《MOS逻辑功能部件幻灯片》由会员分享,可在线阅读,更多相关《MOS逻辑功能部件幻灯片(32页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。
1、第九章 MOS逻辑功能部件,信息工程学院李薇薇,9.1 多路开关,多路开关也叫数据选择器,它可以在控制信号的作用下从多个数据通道中选送某一路到输出端。假定有M组数据,每组又有n位数,则对多路开关则对此数据进行选择的电路称作n位m选一多路开关。,多路开关真值表,一位四选一多路开关,D0,D1,D2,D3为四路数据,为了从四路数据中选择一路数据输出,至少需要两个选择控制变量(或地址)K0,K1,E/D NMOS多路开关之一,传输门多路开关(a)电路图;(b)版图,多路开关可灵活地用于顺序数据选择、并串行数据转换,实现多通道数据传送,也可用来实现逻辑函数及数码比较、序列脉冲产生,还可用来构成主从触发
2、器等等,是一种应用广泛的功能部件。,9.2 加法器和进位链,加法器是构成很多系统的重要部件。,加法器真值表,9.2.1 组合逻辑加法器,设计加法器最简单方法是用逻辑门实现所需的各个主要的逻辑函数。,通过优化进位门,可以减小逐位进位的延时。对组合逻辑加法器做如下优化:(1)把由进位输入信号C控制的MOS管放置在靠近输出端的地方,使得其他各输入信号能够先对门电路进行控制,以减小受C控制的MOS管的衬偏调制效应。(2)在求“和”门中,栅极与CARRY相连的所有MOS管均采用最小的尺寸。以使CARRY信号的电容负裁最小。这个信号的连线也尽可能地短,并且少用扩散区作为连线。,9.2.2 传输门加法器,利
3、用4个传输门、3个反相器和2个异或门,可以构成加法器。这个加法器和组合逻辑加法器都需要24个MOS管,但是,它有SUM延时和CARRY延时相同的优点,并且SUM和CARRY信号是不反相的。,传输门实现的加法器,9.2.3 进位链,为了提高加法器的运算速度,必须减少进位信号的传输时间,可以采用提前进位的办法,将进位信号同时送到各位全加器的进位输入端,实现同时进位。,第i级进位的Ci可以表示为:C iG iP i C i1G iA i B i,是进位产生信号;Pi A i B i,是进位传输信号。,任何一位的进位输出都只直接和各位全加器的输入信号有关。也就是说只要各位的输入信号一到,再经过一、两级
4、门的延迟,就可以产生所有位的“和”输出及“进位”输出,并不需要等待进位信号逐级从低位门到高位因而大大提高了加法器的运算速度,能实现这种超前进位功能的电路叫做“提前进位链”。,这种超前进位电路的门的尺寸显然会增大到难以实现,因此超前进位的级数通常不超过4级。,9.3 算术逻辑单元,算术逻辑单元(arithmetic logic units)简称ALU,它既能进行算术运算,又能进行逻辑运算,左右移、加减一、传送等,所以又称为多功能函数发生器。9.3.1 以E/D NMOS反向器为主体的算术逻辑单元,1、加法操作,2、减法操作,3、异或操作,4、与操作,5、或非操作,9.3.2 以传输门为主体的算术
5、逻辑单元,采用传输门也可构成多功能发生器,这种电路仍然具有节省管子、结构简单的优点。,9.4 寄存器,寄存器是用以暂时存放信息的、有记忆功能的时序逻辑部件。在MOS电路中,多数寄存器是用静态或准静态D触发器构成的。一个触发器可以存储一位二进制数码,所以存放n位二进制数码需要n个触发器。此外为实现数据的接收、清除等功能,寄存器中还应包含一定数量酌控制电路。9.4.1 双港寄存器数据通道一般采用双母结构(Bus A和Bus B),因此要求寄存器也是双港结构,可以与A,B母线相互传输数据。,双港寄存器,9.4.2 移位寄存器,9.4.3 堆栈移位寄存器,堆钱是由一组移位寄存器所组成,具有后进先出(L
6、IFO)的功能,是一种在数据管理中非常有用的存储器结构,可用于保存中断点的数据。它有数据输入端、数据输出端、堆栈控制端和时钟端。堆栈具有三种操作功能:(1)将母线上的数据不断推入寄存(即压入(PUSH);(2)保存这些数据;(3)将所存数据按后进先出的顺序铂到母线上去(即弹出POP)。,堆栈的功能框图和电路示意图后进先出堆栈的操作表,9.4.4 动态移位寄存器,1、两相有比动态移位寄存器在用传输门作级间耦合的动态有比反相器链中,若相邻两个传损门分别受两相互不重迭的时钟控制,则可构成两相有比动态移位寄存器。,一般按上式选取其中传输门的宽长比值。在两相有比动态移位寄存器中,信息是存储在电容C1,C3和C5上的。因此,电路的速度主要取决于它们的充放电速度。为了使电路能够正常工作,时钟的频率必须满足一定的要求。显然,时钟的宽度应该大于反相器的充电时间。而为了避免两相时钟的重迭,时钟的宽度应略小于l2时钟周期。,时钟频率的上限为:,若电容对信息保持时间为tH,时钟频率的下限为:,2、两相无比动态移位寄存器,两相无比动态因为寄存器,高电平传输效率的改善(a)加大迭交电容;(b)引入附加MOS管,