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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划上海交通大学材料科学基础考研XX年真题上海交通大学XX年827材料科学基础考研试题一、选择题就记着几道了：1、在大塑性变形条件下，金属中可能产生A、大量空位B、不记得了C、位错缠结D、位错网络2、计算位错间距3、下列哪一种相变中成分不变而结构改变A、块状转变B、珠光体转变C、魏氏组织转变D、渗碳体析出二、综合题1、在面心立方中有一汤普森四面体如图所示，标出各晶面指数；标出各晶向指数；一位错位错线为BC，柏氏矢量为AD方向，问该位错能否滑移？写出ADC面上柏氏矢量为CD的位错分解的位错
2、反应，并从几何条件和能量条件判断是否可行；写出ABC面上可能的滑移系，若拉伸轴为【100】方向，试问哪个滑移系先开动。2、已知Mg2+的半径和O2-的半径，求MgO晶体的密度和致密度。3、在奥氏体和马氏体中有如下对应关系：K-S关系：K-W关系：请证明从K-S关系绕【111】轴旋转5得到K-W关系。4、给出Fe-N相图，使分析在某一温度下渗氮材料的内部组织，并说明为什么没有两相区存在。5、给出一三元相图，写出计算式即可。写出图中四相反应的名称和反应式；画出图中O点和O点的平衡冷却曲线并写出室温组织；用作图法计算O点室温相组成物的相对量；用作图法计算O点在略高于四相平衡反应时相组成物的相对量。编
3、者注：由于记忆力有限，个别失误在所难免，理解题型和解题思路即可，题中数据请自行查阅。XX年上海交通大学材料科学基础考研真题满分150考试时间180分钟第一题：选择题1.形成无限置换固溶体的必要条件是A.半径差小B.化学亲和力大C.晶体结构相同中不能攀移的位错是/2110/6112/31113.两个柏氏矢量垂直的刃形位错交割形成的割阶为A.刃型位错B.螺型位错C.混合位错4.离子晶体中，R+/R-=时，形成化合物型型型5.晶带定律题，很简单。6.六方11-20对应A.100B.210C.1107.位错应力场中，螺位错正应力分量全为08.非金属原子X填满fcc金属M组成的八面体间隙时，形成的间隙相
4、是9.关于层错能，错误的是A.层错能越高，扩展位错越窄B.层错能越高，冷变形金属越易出现胞状结构C.层错能越高，热加工时越易动态再结晶10.低碳钢应变时效可通过来解释A.固溶强化气团C.弹性后效11.简单立方的致密度12.杂质元素的加入会A.提高B.降低C.不影响单晶，拉伸轴123方向，最先滑移系为A.111B.-101C.10114.单质凝固均匀形核，形成临界晶核时A.液固相自由能自由能差完全抵消两相界面能B.体内有结构、能量、成分起伏C.总的自由能高于未形核时状态15.铁碳合金中，关于莱氏体和珠光体，错误的是内渗碳体含量比P多B.含Ld的合金属铸铁可变为Ld16.二元合金成分过冷表述正确的
5、是A.凝固时，成分过冷越大，越易形成树枝晶B.液相扩散系数越大，越易成分过冷C.凝固温度越宽，越不易成分过冷17.合成高分子材料过程，能析出小分子的是18.三元相图，三相区与单相区接触19.柯肯达尔效应，标记面移动的主要原因是A.两组元原子半径不同B.空位浓度不同C.扩散速率不同20.高分子独有中，四价Ti离子被还原为三价，将会出现22.二元反应扩散A.存在两相混合区B.可三相混合C.只有单相23.下列固态相变中，成分和结构均发生变化的是A.贝氏体转变B.调幅分解C.多形性转变24.根据界面迁移，将相变分类，则A.马氏体相变是扩散控制长大B.珠光体转变为界面控制长大C.块状转变为为界面控制长大
6、25.固态相变中，过冷度较大且晶界能的降低足以超过形成共格或半共格界面所引起的应变能时，易形成新相第二题.综述题1.试述固态相变非均匀形核的主要方式及它们促进形核的主要原因。2.ABC晶面指数，AB晶向指数若ABC面和AB为一个滑移系，请问是什么结构若原子半径r=，问单位位错柏氏矢量值。若切变模量G=4*10N/m2，冷变形后位错密度为10/cm2,试着估算单位体积铜晶体位错应变能刃位错柏氏矢量为110，位错线为AC，问能否滑移。3.上交的练习册第四章16题，问为什么高低温斜率不同。为什么高温两条线吻合较好，低温相差较大。4.金属A和B在液态时可无限互溶，但固态不相溶，A、B熔点不同，熔化熵分
7、别为1SA=/mol/K,1SB=/mol/K,设液固比热相同，试计算A-B相图Te处对应的成分。在共晶材料科学基础考研试题真题XX年上海交通大学827材料科学基础试题真题选择题有30道题，每题3分。都是基础题，需要对教材比较熟。Nacl和金刚石的晶体结构为a面心b体心c正交spinodel分解时，浓度较高区域的化学势a较高b较低c不确定面心立方结构晶体(100)面上原子的配位数是a12b8c4晶体结构中旋转对称轴不包含几次对阵轴a4b5c6晶带定律适用的晶系类型是a正交b立方c六方金属单质的表面能和晶界能相比a大b小c不确定由二氧化钛制备三氧化二钛易出现a间隙钛离子b钛离子空位c氧离子空位玻
8、璃生产工序中的退火的目的是a增加透光度b消除内应力c改变折射率双交滑移和F-R源，更有效的增殖机制为a前者b后者c不确定热力学平衡状态下的金属单晶中a空位比间隙原子多bc下列具有更高自由能的是a晶体b准晶c非晶合金中的第二相粒子对晶粒长大的影响是a和二相粒子半径成正比，和体积数成反比bc此外，选择题还涉及冷变形金属回复阶段的主要变化，不能攀移的位错类型，非等量扩散中空位的移动方向，屈服现象的两种理论，离异共晶的问题，包晶时组元的扩散路径，多晶体变形需要的独立的滑移系个数，皮革态介于哪两个力学状态之间，非晶的形成难易与玻璃化温度和平衡凝固温度之比的关系，薄膜生长类型的区分，三元共晶相图垂直截面图
9、的用途等。大题共6题，前三题分别为8分、14分、8分，后三题各10分。第一题画出立方晶胞中的晶面和2，2，3晶向；画出六方晶胞中的晶面和-1，-1，2,3晶向。第二题面心立方晶体面上单位位错a/2-1，1，0分解为2个不全位错，下列哪一个正确，并说明理由1）a/2-1，1，0a/6-1，2，-1+a/6-2，1，12）a/2-1，1，0a/6-1，2，1+a/6-2，1，-1从能量角度说明其可行。证明面心立方拓展位错的宽度公式。题目给出了刃、螺型位错应力场公式。第三题求再结晶时间，最简单的那种，利用t2/t1=exp-Q/R。第四题用菲克第一定律求扩散量的一个题。涉及用跃迁频率算扩散系数。第五
10、题二元共晶相图题，画出过共晶的室温组织示意图；求正常凝固和平衡凝固共晶组织的相对量。第六题说明热塑性塑料和热固性塑料的区别。北科大XX材料科学基础考研初试试题一、名词解释1、空间点阵2、临界切分应力3、滑移系4、堆垛层错5、调幅分解6、脱溶7、上坡扩散8、再结晶温度二、给出下列离子晶体的布拉菲点阵类型和下面晶胞中的正、负离子的个数1、NaCl2、CsCl3、ZnS4、CaF25、CaTiO2三、写出面心立方结构和体心立方结构金属的密排面的晶面指数，画出密排面上原子的具体排列情况，并在晶报中标出所有八面体间隙的位置四、组元A和B的熔点分别为1000C和700C，室温时B在A的固溶体中的固溶度是X
11、B=，A在B的固溶体中的固溶度是XA=；在700C时有一个三相平衡反应，在此温度固溶体的成分是XB=，一个成分为XB=的合金在稍高于700C时存在50%相(转载于:写论文网:上海交通大学材料科学基础考研XX年真题)和50%的液相，在稍低于700C时则存在液相和化合物A3B两相；在500C时存在另一个三相平衡，液相分解为化合物A3B和固溶体两相。试构造一个合理的AB二元相图。五、根据AlCrSi体系的局部液相面投影图，写出该图中的四项不变反应式。六、按热力学参数变化特征，固态相变可以分为一级相变和二级相变两类。阐述发生一级相变和二级相变时热力学参数变化特征及相关性质的变化特点。七、从热力学角度分
12、析纯金属在凝固过程中均匀形核时的临界晶核形成过程。八、简述金属和合金回复与再结晶的概念，并讨论在回复与再结晶过程中组织与性能变化情况。九、讨论点缺陷与位错的交互作用及对位错运动的影响，这种交互作用在低碳钢应力应变曲线和材料加工过程中会有什么现象?有何防止方法。十、液体冷却时形成晶体或非晶玻璃体的内部原因和外部条件？为什么金属冷却凝固形成晶体，陶瓷材料冷却凝固却形成非晶玻璃体武汉理工大学XX年研究生入学考试试题课程材料科学基础一、填空题1.结晶学晶胞是。2.扩散的基本推动力是，一般情况下以形式表现出来，扩散常伴随着物质的。3.晶面族是指的一组晶面，同一晶面族中，不同晶面的。4.向MgO、沸石、T
13、iO2、萤石中，加入同样的外来杂质原子，可以预料形成间隙型固溶体的固溶度大小的顺序将是。5.根据烧结时有无液相出现，烧结可分为，在烧结的中后期，与烧结同时进行的过程是。6.依据硅酸盐晶体化学式中不同，硅酸盐晶体结构类型主要有。7.液体表面能和表面张力数值相等、量纲相同，而固体则不同，这种说法是的，因为。8.二级相变是指，发生二级相变时，体系的发生突变。9.驰豫表面是指，NaCl单晶的表面属于是。10.固态反应包括，化学动力学范围是指。11从熔体结构角度，估计a长石、b辉石(MgOSiO2)、c镁橄榄石三种矿物的高温熔体表面张力大小顺序。二、CaTiO3结构中，已知钛离子、钙离子和氧离子半径分别为，。，1.晶胞中心的钛离子是否会在八面体空隙中“晃动”；2.计算TiCaO3的晶格常数；3.钛酸钙晶体是否存在自发极化现象，为什么？三、在还原气氛中烧结含有TiO2的陶瓷时，会得到灰黑色的TiO2-x：1写出产生TiO2-x的反应式；2随还原气氛分压的变化，该陶瓷材料的电导率和密度如何变化？3从化学的观点解释该陶瓷材料为什么是一种n型半导体。四、选择题：下列2题任选1题1.简述金属材料、无机非金属材料以及高分析材料腐蚀的特点。2.试述材料疲劳失效的含义及特点。在控制显微结构因素和工艺条件上应主要考虑哪些相关因素？六、熔体结晶时：
