gaas太阳电池结构

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1、如果要想使产生的电流最大化,那么太阳电池要能尽量捕捉太阳光谱中的光子才行,因此越小带隙的材料越能达到这目的。但是小带隙的材料却会导致比较小的光电压,而且一些具有较高能量的光子(亦即比较短的波长),它高出带隙的能量并不会转换成电能,而是以热的形式浪费掉 如果选择大带隙的材料将会导致较小的光电流。,单结太阳电池的设计,1、GaAs太阳电池的结构,在传统单结太阳电池的设计上,通常要选用带隙大小位于整个太阳辐射光谱中间的材料,才可达到最大的理论效率。也就是说,最佳的太阳电池材料的带隙约为1.41.5eV之间。,这些单结的太阳电池材料的理论效率都在30%以下。,由于单结太阳电池只能吸收和转换特定光谱范围

2、的太阳光,因此能量转换效率不高。 多结太阳能电池,按带隙宽度大小从上至下叠合起来,选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量,就能大幅度提高电池的转换效率。,多结太阳电池的设计,1、GaAs太阳电池的结构,多结太阳能电池可以选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量,大幅度提高电池转换效率。,多结太阳能电池,越上层的电池带隙越大。,1、GaAs太阳电池的结构,单结GaAs/Ge太阳电池,为了克服GaAs/GaAs太阳电池机械强度较差、易碎的缺点,1983年起逐步采用Ge替代GaAs制备为衬底。,1、GaAs太阳电池的结构,多结GaAs/Ge太阳电池,讨论分析,1、带隙排列? 2、为什么制备多结?,1、Ga

3、As太阳电池的结构,多结GaAs/Ge太阳电池,多结GaAs电池,按带隙宽度大小叠合,可以选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量,大幅度提高光电转换。,理论计算表明:双结GaAs太阳电池的极限效率为30%,三结GaAs太阳电池的极限效率为38%,四结GaAs太阳电池的极限效率为41%。,小结,单结太阳电池,通常要选用带隙大小位于整个太阳辐射光谱中间的材料,才可达到最大的理论效率。 多结太阳能电池,可以选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量,大幅度提高电池的转换效率。 多结太阳能电池中,越上层的电池带隙越大。 多结太阳能电池中,越下层的电池带隙越小。,LPE是NELSON在1963年提出的一种外延生

4、长技术。其原理是以低熔点的金属(如Ga 、In 等)为溶剂,以待生长材料(如GaAs、Al 等) 和掺杂剂(如Zn、Te 、Sn 等)为溶质,使溶质在溶剂中呈饱和或过饱和状态,通过降温冷却使溶质从溶剂中析出,结晶在衬底上,实现晶体的外延生长。,2、GaAs太阳电池两种制造技术,LPE(liquid phase epitaxy)技术液相外延,LPE技术优缺点:,20世纪90年代初,国外已基本不再发展该技术,但欧、俄、日等地区和国家仍保留LPE 设备,用于研制小卫星电源。,MOCVD是MANASEVIT在1968年提出的一种制备化合物半导体薄层单晶的方法。 其原理是采用族、族元素的金属有机化合物G

5、a(CH3)3、Al(CH3)3、Zn(C2H5)2等和族、族元素的氢化物(PH3、AsH3、H2Se) 等作为晶体生长的源材料,以热分解的方式在衬底上进行气相沉积(气相外延) ,生长-族、-族化合物半导体及其三元、四元化合物半导体薄膜单晶。,MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition)技术 金属有机化学气相外延,2、GaAs太阳电池两种制造技术,小结,GaAs太阳电池有两种制备技术,为LPE和MOCVD。 LPE(liquid phase epitaxy )为液相外延法; MOCVD(metal-organic chemical vapor d

6、eposition)金属有机化学气相外延法。,3、GaAs太阳电池国内外应用,3、GaAs太阳电池国内外应用,总结,单结太阳电池,通常要选用带隙大小位于整个太阳辐射光谱( )的材料,才可达到( )的理论效率。 多结太阳能电池,( )选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量,大幅度提高电池的转换效率。,最大/最小 可以/不可以,GaAs属于( )化合物半导体材料。,-族,最大,可以,中间,总结,多结太阳能电池中,越上层的电池带隙越( )。 多结太阳能电池中,越下层的电池带隙越( )。,大/小,大,小,总结,为了克服GaAs太阳电池机械强度差、易碎的缺点,常用( )为衬底。 GaAs太阳电池有两种制造技术,( )和( )。,Ge,LPE,MOCVD,

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