带宽度。,2) 杂质半导体,杂质类型：替位型，间隙型。,(1) 替位型：III族元素，如B，Al，Ga等； V族元素，如P，As，Sb等,(
3、2) 间隙型：Li，可在晶格间运动。,3) 施主杂质(Donor impurities)与施主能级,施主杂质为V族元素，其电离电位ED很低，施主杂质的能级一定接近禁带顶部(即导带底部)。在室温下，这些杂质原子几乎全部电离。由于杂质浓度远大于本征半导体导带中的电子浓度，多数载流子为电子，杂质原子成为正电中心。掺有施主杂质的半导体称为N 型半导体。,4)受主杂质(Acceptor impurities)与受主能级,受主杂质为III族元素，其电离电位EA很低，受主杂质的能级一定很接近禁带底部(即价带顶部)，室温下价带中电子容易跃迁这些能级上；在价带中出现空穴。所以，此时多数载流子为空穴，杂质原子成为
4、负电中心。掺有受主杂质的半导体称为P 型半导体。,Doping with valence 5 atoms,Doping with valence 3 atoms,N-type semiconductor,P-type semiconductor,2、载流子浓度和补偿效应,1) 载流子浓度,空穴浓度：,电子浓度：,式中，E1为导带底；E2为价带顶。Cn和Cp为与禁带内能级分布无关的常数。,所以：,可见，对半导体材料，在一定温度下，np仅与禁带宽度有关。因此，在相同温度下，本征半导体的相等的两种载流子密度之积与掺杂半导体的两种载流子密度之积相等，即：,2) 补偿效应,对N型半导体：n p，可以加入
5、受主杂质，使之成为本征半导体，此时n = p = ni，也称为“准本征半导体”；进一步加入受主杂质，可变为P型半导体，即p n。但其代价为载流子的寿命将大大缩短。,对本征半导体：,对杂质半导体： ，但仍满足,当 n = p 时，载流子总数 取最小值。,3、半导体作为探测介质的物理性能,1) 平均电离能 （w）,入射粒子在半导体介质中平均产生一对电子空穴需要的能量。,半导体中的平均电离能与入射粒子能量无关。在半导体中消耗能量为E时，产生的载流子数目N为：,2) 载流子的漂移,由于 电子迁移率n 和 空穴迁移率p 相近，与气体探测器不同，不存在电子型或空穴型半导体探测器。,对N型半导体，电子的漂移
6、速度为,对P型半导体，空穴的漂移速度为,电场较高时，漂移速度随电场的增加较慢，最后达到载流子的饱和速度107cm/s。,3) 电阻率与载流子寿命,半导体电阻率：,本征电阻率：,掺杂将大大降低半导体的电阻率，对硅来说掺杂对电阻率的影响比锗显著得多。当半导体材料被冷却到液氮温度时将大大提高电阻率。,载流子寿命-载流子在俘获以前，可在晶体中自由运动的时间。只有当漂移长度 大于灵敏体积的长度才能保证载流子的有效收集。对高纯度的Si和Ge 10-3s，决定了Si和Ge为最实用的半导体材料。,高的电阻率和长的载流子寿命是组成半导体探测器的关键。,10.2 P-N结半导体探测器,1、P-N结半导体探测器的工
7、作原理,1) P-N结区(势垒区)的形成,(1) 多数载流子扩散，空间电荷形成内电场并形成结区。结区内存在着势垒，结区又称为势垒区。势垒区内为耗尽层，无载流子存在，实现高电阻率，达 ，远高于本征电阻率。,(2) P-N结内的电流,If 能量较高的多子穿透内电场，方向为逆内电场方向；,IG 在结区内由于热运动产生的电子空穴对；,IS 少子扩散到结区。,IG，IS的方向为顺内电场方向。,平衡状态时：,(3) 外加电场下的P-N结：,即在使结区变宽的同时，IG 增加, IS不变，If减小，并出现IL，此时表现的宏观电流称为暗电流。,在外加反向电压时的反向电流： 少子的扩散电流，结区面积不变，IS 不
8、变； 结区体积加大，热运动产生电子空穴多，IG 增大； 反向电压产生漏电流 IL ，主要是表面漏电流。,在P-N结上加反向电压，由于结区电阻率很高，电位差几乎都降在结区。,反向电压形成的电场与内电场方向一致。,外加电场使结区宽度增大。反向电压越高，结区越宽。,2) P-N结半导体探测器的特点,(1) 结区的空间电荷分布，电场分布及电位分布,P-N结内N区和P区的电荷密度分别为：,式中ND和NA分别代表施主杂质和受主杂质浓度；a,b则代表空间电荷的厚度。一般a,b不一定相等，取决于两边的杂质浓度，耗尽状态下结区总电荷为零，即ND aNA b。,电场为非均匀电场：,电位分布可由电场积分得到：,(2
9、) 结区宽度与外加电压的关系,当x = 0时，P区和N区的电位应相等，即,又因：,所以：,耗尽区的总宽度：,一般可写成：,Ni为掺杂少的一边的杂质浓度。,(3) 结区宽度的限制因素,受材料的击穿电压的限制：,受暗电流的限制，因为：,(4) 结电容随工作电压的变化,根据结区电荷随外加电压的变化率，可以计算得到结区电容：,结区电容随外加电压变化而变化，外加电压的不稳定可以影响探测器输出电压幅度的不稳定。,即：,2、P-N结半导体探测器的类型,1) 扩散结(Diffused Junction)型探测器,采用扩散工艺高温扩散或离子注入；材料一般选用P型高阻硅，电阻率为1000；在电极引出时一定要保证为
10、欧姆接触，以防止形成另外的结。,2) 金硅面垒(Surface Barrier)探测器,一般用N型高阻硅，表面蒸金50100g/cm2 氧化形成P型硅，而形成P-N结。工艺成熟、简单、价廉。,3、半导体探测器的输出信号,1) 输出回路,须考虑结电阻Rd和结电容Cd，结区外半导体材料的电阻和电容RS，CS。,2) 输出信号,当 R0(Cd+Ca) tc ( tc为载流子收集时间 )时，为电压脉冲型工作状态：,辐射在灵敏体积内产生的电子空穴对数,但是，由于输出电压脉冲幅度h与结电容Cd有关，而结电容 随偏压而变化，因此当所加偏压不稳定时，将会使 h 发生附加的涨落， 不利于能谱的测量；为解决该矛盾
11、，PN结半导体探测器通常不用电压型或电流型前置放大器，而是采用电荷灵敏前置放大器。电荷灵敏放大器的输入电容极大，可以保证 C入 Cd ，而 C入是十分稳定的，从而大大减小了Cd变化的影响。若反馈电容和反馈电阻为Cf和Rf，则输出脉冲幅度为：,输出回路的时间常数为：,3) 载流子收集时间,由于在边界，电场强度趋于0，定义载流子扫过 x0.99W 的距离的时间为载流子收集时间：,可以获得快的上升时间。,4、主要性能,主要用于测量重带电粒子的能谱，如,p等，一般要求耗尽层厚度大于入射粒子的射程。,1) 能量分辨率,影响能量分辨率的因素为：,(1) 输出脉冲幅度的统计涨落,式中：F为法诺因子，对Si，
12、F=0.143；对Ge，F=0.129。w为产生一个电子空穴对所需要的平均能量。,能量分辨率可用FWHM表示：,FWHM 或 E 称为半高宽或线宽，单位为：KeV。,以210Po的 E5.304MeV 的粒子为例， 对一种PN结探测器，由于输出脉冲幅度的统计涨落引起的线宽为：,(2) 探测器和电子学噪声,探测器的噪声由P-N结反向电流及表面漏电流的涨落造成； 电子学噪声主要由第一级FET构成，包括：零电容噪声和噪声斜率。,噪声的表示方法：等效噪声电荷ENC，即放大器输出噪声电压的均方根值等效于放大器输入端的噪声电荷，以电子电荷为单位；由于噪声叠加在射线产生的信号上，使谱线进一步加宽，参照产生信
13、号的射线的能量，用FWHM表示，其单位就是KeV。例如，ENC200电子对，由噪声引起的线宽为：,(3) 窗厚度的影响,式中 为单位窗厚度引起的能量损失。,得到总线宽为：,例如：,则：,2） 分辨时间与时间分辨本领：,3） 能量线性很好，与入射粒子类型和能量基本无关,4） 辐照寿命,辐照寿命是半导体探测器的一个致命的弱点。半导体探测器随着使用时间的增加，造成载流子寿命变短，影响载流子的收集。例如，对5.5MeV的粒子，当达到109cm-2时，分辨率开始变坏，达到1011cm-2时明显变坏。,5、应用,1） 重带电粒子能谱测量,2） dE/dx 探测器,dE/dx探测器工作于全耗尽型或过耗尽型状
14、态，可用于粒子鉴别。,dE/dx探测器的输出信号为X，,能量探测器的输出信号为Y，,其乘积 XYmZ2 而得到粒子谱。,由于一般半导体材料的杂质浓度和外加高压的限制，耗尽层厚度为12mm。 对强穿透能力的辐射而言，探测效率受很大的局限。,P-N结半导体探测器存在的矛盾：,10.3 锂漂移半导体探测器,1. 锂的漂移特性及P-I-N结,1) 间隙型杂质Li,Li为施主杂质，电离能很小 0.033eV,Li漂移速度,当温度T 增大时，(T)增大，Li+漂移速度增大。,2) P-I-N结的形成,基体用P型半导体(因为极高纯度的材料多是P型的)，例如掺硼的Si或Ge单晶。,(1) 一端表面蒸Li，Li
15、离子化为Li+,形成PN结。,(2) 另一端表面蒸金属，引出电极。,外加电场，使Li+漂移。Li+与受主杂质(如Ga-)中和，并可实现自动补偿形成 I 区。,(3) 形成P-I-N结，未漂移补偿区仍为P，引出电极。,P,N+,Intrinsic Semi,Front metallization,Ohmic back contact,To positive bias voltage,由硅作为基体的探测器称为Si(Li)探测器，由锗作为基体的探测器称为Ge(Li)探测器。锂离子是用于漂移成探测器的唯一的离子。,2. 锂漂移探测器的工作原理,1) 空间电荷分布、电场分布及电位分布,I区为完全补偿区，
16、呈电中性为均匀电场；,I区为耗尽层，电阻率可达1010cm；,I区厚度可达1020mm，为灵敏体积。,杂质浓度,电荷分布,电位,电场,2) 工作条件,为了降低探测器本身的噪声和FET的噪声，同时为降低探测器的表面漏电流，锂漂移探测器和场效应管FET都置于真空低温的容器内，工作于液氮温度(77K)。,对Ge(Li)探测器，由于锂在锗中的迁移率较高，须保持在低温下，以防止Li+Ga-离子对 离解，使Li+沉积而破坏原来的补偿； 对Si(Li)探测器，由于锂在硅中的迁移率较低，在常温下保存而无永久性的损伤。,3) 由于PIN探测器能量分辨率的大大提高，开创了谱学的新阶段。,Li漂移探测器的问题：低温下保存代价很高；漂移的生产周期很长，约3060天。,
