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1、半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（ ） 。A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（ ） 。A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流 Is 将增大，是因为此时 PN 结内部的（ ） A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小4、PN 结反向向偏置时，其内电场被（ ） 。A.削弱 B.增强 C.不变 D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发 时，本征半导体中( ) 载流
2、子。A.有 B.没有 C.少数 D.多数6、 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ ） 。A 减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻 D. 减小输出电阻7、以下所列器件中， （ ）器件不是工作在反偏状态的。A、光电二极管 B、发光二极管 C、变容二极管 D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时， （ ） 。A. 发射结和集电结均反偏 B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏 D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ ）电路。A.差放 B.正弦 C.数字
3、D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为 0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ ） 。ANPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（ ） 。AP 沟道增强型 MOS 管 B.P 沟道结型场效应管 C.N 沟道增强型 MOS 管 D.N 沟道耗尽型 MOS 管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ） 。A输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知 V1 的 1 = 30，V 2 的 2 = 50，则复合后的
4、 约为（ ） 。A1500 B.80 C.50 D.3015、发光二极管发光时，工作在( )。A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D不确定16、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ）A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 等于零17、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ ） 。A. 非饱和区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 击穿区0iD/mA-4 uGS/V518、稳压二极管稳压时，其工作在( )。A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D.饱和区19、集成运放电路采用直接耦合方式是因为 （ ）A. 可获得较高增益 B. 可使温漂变小C. 在集成工艺中难于制造大电容 D. 可
5、以增大输入电阻20、测得BJT各电极对地电压为： VB=4.7V，V C=4.3V，VE=4V，则该BJT工作在（ ）状态。A.截止 B.饱和 C.放大 D. 无法确定21、FET是（ ）控制器件。A. 电流 B.电压 C.电场 D.磁场22、通常要求运算放大器带负载能力强，在这里，负载的大小是指负载（ ） 。A.电阻大 B. 功率大 C. 电压高 D.功率小23、二极管的电流方程是（ ） 。A B. C. D. uSeITVuSI)1(TVuSeITVSeI24、FET是（ ）控制器件。A. 电流 B.电压 C.电场 D.磁场25、三极管工作在饱和状态的条件是（ ） 。A.发射结正偏，集电结
6、正偏 B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结正偏26、测得工作在放大状态的 BJT 三个管脚 1、2、3 对地电位分别为 0V，-0.2V，-3V ，则 1、2、3 脚对应的三个极是（ ） 。A.ebc B.ecb C.cbe D.bec27、稳压二极管是利用 PN 结的（ ） 。A.单向导电性 B.反向击穿性C.电容特性 D.正向特性28、测得工作在放大状态的 BJT 三个管脚 1、2、3 对地电位分别为 0V，-0.2V，-3V ，则 1、2、3 脚对应的三个极是（ ） 。A.ebc B.ecb C.cbe D.bec29、半导体稳压二极管正常稳压时，
7、应当工作于（ ） 。A.反向偏置击穿状态 B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态 D.正向偏置未导通状态30、 当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（）A集电极最大允许功耗 B集电极最大允许电流 C集基极反向击穿电压 （） D. （）E31、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。A. 正、反向电阻相等 B. 正向电阻大 ，反向电阻小C. 反向电阻比正向电阻大很多倍 D. 正、反向电阻都等于无穷大32、电路如图 1 所示，设二极管 D1，D 2，D 3 的正向压降忽略不计，则输出电压 uO =（ ） 。 A . 2V B. 0V C. 6V D. 1
8、2V0V62V12VRD321uO+-33、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ） 。A.反向偏置击穿状态 B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态 D.正向偏置未导通状态34、结型场效应管利用栅源极间所加的( )来改变导电沟道的电阻。A.反偏电压 B.反向电流 C.正偏电压 D.正向电流35、场效应管是属于（ ）控制型器件。A.电压 B.电流 C.电感 D.电容36、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ） 。A.反向偏置击穿状态 B.反向偏置未击穿状态 C.正向偏置导通状态 D.正向偏置未导通状态37、测量某硅 BJT 各电极的对地电压值为 ， ， ，该管子工作在（ ）VUC6
9、B2VUE3.1A.放大区 B.截止区 C.饱和区 D.无法判断38、如图 1 所示复合管，已知 V1 的 1 = 30，V 2 的 2 = 50，则复合后的 约为（ ） 。A1500 B.80 C.50 D.3039、共模抑制比 越大，表明电路（ ） 。CMRKA.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 C.抑制温漂能力越强 D.输入信号的差模成分越大二、填空题：40、根据是否掺入杂质，半导体可分为 半导体和 半导体两大类。41、N 沟道场效应管中的载流子是 ，P 沟道场效应管中的载流子是 。42、图 1 所示处于反向截止状态的 PN 结，则 a、b 两区分别是 PN 结的区、 区。图 1V2
10、V1图 143、PN 结是靠多数载流子的 运动和少数载流子的 运动形成的。44、 PN结中内电场阻止 的扩散，推动 的漂移运动。45、二极管的特性是 ，场效应管是 控制型器件。46、集成运放是多级 耦合放大器。47、 BJT工作在放大区时，其发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。48、集成运放内部是一个具有高放大倍数的 耦合的放大电路，故它的主要缺点是 ，为了克服这一缺点，输入级一般采用 电路提高放大倍数，中间级一般采用 负载，放大管多用 ；为了提高功率，输出级常采用互补对称电路。49、BJT 是 控制器件， FET 是 控制器件。50、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为，
11、则此二极管_；若两次读数都接近零，则此二极管_；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管_。51、设如图 3 电路中, D 1 为硅二极管 , D2 为锗二极管, 则D1 处于 状态, D 2 处于 状态, 输出电压Uo 为 伏。52、 BJT工作在截止区时，其发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。53、结型场效应管输入回路 PN 结处于 状态，因此它的输入电阻比双极型三极管的输入电阻 。54、晶体三极管的输出特性曲线一般分为三个区，即： 、 、 ；要使三极管工作在放大区必须给发射结加 ，集电结加 。55、测得工作在放大电路中的晶体管三个电极电位 分别为，321,U，则此管是 型三极管，材料为 。
12、VUVU12,3.,62156、理想运放有“虚短”即指 和“虚断”即指 两个重要特性， “虚地”是 的特殊情况。57、二极管最主要的特性是 。58、.在选用整流二极管时，主要应考虑参数 、 。59、在室温下，某三极管的 ICBO=8A， =70，穿透电流为 mA 。另一只三极管的电流值：I B = 20A 时 IC = 1.18mA、I B = 80A 时 IC = 4.78mA，该管的 = 。60、整流二极管的整流作用是利用 PN 结的 特性，稳压管的稳压作用是利用 PN 结的 特性。三、判断题：61、运放的输入失调电压 UIO 是两输入端电位之差。 （ ）62、因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ）63、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。 （ ）64、P型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P型半导体带正电。 （ ）65、本征半导体不带电，P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ ）66、N 型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 （
