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1、3.3 半导体二极管(Diode),3.3.1,结构类型和符号,3.3.2,伏安特性,3.3.3,主要参数,3.3.4,典型应用,3.3.5,型号命名规则,3.3.6,特殊二极管,半导体二极管图片,半导体二极管图片,半导体二极管图片,半导体二极管图片,3.3.1 结构类型和符号,二极管 = PN结 + 引线 + 管壳。 类型：点接触型、面接触型和平面型,(1) 点接触型,(a)点接触型,一、结构类型,(c)平面型,(3) 平面型,(2) 面接触型,(b)面接触型,二、符号,标记,D1,D2,Diode,3.3.2 伏安特性,IS :反向饱和电流 VT =kT/q :温度的电压当量 室温（T=3
2、00 K）下， VT=26 mV,一、理想二极管方程 (PN结方程),理想二极管伏安特性曲线,单向导电性,非线性 器件！,实际D与理想D两点区别：,二、实际二极管伏安特性,1)正向(V0)存在死区电压,硅：Vth=0.5 V Threshold 锗：Vth=0.1 V 阈限,2)反向(V0)存在击穿电压 VBR(Breakdown) 雪崩击穿Avalanche 齐纳击穿Zener （均可逆),理想,实际,3.3.3 主要参数,(1) IF最大整流电流,(2) VBR反向击穿电压,长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流,(3) IR(IS) 反向饱和电流,硅 (nA)级；锗 (A)级,(4)
3、 rd 动态电阻,rd =VF /IF 二极管正向特性曲线斜率的倒数,3.3.4 特殊二极管,一、稳压二极管,工作条件： （反向击穿区） 反偏电压+限流电阻 （保护、调压）,符号,问题： 正偏特性？,（二）主要参数,(1) VZ 稳定电压,(2) IZ 稳定工作电流 IZmin IZmax,(3)PZM 最大耗散功率,取决于PN结的面积和散热等条件，超过则热击穿 PZM = VZ IZmax,图B,图A,触敏屏,(light-emitting diode),3.3.6 典型应用与分析方法,二极管典型应用： （1）整流 （2）限幅 （3）逻辑（二极管逻辑） （4）显示器 稳压二极管典型应用：稳压,二极管电路分析方法？,3.3.5 型号命名规则,详见第三版附录 (Page44),二极管电路分析方法 等效模型法（线性化）,整流电路,（a）电路图 （b）vs和vO的波形,限幅电路,电路如图，R = 1k，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sint V时，绘出相应的输出电压vO的波形。,1.正确理解PN结。 2.熟练掌握器件（二极管)的外特性、主要参数。 3.正确理解模型分析法及典型应用。 4.会查阅电子器件手册。,3.4 基本要求,THE END,
