半导体激光器P-I特性测试实验

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1、 本科实验报告课程名称: 光纤通信 实验项目:半导体激光器 P-I 特性测试实验实验地点: 专业班级: 学 号: 学生姓名: ALXB 指导教师: 年 月 日实验一 半导体激光器 P-I 特性测试实验 1、实验目的1、学习半导体激光器发光原理和光纤通信中激光光源工作原理2、了解半导体激光器平均输出光功率与注入驱动电流的关系3、掌握半导体激光器 P(平均发送光功率)-I(注入电流)曲线的测试方法二、实验仪器1、ZY12OFCom13BG3 型光纤通信原理实验箱 1 台2、FC 接口光功率计 1 台3、FC/PC-FC/PC 单模光跳线 1 根4、万用表 1 台5、连接导线 20 根三、实验原理半

2、导体激光二极管(LD)或简称半导体激光器,它通过受激辐射发光,是一种阈值器件。处于高能级 E2 的电子在光场的感应下发射一个和感应光子一模一样的光子,而跃迁到低能级 E1,这个过程称为光的受激辐射,所谓一模一样,是指发射光子和感应光子不仅频率相同,而且相位、偏振方向和传播方向都相同,它和感应光子是相干的。由于受激辐射与自发辐射的本质不同,导致了半导体激光器不仅能产生高功率(10mW)辐射,而且输出光发散角窄(垂直发散角为 3050,水平发散角为 030) ,与单模光纤的耦合效率高(约 3050) ,辐射光谱线窄(0.11.0nm) ,适用于高比特工作,载流子复合寿命短,能进行高速信号(20GH

3、z)直接调制,非常适合于作高速长距离光纤通信系统的光源。P-I 特性是选择半导体激光器的重要依据。在选择时,应选阈值电流 尽可能小,thI对应 P 值小,而且没有扭折点的半导体激光器。这样的激光器工作电流小,工作稳定性thI高,消光比大,而且不易产生光信号失真。并且要求 P-I 曲线的斜率适当。斜率太小,则要求驱动信号太大,给驱动电路带来麻烦;斜率太大,则会出现光反射噪声及使自动光功率控制环路调整困难。半导体激光器可以看作为一种光学振荡器,要形成光的振荡,就必须要有光放大机制,也即激活介质处于粒子数反转分布,而且产生的增益足以抵消所有的损耗。将开始出现净增益的条件称为阈值条件。一般用注入电流值

4、来标定阈值条件,也即阈值电流 。在实验中所用到半导体激光器输出波长为 1310nm,带尾纤及 FC 型接口。半thI导体激光器作为光纤通信中应用的主要光源其性能指标直接影响到系统传输质量,因此 PI特性曲线的测试了解激光器的性能是非常重要的,半导体激光器驱动电流的确定是通过测量串联在电路中的 R110 上的电压值。电路中的驱动电流在数值上等于 R110 两端电压与电阻之比。为了测试更加精确,实验中先用万用表测出 R110 的精确值,计算得出半导体激光器的驱动电流,然后用光功率计测的一定驱动电流下半导体激光器发出激光的功率,从而完成 PI 特性的测试,并可根据 PI 特性得出半导体激光器的斜率效

5、率。图 1 LD 半导体激光器 P-I 曲线示意图四、实验内容1、测量半导体激光器输出功率和注入电流,并画出 P-I 关系曲线。2、根据 PI 特性曲线,找出半导体激光器阈值电流,计算半导体激光器斜率效率。五、实验步骤1、将光发模块中的可调电阻 W101 逆时针旋转到底,使数字驱动电流达到最小值。2、用万用表测得 R110 电阻值,找出所测电压与半导体激光器驱动电流之间的关系(VIR110) 。3、拨动双刀三掷开关,BM1 选择到半导体激光器数字驱动,BM2 选择到 1310。4、旋开光发端机光纤输出端口(1310nm T)防尘帽,用 FC-FC 光纤跳线将半导体激光器与光功率计输入端连接起来

6、,并将光功率计测量波长调整到 1310nm 档。5、连接导线:将 T502 与 T101 连接。6、连接好实验箱电源,先开交流电源开关,再开直流电源开关,即按下 K01,K02 (电源模块),并打开光发模块和数字信号源的直流电源(K10 与 K50) 。7、用万用表测量 R110 两端电压(红表笔插 T103,黑表笔插 T104) 。8、慢慢调节电位器 W101,使所测得的电压为下表中数值,依次测量对应的光功率值,并将测得的数据填入下表。9、做完实验后先关闭光发模块(K10) ,然后依次关掉各直流开关(电源模块) ,以及交流电开关。10、拆下光跳线及光功率计,用防尘帽盖住实验箱半导体激光器光纤

7、输出端口,将实验箱还原。11、将各仪器设备摆放整齐。六、实验步骤1、根据实验记录数据,算出半导体激光器驱动电流,画出光功率与注入电流的关系曲线。RLD 的 P-I 特性测试表U(mV) 1 2 3 4 5 6 7 8I(mA) 0.95 1.9 2.86 3.81 4.76 5.71 6.67 7.62P(uW) 0.03 1.45 11.21 20.26 30.23 40.35 50.3 59.6U(mV) 9 10 12 14 16 18 20 22I(mA) 8.57 9.52 11.43 13.33 15.24 17.15 19.05 20.95P(uW) 70.89 80.45 10

8、0.8 121.1 141.2 161.7 180.5 201.2U(mV) 24 26 28 30 32 34 36 38I(mA) 22.86 24.76 26.67 28.57 30.48 32.38 34.29 36.19P(uW) 219.1 239.1 260.6 281.2 301.9 322.1 341.1 360.82、根据所画的 P-I 特性曲线,找出半导体激光器阈值电流 的大小。thI图 2 P-I 特性曲线由上图可知半导体激光器阈值电流 =5mA.thI3、根据 P-I 特性曲线,求出半导体激光器的斜率效率为,当 时,thI。mAdBIPK/6-七、注意事项1、半导体激

9、光器驱动电流不可超过 40mA,否则有烧毁激光器的危险。2、由于光功率计,光跳线, 光功率计等光学器件的插头属易损件,使用时应轻拿轻放,切忌用力过大。八、 思考题1、试说明半导体激光器发光工作原理。答:半导体激光器工作原理是激励方式,利用半导体物质(既利用电子)在能带间跃迁发光,用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜,组成谐振腔,使光振荡、反馈、产生光的辐射放大,输出激光。半导体激光二极管(LD)或简称半导体激光器,它通过受激辐射发光, (处于高能级 E2 的电子在光场的感应下发射一个和感应光子一模一样的光子,而跃迁到低能级 E1,这个过程称为光的受激辐射2、环境温度的改变对半导体激光器 P-I 特性有何影响?答:随着温度的上升,阈值电流越来越大,功率随电流变化越来越缓慢。3、分析以半导体激光器为光源的光纤通信系统中,半导体激光器 P-I 特性对系统传输性能的影响。答:当注入电流较小时,激活区不能实现粒子束反转,自发发射占主导地位。 ,激光器发射普通的荧光。随着注入电流的增加,激活器里实现了粒子束反转,受激辐射占主导地位。但当注入电流小于阈值电流时,谐振腔内的增益还不足以克服如介质的吸收、镜面反射不完全等引起的谐振腔的损耗时,不能在腔内建立起振荡,激光器只发射较强荧光。只有当注入电流大于阈值电流时,才能产生功率很强的激光。

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