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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划材料科学基础位错理想完整晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中，由于晶体形成(转载于:写论文网:材料科学基础位错)条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。其中晶体缺陷包括3种：点缺陷、线缺陷和面缺陷。位错是典型的线位错，有刃型位错、螺旋位错。晶体中沿某一条线附近的原子排列偏离了理想的晶体点阵结构，从而在一维方向上
2、构成一定尺度的结构缺陷。这种缺陷只在一个方向上延伸，又称为一维缺陷。位错对半导体的影响有以下四方面：1.位错可起一定的施主和受主作用：Si、Ge中的60o棱位错存在有一串悬挂键,可以接受电子而成为一串负电中心,起受主作用，也可以失去电子而成为一串正电中心,起施主作用；这些受主或施主串形成的能级实际上组成一个一维的很窄的能带。不过,单纯的位错即使浓度达到105/cm2,它所提供的载流子浓度也只是约1012/cm3，故对半导体的导电性能的影响实际上不大；但是,当位错密度较高时,它将对n-型半导体中的施主有补偿作用,使电子浓度降低。注解：60o棱位错：半导体Si、Ge晶体中最简单的一种位错就是60度
3、棱位错。因为在(111)晶面内，位错线的方向是方向，该方向与晶面滑移方向互相构成60度的夹角，故有60度棱位错之称。悬挂键：一般晶体因晶格在表面处突然终止，在表面的最外层的每个原子将有一个未配对的电子，即有一个未饱和的键，这个键称为悬挂键。位错密度：穿过单位截面积的位错线数目，单位也是1/平方厘米2.位错是散射载流子的中心：位错除了有一定的施主、受主和杂质补偿的作用以外，位错所造成的晶格畸变是散射载流子的中心,将严重散射载流子,影响迁移率;不过在位错密度，满足hu+kv+lw=0关系，可得：u+v+w0u+v-w0求得uvw比值1:-1:0面上领先位错a11-2/6面上领先位错a112/6(1
4、11)晶面的a11-2/6和(11-1)晶面的a112/6发生位错反应，新位错的柏氏矢量方向为110新位错柏氏矢量方向110与两个滑移面的交线1-10垂直，为刃型位错，新位错滑移面为110与1-10决定的平面，即面，不能滑移新位错的组态性质：新位错柏氏矢量为a110/3，而两个位错反应后位错线只能是两个滑移面与的交线，即1-10，即：位错线与柏氏矢量垂直，故为刃型位错，其滑移面为110与1-10决定的平面，即面，也不是fcc中的惯常滑移面，故不能滑移。十一、总结位错理论在材料科学中的应用。1.可以解释实际强度与理论强度差别巨大原因2.可以解释各种强化理论3.凝固中晶体长大方式之一4.通过位错运
5、动完成塑性变形5.变形中的现象如屈服与应变时效；6.固态相变形核机制7.回复再结晶软化机制8.短路扩散机制9.断裂机制已知位错环ABCDA的柏氏矢量为b，外应力为和，如图所示求：错环的各边分别是什么位错？如何局部滑移才能得到这个位错环？在足够大的剪应力作用下，位错环将如何运动？晶体将如何变形？在足够大的拉应力的作用下，位错环将如何运动？它将变成什么形状？晶体将如何变形？根据前述中的规则，AB是右旋螺位错，CD是左旋螺位错，BC是正刃型位错，DA是负刃型位错设想在完整晶体中有一个贯穿晶体的上、下表面的正四棱柱，它和滑移面MNPQ交于ABCDA。现让ABCDA上部的柱体相对于下部的柱体滑移b，柱体外的各部分晶体均不滑移。这样，ABCDA就是在滑移面上已滑移区和未滑移区的边界，因而是一个位错环剪应力作用下位错环上部的晶体将不断沿X轴方向运动，下部晶体则反向运动。按照lv规则，这种运动必然伴随着位错环的各边向环的外侧，从未导致位错环扩大，如图所示在拉应力作用下，在滑移面上方的BC位错的半原子面和在滑移面下方的DA位错的半原子面都将扩大，因而BC位错将沿-Y轴方向运动。但AB和CD两条螺型位错是不动的，因为螺型位错只有在剪切应力的作用下滑移。位错环就变成图中的情况目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。
