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1、,场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。,结型场效应管JFET,绝缘栅型场效应管MOS,场效应管有两种:,5 场效应管放大电路,G(栅极),S源极,D漏极,1、结构,5.1 结型场效应管(JFET),扩散情况：NPNN,基底 ：N型半导体,两边是P区,导电沟道,N,5.1.1 JFET的结构和工作原理,N沟道结型场效应管,符号,栅极上的箭头表示栅极电流的方向（由P区指向N区）。 结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。,P沟道结型场效应管,符号,2、工作原理（以N沟道为例）,vDS=0V时,vGS,PN结反偏，vGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越
2、窄。,vGS0V,(1)vGS对导电沟道及iD的控制,vDS=0V时,vGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。,但当vGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。,VDS=0时,VGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使vDS 0V，漏极电流iD=0A。,vGS0、vGD=vGS-vDSVP时耗尽区的形状,越靠近漏端，PN结反压越大,导电沟道中电位分布情况,(1)vDS对iD的影响,vGSVp且vDS较大时vGDVP时耗尽区的形状,沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。,vGSVp vGD=VP时,vDS增大则被夹断区向下延伸。,漏端的沟
3、道被夹断，称为予夹断。,vGSVp vGD=VP时,此时，电流iD由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随vDS的增加而增加，呈恒流特性。,结论： （1）因为栅源间加反向电压，故栅极几乎不取电流； （2）输出电流id受vGS控制，故场效应管是一种电压控制器件； （3）由于受电场梯度的影响，耗尽层呈上宽下窄的形式，故总是沟道的上部先被夹断；,恒流区（饱和区）,击穿区,5.1.2 JFET的特性曲线及参数,.输出特性,可变电阻区,夹断区,（1）转移特性 ID=f(VGS)|Vds,饱和漏电流IDSS：vGS =0时的漏极电流。,饱和漏极电流,夹断电压,转移特性曲线 一定vDS下的iD-vGS曲线,夹
4、断电压VP：iD接近于0时的栅源电压。,饱和区中的各条转移特性几乎重合，通常我们就用一条曲线来表示。 转移特性的经验公式：,2.转移特性,iD,v DS,恒流区,输出特性曲线,0,P沟道JFET,饱和漏极电流,夹断电压,转移特性曲线 一定vDS下的iD-vGS曲线,(a) 输出特性曲线 (b) 转移特性曲线,由输出特性曲线画出转移特性曲线,一、直流参数 (1)夹断电压VP：当栅源电压vGS=VP时，iD=0。 (2)饱和漏极电流IDSS(ID0)：IDSS指的是对应vGS=0时的漏极电流。 (3) 直流输入电阻RGS RGS在106109之间。 通常认为RGS 。,.主要参数,二、极限参数 场
5、效应管也有一定的运用极限，若超过这些极限值，管子就可能损坏。场效应管的极限参数如下： (1)最大漏源电压V(BR)DS。 (2)最大栅源电压V(BR)GS。 (3)最大功耗PDM：PDM=IDVDS,三、交流参数 1跨导gm,gm的大小可以反映栅源电压VGS对漏极电流iD的控制能力的强弱。 gm可以从转移特性或输出特性中求得，也可以用公式计算出来。,2.输出电阻r ds 输出电阻rds定义为,场效应管的零温度系数点,四、关于温度稳定性 场效应管导电机理为多数载流子导电，热稳定性较晶体三极管好。而且场效应管还存在一个零温度系数点，在这一点工作，温度稳定性会更好。,结型场效应管的缺点：,1. 栅源
6、极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。,3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。,绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。,2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。,5.2 绝缘栅场效应管(MOS管):,P型基底,SiO2绝缘层,金属铝,+ + + + +,- - - - - -,电子反型层,MOS电容,+ + + + +,P,P型基底,SiO2绝缘层,金属铝,- - - - - -,电子反型层,掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+,一、结构和电路符号,P型基底,两个N区,SiO2绝缘层,导电沟道,金属铝,N沟道增强型,N 沟道耗尽型,予
7、埋了导电沟道,P 沟道增强型,P 沟道耗尽型,予埋了导电沟道,二、MOS管的工作原理,以N 沟道增强型为例,vGS=0时,对应截止区,vGS0时,感应出电子,VT称为开启电压,vGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，vGS越大此电阻越小。,当vDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。,当vDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。,vDS增加，vGD=VT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。,三、增强型N沟道MOS管的特性曲线,转移特性曲线,输出特性曲线,iGS0,四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线,耗尽型的MOS管vGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。,转移特性曲线,输出
8、特性曲线,vGS=0,vGS0,vGS0,五、说明： （1）MOS管由四种基本类型； （2）MOS管的特性与结型场效应管的特性类似； （3）增强型的MOS管的vGS必须超过一定的值以使沟道形成； 耗尽型的MOS管使形成沟道的vGS可正可负； （4）MOS管的输入阻抗特别高 （5）衡量场效应管的放大能力用跨导 单位：ms,六、MOS管的有关问题,（2）交流参数 低频跨导： 极间电容：栅源电容CGS，栅漏电容CGD，漏源电容CDS （3）极限参数 最大漏极电流IDM，最大耗散功率P0M，漏源击穿电压V(BR)DS 栅源击穿电压VBR)GS,1、主要参数 （1）直流参数 开启电压VT指增强型的MOS
9、管 夹断电压VP指耗尽型的MOS管 零栅压漏极电流IDSS 直流输入电阻： 通常很大10101015左右,六、MOS管的有关问题,2、场效应管与三极管的比较,六、MOS管的有关问题,3、使用注意事项 （1）结型场效应管的栅源电压不能接反，但可在开路状态下保存； （2）MOS管在不使用时，须将各个电极短接； （3）焊接时，电烙铁必须有外接地线，最好是断电后再焊接； （4）结型场效应管可用万用表定性检测管子的质量，而MOS管必须用专门的仪器来检测； （5）若用四引线的场效应管，其衬底引线应正确连接；,vDS:N沟道加正压 P沟道加负压,各种场效应管的转移特性和输出特性对比 (a)转移特性,IDSS
10、,VP,IDSS,N沟道JFET,N沟道增强MOS,VT,N沟道耗尽MOS,P沟道耗尽MOS,P沟道增强MOS,VT,P沟道JFET,IDSS,VP,VP,VP,各种场效应管的转移特性和输出特性对比 (b)输出特性,结型vGS和vDS相反 增强型vGS同vDS同极性 耗尽型vGS任意,FET放大偏置时vDS与vGS应满足的关系, 5.4场效应管放大电路,(1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。,(2) 动态：能为交流信号提供通路。,组成原则：,分析方法：,场效应管是电压控制器件。它利用栅源电压来控制漏极电流的变化。它的放大作用以跨导来体现，在场效应管
11、的漏极特性的水平部分，漏极电流iD的值主要取决于vGS，而几乎与vDS无关。,1、自偏压电路,2、分压式自偏压电路,Rg：使g与地的直流电位几乎相同（因上无电流）。 R：当IS流过R时产生直流压降ISR，使S对地有一定的电压：VGS=ISR=IDR0,5.4.1场效应管的直流偏置电路及静态分析,1. 直流偏置电路,Q点：,VGS 、,ID 、,VDS,VGS =,VDS =,已知VP ，由,VDD,- ID (Rd + R ),- IDR,可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS,静态工作点,以自偏压电路为例,(1) 近似估算法,VP=-1V IDSS=0.5mA,ID=0.5mA(1+0.4
12、-2ID)2,ID=(0.95+0.64, 0.95-0.64)mA,ID=IDSS,以自偏压电路为例,(2) 图解分析法,由输出回路：VDD=VDS+ID(RD+RS)作出直流负载线,在转移特性上作源极负载线点所对应的VDS、VGS、ID；,VDD,由输出特性：ID=f(Vds)|VGS,由输入回路：VGS=VGVS=IDRS,作负载转移特性,（1）根据VDD=Vds+ID（RD+RS）在输出特性上作直流负载线； （2）作负载转移特性； （3）作源极负载线； （4）决定静态工作点； （5）在转移特性和输出特性上求出Q,VDD,步骤：,5.4.2 场效应管的微变等效电路,跨导：反映了栅源电压对
13、漏极电流的控制能力，相当于转移特性中工作点处的斜率。,漏极输出电阻：（很大，常可以看作开路）；它是输出特性工作点处的切线斜率的倒数。,1、参数的导出,2、等效电路,3、gm的求法,由,得,在工作点上：vGS=VGS,其中：,场效应管为零偏置时的跨导,一、静态分析,求：VDS和 ID。,设：VGVGS,则：VGVS,而：IG=0,所以：,vo,例5.1,二、动态分析,微变等效电路,Ro=RD=10k,VDD=20V,vo,RS,vi,R1,RD,RG,R2,RL,150k,50k,1M,10k,10k,G,D,S,10k,微变等效电路,Ro=RD=10k,共漏极放大器源极输出器,一、静态分析,V
14、SVG,VDS=VDD- VS =20-5=15V,二、动态分析,输出电阻 Ro,加压求流法,微变等效电路,共栅放大器,动态分析,1 、电压放大倍数,Vo=Id=gmVgs,Vi=Vgs, Av=Vo/Vi =gm,2、输入电阻, Vi=I总R=(Ii+gmVgs)R =(IigmUi)R,得,3、输出电阻 Ro= Rd,CE / CB / CC CS / CG / CD,Ri,CS：Rg1 / Rg2 CD：Rg+ (Rg1 / Rg2 ) CG：R/(1/gm),Ro,CS：Rd CD：R/(1/gm) CG：Rd,场效应管放大电路小结,(1) 场效应管放大器输入电阻很大。 (2) 场效应管共源极放大器(漏极输出)输入输出反相，电压放大倍数大于1；输出电阻=RD。 (3) 场效应管源极跟随器输入输出同相，电压放大倍数小于1且约等于1；输出电阻小。,在T1 位置上画出合适的FET； 若T1的漏极电位VD= 14V，其gm = 3ms，求T1的静态值ID、VDS、VGS？ 若T2的 = 50，VBE = 0.6 V，求T2的静态值IB、IC、VCE？ 画出微变等效电路，并求AV、Ri、RO。,两级电压放大电路如下图所示。,
