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1、第四章 电力晶体管,4.1 GTR结构,双极型大功率、高反压晶体管GTR （巨型晶体管） Giant Transistor 三层半导体材料，两个PN结(NPN型、PNP型)。,一、工艺特点 三重扩散；叉指型基极和发射极； 特点：发射区高浓度掺杂 基区很薄（几um几十um）,N-掺杂浓度低，提高耐压能力,N+集电区收集电子,使用时要求：发射结正偏，集电结反偏。,二、GTR与普通晶体管区别,1.普通晶体管：信号晶体管，用于放大信号； 要求增益适当，fT高，噪声系数低，线性度好，温度漂移 和时间漂移小。工作于放大区，以载流子运动为出发点， 分析载流子扩散、漂移、复合现象。电流控制特性为线性 关系。
2、2.GTR：用于功率开关； 要求容量足够大，高电压，大电流，适当增益，较高工作 速度，较低功率损耗。 3.大电流工作下，普通晶体管出现的新特点： 基区大注入效应：引起电流增益下降。 基区扩展效应：使基区注入效率降低，增益下降，fT减小。 发射极电流集边效应：引起电流局部集中，产生局部过热。 因此，GTR在结构上应采取适当措施，减小上述效应。,三、单管GTR,采用三重扩散，台面型结构；可靠性高，对二次击穿特性有改善，易于提高耐压，易于耗散体内热量。 增加N-漂移区，由它的电阻率和厚度决定器件阻断能力，但阻断能力提高，使饱和导通电阻增大，电流增益降低。 一般： 约1020 工作状态：开关状态（导通
3、、截止；开通、关断）,饱和压降低,漏电流小,时间短,四、达林顿GTR,为提高电流增益，由两个或两个以上晶体管复合组成。,NPN型,PNP型,特点： 电流增益增大： 1 2 ，达几十倍几千倍； 饱和压降VCES增大：VCES VCES1+VBES2 V2管无法饱和导通，VCE2=VCES1 ，反偏状态；导通损耗增大。 开关速度慢：开通时，V1驱动V2； 关断时，V1先关断，V2才能关断，且V2关断 无泻流通路。 改进：,R1、R2稳定电阻，提高温度稳定性和电流通路。 VD1引入，加速V2、V1的同时关断，引出B2极可另外控制。,五、GTR模块 将GTR管芯、稳定电阻R1R2、加速二极管VD1、续
4、流二极管VD2组成一个单元。将几个单元组合在一个外壳内模块。 利用集成工艺将上述单元集成于同一硅片上，器件集成度高，小型轻量化，性能/价格比高。,单臂桥式电路模块,单相桥式电路模块；三相桥式电路模块；,4.2 GTR特性与参数,一、静态特性与参数 1共射输出特性：,发射结正偏集电结反偏VCES很小,临界饱和,断态，漏电流很小,放大区 严禁工作,2饱和压降： 如图：GTR深饱和时，等效电路；,VBES：基极正向压降 通态下，B-E极电压；,VCES：饱和压降 通态下，C-E极电压；,一般，由于发射区高浓度掺杂，rES可忽略； VCES的大小，关系器件导通功率损耗。达林顿管，VCES、VBES较大
5、。,TC35-400型GTR：电流50A， = 5； VCES随IC电流增大而增大；IC不变时，随温度增加而增加。 VBES随IC电流增大而增大；小电流下，随温度增大而减小， PN结负温度系数。大电流下，随温度增大而增大。,饱和压降特性曲线,基极正向压降特性曲线,3共射电流增益 ：反映GTR的电流放大能力，IC与IB比值。,GTR正向偏置时，F随IC减小而减小，基区复合电流占的比例增大。 随IC增大，增大，IC增大到一定程度=max，IC再增大，由于基区大注入效应、基区扩展效应，开始下降。,管子温度相同时，VCE越大，越大。 随温度增加而增加，大电流下，随温度增加而减小。 GTR反接时，很小。
6、,4最大额定值极限参数 由GTR材料、结构、设计水平、制造工艺决定。 最高电压额定值： BVCEO，BVCBO，BVCES，BVCER，BVCEX O：另一极开路；S：短路；R：外接电阻；X：反向偏置；,Va:：IB=0时，IC电流急剧 增加时电压； Vb:：IE=0时，IC电流急剧 增加时电压；,一般：,另：BVEBO集电极开路时，发射结最高反向偏置电压。 几伏，典型值8V。,最大电流额定值： 大电流下，三种物理效应会使GTR电气性能变差，甚至损坏器件。 集电极电流最大额定值ICM： ICM定义：a.以值下降到额定值1/2到1/3时，对应IC值。 b.以结温和耗散功率为尺度确定ICM。 最大
7、脉冲电流额定值： 直流ICM的1.5倍定额；引起内部引线熔断的集电极电流； 引起集电结损坏的集电极电流。 基极电流最大额定值IBM： 内部引线允许流过的最大基极电流，约为（1/21/6）ICM,最高结温TJM 塑封，硅管：12501500C； 金属封装，硅管：15001750C； 高可靠平面管：17502000C； 最大功耗PCM PCM = VCE IC 受结温限制，使用时注意散热条件。 例：3DF20型GTR各最大额定值参数：,二、动态特性与参数 动态特性是GTR开关过程的瞬态性能，称开关特性；主要受结电容（势垒电容、扩散电容）充、放电和两种载流子运动影响。 如图：TC40U400型GTR
8、动态特性实验电路和电流波形,电路参数： VCC=200V；RC=10 ； RB1=4.7 ； RB2=1.2 ；,1开通时间ton： ton = td + tr （ns级，很小） td：延迟时间，基极电流向发射结电容充电。大小取决于结 电容大小、驱动电流大小和上升率，及反偏时电压大小。 tr：上升时间，取决于稳定电流和驱动电流大小。 2关断时间toff： toff = ts + tf ts：存储时间，过剩载流子从体内抽走时间，由反向驱动电 流大小决定。(3us) tf：下降时间，取决于结电容、正向集电极电流大小。(1us) 说明：为加速开通，采用过驱动方法，但基区过剩大量载流子， 关断时，载流
9、子耗散严重影响关断时间； 减小关断时间，可选用电流增益小的器件，防止深饱和， 增加反向驱动电流。,3集电极电压上升率dv/dt对GTR的影响 当GTR用于桥式变换电路时，如图：,dv/dt产生的过损耗现象严重威胁器件和电路安全；当基极开路时， dv/dt通过集电结寄生电容产生容性位移电流，注入发射结形成基极电流，放大倍后，形成集电极电流，使GTR进入放大区，因瞬时电流过大引起二次击穿。在GTR换流关断时，dv/dt会引起正在关断的GTR误导通，造成桥臂直通。 抑制dv/dt，可在集射极间并联RCD缓冲网络进行吸收。,三、二次击穿与安全工作区 （一）二次击穿现象 一次击穿电压BVCEO ；发生一
10、次击穿后，电流急剧增大，若外接有限流电阻，不会损坏GTR。否则，集电极电流继续增大，在某电压、电流点产生向低阻抗区高速移动的负阻现象，称为二次击穿。用S/B表示。 二次击穿时间很短，纳秒到微秒数量级，短时间内的大电流会使器件内出现明显的电流集中和过热点（热斑），轻者使GTR耐压降低，性能变差；严重时，集电结、发射结熔通，永久损坏。 二次击穿按偏置状态分为两种：正偏二次击穿和反偏二次击穿。,1正偏二次击穿：BE结正偏，GTR工作于放大区。,如图，GTR正偏时，由于基极与发射极在同一平面，基区电阻存在，使发射结各点的偏置电压不同，边缘大而中心小。同时存在的集射电场将电流集中到发射极边缘下很窄的区域
11、内，造成电,流局部集中，电流密度大，温度升高，出现负阻现象，严重时造成热点、热斑，使PN结失效。 热点严重程度与基区宽度成反比；与集电极外加电压成正比。,2反偏二次击穿：GTR导通 截止变化时，发射结反偏。 存储电荷存在，使CE间仍流过电流，由于基区电阻存在，使发射极与基极相接的周边反偏电压大，中心反偏很弱，甚至仍为正偏。造成发射极下，基区的横向电场由中心指向边缘，形成集电极电流被集中于发射结中心很小局部的不均匀现象。在该局部电流密度很高，形成二次击穿热点。 一般，比正向偏置时低很多的能量水平下，即可发生二次击穿。 影响二次击穿的因素：集电极电压、电流；负载性质；导通脉冲宽度；基极电路的配置、
12、材料和工艺等。 二次击穿由于器件芯片局部过热引起，热点形成需要能量积累，需要一定的电压、电流数值和一定的时间。,二次击穿特性曲线：,IS/B：二次击穿触发电流 PS/B：二次击穿触发功率 PS/B = IS/B * VCE,集射极保持电压,外加电压越高，电流更易集中而产生热点， IS/B下降。,（二）安全工作区：SOA GTR运行中受电压、电流、功率损耗和二次击穿定额限制的安全工作范围。,正向偏置安全工作区FBSOA,反向偏置安全工作区RBSOA,反向关断电流,脉冲宽度,直流安全工作区,四、温度特性与散热 半导体器件特性参数随温度升高而变差，如：耐压降低，VCES升高、IC增大、输出功率下降，
13、PCM和PS/B下降，安全区面积缩小。 为保证GTR不超过规定的结温，应根据容量等级配以相应的散热器和采用相应的冷却方式。否则，会因结温过高导致热损坏。 减小GTR的发热，应从根本上减小功耗。在开关状态下工作的GTR，功耗由静态导通功耗、动态开关损耗和基极驱动功耗三部分。减小导通压降，采用缓冲电路、改变主电路形式（谐振型）均可减小功耗，减少发热。,GTR静态参数：,GTR动态参数：,4.3 GTR驱动和保护,一、驱动电路设计原则 1GTR的特点 全控型器件，功率大，热容量小，过载能力低。 与SCR相比，具有自关断能力，使DCAC，DCDC，ACAC变换电路的变换方式灵活，控制方便，主电路结构简
14、单。但GTR驱动方式直接影响管子工作状态和管子特性。 如：过驱动（驱动电流大）可减小开通损耗，降低导通压降，但对关断不利，增加关断损耗，对管子di/dt影响很大。 GTR过载/短路时，us级时间内，结温会超过最大允许值，导致器件损坏，不能用快速熔断器、过流继电器（ms级）进行主电路切断保护。在系统出现故障时，需快速检测，对控制信号加以关断（缓关断），因此驱动与保护密切联系。,2驱动电路设计原则 最优化驱动特性：应提高开关速度，减小开关损耗。,开通时：基极电流上升沿快速且短时过冲，加速开通。 导通后：VCES较低，导通损耗小。为减小关断时间，应工作在准饱和状态。 关断时：提供反向驱动电流，加速载
15、流子耗散，缩短关断时间，减小关断损耗。,驱动方式：由主电路结构决定 直接驱动：简单驱动、推挽驱动、抗饱和驱动 隔离驱动：光电隔离、电磁隔离 快速保护功能： GTR故障时，自动关断基极驱动信号，保护GTR。 如:抗饱和、退抗饱和、过流、过压、过热、脉宽限制、 智能化自保护能力。,二、基极驱动电路基本形式 （一）恒流驱动电路： 基极电流恒定，不随IC电流变化而变化。 IB ICmax / 问题:空载、轻载时，饱和深度加剧，存储时间大，关断时间长。 改进：1抗饱和电路（贝克嵌位电路）,VD2存在，使GTR导通时b-c结处于零偏或轻微正偏，基极多余电流由VD2从集电极流出，管子处于准饱和状态。VCES
16、=VBE+VD1VD2=VBE VD1、VD2抗饱和二极管；根据不同情况调整VD1数量，控制VCES大小。,VD2应选快速二极管，耐压与GTR一致，电流 IB VD1、VD3为普通二极管，VD1反向恢复有助于GTR关断。 缺点：导通损耗增大。,截止反偏驱动电路 目的：关断时加反偏驱动，迅速抽出基区过剩载流子，减 小存储时间，加速GTR关断。 单极性脉冲变压器驱动电路,缺点：变压器单边工作，有直流磁化现象，铁心体积大。 反偏电压大小随导通时间变化。,电容储能式驱动电路 工作原理： Vi高电平，*端为正，W2经GTR的B-E结、C、VD2使GTR导通，V截止，电容C充电。 Vi低电平，*端为负， VD2截止，W2经还在导通的B-E结、R2、V发射结、C使V迅速饱和导通，电容C上电压反加于GTR的B-E结，GTR迅速截止
