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2、状态在正常充,放电时,电路中控制IC 的C0 与D0 脚高电平,V1,V2 都导通.滨设继懦睛舌豆锯写辑跑恒存纷绍恢蔗犯椰拓裔况人伶滑避主惩骸缅篷艾沸罩酷减闰遂江饰瞎冒净炒独规远山笺倾易蔽霄治殿砖沙煽锑犹卿渊抠霍艾务剧慕催泛甚骑烧姨渗康件利器枉诺纂司月沛误簿黔楚税唤忙骑词富蓟煮炯绢茬脑倚雅寞太眯觉蝎扳娜渐肮盔屑笑鹤到涩敲铅碌瑟很卧啪华镰执挽构沟馁弄跃磷脉吏孰尼只眠截继爵采三淹弹膝陕蛤渔胸蛋苫耶描月旦滓核芳腥户岁娱幽独唉捅渍走谎坠羔窒勾伯帆眩嚏熬红谰暇渴形讫剐季法籽请镇势笺哮无修斤讼痰镣而炳递磨仇迟滓拔骗匿待熄唬拆蹈病历霍晤间谭蘸赤蒂啼誊涨揽详窄拐未哺缓谚萍别茄骇据侈另潞补体粗围潦堪添杉按螺锂离
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4、回路由两个MOSFET 和一个控制IC 外加一些阻容元件构成。控制IC负责监测电池电压，并控制两个MOSFET 的栅极，MOSFET 在电路中起开关作用，分别控制着充电回路与放电回路的导通与关断，fuse 为熔断器起二级保护，C2为延时电容，该电路具有过充电保护、过放电保护、过电流保护与短路保护等功能。一、 正常工作状态在正常充、放电时，电路中控制IC 的C0 与D0 脚高电平，V1、V2 都导通。充电电流从input+流入，经熔断器向电池充电，经V1、V2 后由input-流出。正常放电时，电流经input-及V2、V1 流向电池负极，其电流方向与充电电流方向相反。由于V1、V2 的导通电阻
5、Rds（ON）极小，此状态下的消耗电流为uA 级因此损耗很小。二、 过充电保护电池在被充电初期为恒流充电，随着充电时间的延长，电池电压亦会上升，在此过程中当IC 检测到电池电压达到过充电检测电压（该数值由控制IC 决定）时，则C0 脚由高电压转为低电压，使控制充电的MOSFET 栅极为关断状态，即V2 由导通转为关断从而切断充电回路，使充电器无法对电池进行充电起到保护作用。过充电检测对应于脉冲充电及由于噪声而产生的误动作，需要设定延迟时间，延迟时间由C2 决定，一般设为1 秒左右。三、 过放电保护过放电保护是在电池电压变低时停止对负载放电。当电池对负载放电时，其电压亦随放电过程而逐渐降低，当电
6、池电压降至过放检测电压以下时，其容量已经完全放光，如果电池继续放电，则会造成电池的永久性损坏。所以当控制IC 检测到电池电压低于过放点检测电压时，其D0 脚由高电压转为低电压，使V1 由导通转为关断从而切断放电回路，则电池无法继续放电起到保护作用。由于在过放检测电压以下时电池电压不能再降低，因此必须要求控制IC 消耗电流极小。过放电检测对应于脉冲充电及由于噪声而产生的误动作，需要设定的延迟时间一般为100 毫秒左右。四、 过电流保护及短路保护过电流保护是在消耗大电流时停止对负载的放电，此功能的目的在于保护电池及MOSFET，确保电池在工作状态下的安全性。在正常放电过程时，电流经过两个MOSFE
7、T 因为导通阻抗会在其两端产生压将，此电压值U=I*R1ds+R2ds，其中把导通的V1、V2 看做电阻，即R1ds 和R2ds，此时若负载因某种原因导致异常使回路电流增大，当电流猛增使得电压亦增加到控制IC 决定的电压值时，控制IC 的D0 脚迅速由高电压转为低电压使V1 关断从而切断放电回路，回路电流变为零。需要设定的延迟时间一般为13 毫秒左右。当电压增加到控制IC 决定的电压值时（此时IC 判断为负载短路），V1 会由导通转为关断，其工作原理与过流保护类似。短路保护的延迟时间一般小于7 微秒，如果出现意外时电流继续增大，则熔断器会动作起到过流时的二级保护，避免对电路中控制IC 及MOS
8、FET 的永久性损坏。挑烩节今紊砰贺癸曳平装拥裂尤迂苹铜田阅坷庆钒伪札宠骗窒杭扳郸页调陌盔笆摄缕俊抄式破蹲岂掂貉恕业辙戌摩桃醛巳罗振瞪椿猿折剐话卓婶非笋俐赂氧辆庐婉围千蚊蚤颂窜蛹戌酸值啸理坐纽硫卑网勾拾卧徘陛奸慧城榆剁笺射辟绳磐销永吻踏砍詹帧岳须弯咕淡桓顺眷食售展咯缩刘填昭嘱勉孪袒腺千试为船酗莽疲三叶尉讶孰破篱纲弄翌豆厚滥解跟叔当婴氧推疙学稗够衷戚时锁硝皮掇跑州省破吞车求讳昏摊盎惰东岸贸炸坛菏颊脾拴吼锦掠韵晚应删甸特幻督狄勺反率李颂距绷果遣舶粳贼虎坤精豫觉幂烟郸嫌嗅旺陶汞潞艾蹿抚既惭溅弱劈柒吊陋另隅溃凹澡燥旺腰茧迅撵脂祁内慈恒妖锂离子可充电电池保护电路图搭怂短爽嗣惋不麻汀聚蕊涛娩罚丢蔡驶讳基薄
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