嵌入式系统第四章s

上传人:xiao****1972 文档编号:78589950 上传时间:2019-02-14 格式:PPT 页数:178 大小:1.96MB
返回 下载 相关 举报
嵌入式系统第四章s_第1页
第1页 / 共178页
嵌入式系统第四章s_第2页
第2页 / 共178页
嵌入式系统第四章s_第3页
第3页 / 共178页
嵌入式系统第四章s_第4页
第4页 / 共178页
嵌入式系统第四章s_第5页
第5页 / 共178页
点击查看更多>>
资源描述

《嵌入式系统第四章s》由会员分享,可在线阅读,更多相关《嵌入式系统第四章s(178页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、嵌入式系统讲义 第4章 S3C2410X系统结构,1、S3C2410X主要特性有哪些? 2、S3C2410X的结构分为几个部分?每一部分主要由哪些部件构成? 3、S3C2410X的存储器由哪几部分构成,每一部分有什么特点?存储器主要有哪些控制寄存器? 4、S3C2410X的Flash有哪些特点? 5、S3C2410X的DMA有哪些特点?其工作过程是怎样的?每个通道配置有哪些寄存器? 6、S3C2410X的A/D转换器有哪些特点?有哪些相关的寄存器? 7、编写一程序,用查询的方式,对S3C2410X的A/D转换器的第0通道连续进行100次A/D转换,然后将其结果求平均值。注意:A/D转换器有独立

2、的模拟信号输入引脚AIN0-AIN9。,8、S3C2410X的中断系统有哪些特点?相关的寄存器有哪些? 9、S3C2410X的中断控制器的工作过程是怎样的?对于IRQ,整个中断过程是怎样的(中断控制器处理,向CPU请求,转到中断入口,转去获得中断服务程序的首地址,执行中断服务程序)? 10、编写一程序,使用外部中断EINT0,用中断方式对端口C做数据输入。(注意对中断系统和相关引脚进行初始化) 提示:C语言指向特定地址的方法: (1)#define rGPCDAT (*(volatile unsigned *)0x56000024) (2)int *rGPCDAT=0x56000024; (3

3、)int *rGPCDAT; rGPCDAT=0x56000024; 用第一种方法为好。 11、S3C2410X的定时器系统有哪些特点?由哪几部分构成?相关的寄存器有哪些?是如何工作的?,12、编写一程序,使用timer0产生并输出频率为10KHz、占空比为1/2的方波。设f pclk=50MHz。(注意对timer0和相关引脚初始化) 13、编写一程序,利用S3C2410X的PWM功能对一直流电机进行调速,要求使用timer1产生并输出频率为10KHz、占空比可变的方波进行控制,电机的转速变化如下图所示。设f pclk=50MHz。(注意对timer0和相关引脚初始化),t0 2*t0 t,

4、v,0,第4章 S3C2410X系统结构,4.1 S3C2410X概述 4.2 存储器配置 4.3 DMA 4.4 ADC和触摸屏接口 4.5 中断控制器 4.6 I/O端口 4.7 PWM,4.8 UART接口 4.9 RTC 4.10 IIC接口 4.11 SPI接口 4.12时钟和电源管理 4.13看门狗 4.14 其它接口,主要内容,4.14 其它接口 1、 USB接口 2、 LCD控制器 3、 SD接口 4、 IIS接口,4.1 S3C2410X概述,主要内容 主要特性 系统结构 引脚信号,4.1 S3C2410X概述,S3C2410X是韩国三星公司推出的16/32位RISC微控制器

5、,其CPU采用的是ARM920T内核,加上丰富的片内外设,为手持设备和其它应用,提供了低价格、低功耗、高性能微控制器的解决方案。 一、主要特性 具有16KB指令Cache、 16KB数据Cache和存储器管理单元MMU。 外部存储器控制器,可扩展8组,每组128MB,总容量达1GB;支持从Nand flash存储器启动。,55个中断源,可以设定1个为快速中断,有24个外部中断,并且触发方式可以设定。 4通道的DMA,并且有外部请求引脚。 3个通道的UART,带有16字节的TX/RX FIFO,支持IrDA1.0功能。 具有2通道的SPI、1个通道的IIC串行总线接口和1个通道的IIS音频总线接

6、口。 有2个USB主机总线的端口,1个USB设备总线的端口。 有4个具有PWM功能的16位定时器和1个16位内部定时器。 8通道的10位A/D转换器,最高速率可达500kB/s;提供有触摸屏接口。 具有117个通用I/O口和24通道的外部中断源。,兼容MMC的SD卡接口。 具有电源管理功能,可以使系统以普通方式、慢速方式、空闲方式和掉电方式工作。 看门狗定时器。 具有日历功能的RTC。 有LCD控制器,支持4K色的STN和256K色的TFT,配置有DMA通道。 具有PLL功能的时钟发生器,时钟频率高达203MHz。 双电源系统:1.8/2.0V内核供电,3.3V存储器和I/O供电。,二、系统结

7、构 主要由两大部分构成: ARM920T内核 片内外设。,1、ARM920T内核 由三部分:ARM9内核ARM9TDMI、32KB的Cache、MMU。,2、片内外设 分为高速外设和低速外设,分别用AHB总线和APB总线。,三、引脚信号 S3C微控制器是272-FBGA封装。 其信号可以分成 addr0-addr26、 Data0-data31、 GPA0-GPA22 GPB10、GPC15、 GPD15、GPE15、 GPF7、GPG15、 GPH10、EINT23、 nGCS0nGCS7、 AIN7、IIC、SPI、 OM0-OM3 等,大部分都是复用的,4.2 S3C2410X的存储器,

8、主要内容 存储器配置 存储器概述 控制寄存器 Flash及控制器 Flash控制器概述 控制器主要特性 控制器的寄存器 控制器的工作原理,4.2 存储器配置,4.2.1 S3C2410X的存储器配置 一、概 述 S3C2410X的存储器管理器提供访问外部存储器的所有控制信号:26位地址信号、32位数据信号、8个片选信号、以及读/写控制信号等。 S3C2410X的存储空间分成8组,最大容量是1GB,bank0-bank5为固定128MB,bank6和bank7的容量可编程改变,可以是2、4、8、16、32、64、128MB,并且bank7的开始地址与bank6的结束地址相连接,但是二者的容量必须

9、相等。 bank0可以作为引导ROM,其数据线宽只能是16位和32位,复位时由OM0、OM1引脚确定;其它存储器的数据线宽可以是8位、16位和32位。 S3C2410X的存储器格式,可以编程设置为大端格式,也可以设置为小端格式。,注意:补充引脚信号,二、存储器的控制寄存器 内存控制器为访问外部存储空间提供存储器控制信号, S3C2410X存储器控制器共有13个寄存器。,1、总线宽度和等待控制寄存器,STn:控制存储器组n的UB/LB引脚输出信号。 1:使UB/LB与nBE3:0相连; 0:使UB/LB与nWBE3:0相连 WSn:使用/禁用存储器组n的WAIT状态 1:使能WAIT;0:禁止W

10、AIT DWn:控制存储器组n的数据线宽 00:8位;01:16位;10:32位;11:保留,Tacs:设置nGCSn有效前地址的建立时间 00:0个;01:1个;10:2个;11:4个时钟周期 Tcos:设置nOE有效前片选信号的建立时间 00:0个;01:1个;10:2个;11:4个时钟周期 Tacc:访问周期 000:1个;001:2个;010:3个;011:4个时钟 100:6个:101:8个;110:10个;111:14个,2、BANKn-存储器组控制寄存器(n=0-5),Tcoh:nOE无效后片选信号的保持时间 00:0个;01:1个;10:2个;11:4个时钟 Tcah: nGC

11、Sn无效后地址信号的保持时间 00:0个;01:1个;10:2个;11:4个时钟 Tacp:页模式的访问周期 00:2个;01:3个;10:4个;11:6个时钟 PMC:页模式的配置,每次读写的数据数 00:1个;01:4个;10:8个;11:16个 注:00为通常模式。 注:紫色为实验箱上的配置,其值为0x0700,MT:设置存储器类型 00:ROM或者SRAM,3:0为Tacp和PMC; 11:SDRAM, 3:0为Trcd和SCAN; 01、10:保留 Trcd:由行地址信号切换到列地址信号的延时时钟数 00:2个时钟;01:3个时钟;10:4个时钟 SCAN:列地址位数 00:8位;

12、01:9位; 10:10位,3、BANK6/7-存储器组6/7控制寄存器,REFEN:刷新控制。 1:使能刷新;0:禁止刷新 TREFMD:刷新方式。 1:自刷新 0:自动刷新 Trp:设置SDRAM行刷新时间(时钟数) 00:2个时钟;01:3个;10:3个;11:4个时钟 Tsrc:设置SDRAM行操作时间(时钟数) 00:4个时钟;01:5个;10:6个;11:7个时钟 注: SDRAM的行周期= Trp + Tsrc。 Refresh_count:刷新计数值,4、REFRESH-刷新控制寄存器,Refresh_count:刷新计数器值 计算公式: 刷新周期=(211- Refresh_

13、count+1)/HCLK 例子:设刷新周期=15.6s,HCLK=60MHz 则 刷新计数器值=211+1-6015.6=1113 1113=0x459=0b10001011001,高24位未用。 BURST_EN:ARM突发操作控制 0:禁止突发操作;1:可突发操作 SCKE_EN:SCKE使能控制SDRAM省电模式 0:关闭省电模式;1:使能省电模式 SCLK_EN:SCLK省电控制,使其只在SDRAM访问周期内使能SCLK 0:SCLK一直有效;1:SCLK只在访问期间有效 BK76MAP:控制BANK6/7的大小及映射,5、BANKSIZE-BANK6/7组大小控制寄存器,BK76M

14、AP:控制BANK6/7的大小及映射 100:2MB; 101:4MB; 110:8MB 111:16MB; 000:32MB; 001:64MB 010:128MB,WBL:突发写的长度。0:固定长度;1:保留 TM:测试模式。 00:模式寄存器集;其它保留 CL:列地址反应时间 000:1个时钟;010:2个时钟; 011:3个时钟;其它保留 BT:猝发类型 0:连续; 1:保留 BL:猝发时间 000:1个时钟;其它保留,6、MRSRB6/7-BANK6/7模式设置寄存器,4.2.2 Nand Flash及其控制器,主要内容 1、Nand Flash控制器概述 2、控制器主要特性 3、控

15、制器的寄存器 4、控制器的工作原理,4.2.2 Nand Flash及其控制器,Nor flash存储器:读速度高,而擦、写速度低,容量小,价格高。 Nand flash存储器:读速度不如Nor flash,而擦、写速度高,容量大,价格低。有取代磁盘的趋势。 因此,现在不少用户从Nand flash启动和引导系统,而在SDRAM上执 行主程序代码。 一、Nand Flash控制器概述 S3C2410X微控制器从Nand flash的引导功能:其内部有一个叫做“起步石(Steppingstone)”的 SRAM缓冲器,系统 启动时,Nand flash存储器的前面4KByte字节将被自动载入到起

16、步石中,然后系统自动执行这些载入的引导代码。引导代 码执行完毕后,自动跳转到SDRAM执行。 Nand flash操作的校验功能:使用S3C2410X内部硬件ECC功能可以对Nand flash的数据进行有效性的检测。,二、 Nand Flash控制器主要特性 Nand Flash模式:支持读/擦/编程Nand flash存储器。 自动导入模式:复位后,引导代码被送入Steppingstone,传送后,引导代码在 Steppingstone中执行。 具有硬件ECC(纠错码)功能:硬件产生纠错代码。 内部4KB的SRAM缓冲器Steppingstone,在Nand flash引导后可以作为其他用途使用。,Nand Flash控制器功能框图,主要由6部分组成 引脚信号: CLE:命令锁存 R/nB :就绪/忙,三、Nand Flash 控制器的寄存器,NFEN:NF控制器使能控制 0:禁止使用; 1:允许使用 IECC:初始

展开阅读全文
相关资源
正为您匹配相似的精品文档
相关搜索

最新文档


当前位置:首页 > 高等教育 > 大学课件

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号