第2章 电力电子器件2

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1、第2章 电力电子器件2.1 电力电子器件概述2.2 不可控器件电力二极管2.3 半控型器件晶闸管2.4 典型全控型器件2.5 其他新型电力电子器件2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 本章小结,2/89,引言,模拟和数字电子电路的基础 晶体管和集成电路等电子器件 电力电子电路的基础 电力电子器件 本章主要内容：对电力电子器件的概念、特点和分类等问题作了简要概述 。分别介绍各种常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题。,3/89,2.1 电力电子器件概述,2.1.1 电力电子器件的概念和特征2.1.2 应用电力电子器件的系统组成2.1.3 电力电子器件的分

2、类2.1.4 本章内容和学习要点,4/89,2.1.1 电力电子器件的概念和特征,电力电子器件的概念电力电子器件（Power Electronic Device）是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。主电路：在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类，目前往往专指电力半导体器件。,5/89,2.1.1 电力电子器件的概念和特征,电力电子器件的特征 所能处理电功率的大小，也就是其承受电压和电流的能力，是其最重要的参数，一般都远大于处理信息的电子器件。为了减小本身的损耗，提高效率，一般都工作在开关状态。

3、由信息电子电路来控制 ,而且需要驱动电路。自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件，在其工作时一般都需要安装散热器。,6/89,2.1.1 电力电子器件的概念和特征,通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。 当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增 大而可能成为器件功率损耗的主要因素。,通态损耗,断态损耗,开关损耗,开通损耗,关断损耗,电力电子器件的功率损耗,7/89,2.1.2 应用电力电子器件的系统组成,电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路、驱动 电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。,电气隔离,图2-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成,8/89,2.1.3 电力电子器

4、件的分类,按照能够被控制电路信号所控制的程度半控型器件通过控制信号只能控制其导通，不能控制其关断。主要是指晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件。器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。全控型器件通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断。目前最常用的是 IGBT和Power MOSFET。通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断。不可控器件 :器件本身没有导通、关断控制能力，需要根据电路条件决定其导通、关断状态。电力二极管（Power Diode）不能用控制信号来控制其通断。,9/89,2.1.3 电力电子器件的分类,按照驱动信号的性质电流驱动型 通过从控制端注入或

5、者抽出电流来实现导通或者关断的控制。此类器件采用电流信号来实现导通或关断控制，代表器件如晶闸管、电力晶体管等。电流控制型器件的特点是：在器件体内有电子和空穴两种载流子导电，由导通转向阻断时，两种载流子在复合过程中产生热量，使器件结温升高。过高的结温限制了工作频率的提高，因此，电流控制型器件比电压控制型器件的工作频率低。电流控制型器件具有电导调制效应，使其导通压降很低，导通损耗较小。电流控制型器件的控制极输入阻抗低，控制电流和控制功率较大，电路也比较复杂。电压驱动型仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。此类器件采用场控原理对其通/断状态进行控制，代表器件如功率M

6、OSFET、IGBT等。电压控制型器件的特点是：输入阻抗高，控制功率小，控制线路简单。工作频率高。工作温度高，抗辐射能力强。,10/89,按照驱动信号的波形（电力二极管除外 ）脉冲触发型通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开通或者关断的控制。电平控制型 必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电流信号来使器件开通并维持在导通状态或者关断并维持在阻断状态。,11/89,2.1.3 电力电子器件的分类,按照载流子参与导电的情况单极型器件 由一种载流子参与导电。如功率MOSFET、静电感应晶体管SIT等。双极型器件由电子和空穴两种载流子参与导电。如PN结整流管、普通晶闸管

7、、电力晶体管等。复合型器件 由单极型器件和双极型器件集成混合而成， 也称混合型器件。如IGBT、MCT等。,12/89,2.1.4 本章内容和学习要点,本章内容按照不可控器件、半控型器件、典型全控型器件和其它新型器件的顺序，分别介绍各种电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题。 学习要点最重要的是掌握其基本特性。掌握电力电子器件的型号命名法，以及其参数和特性曲线的使用方法。 了解电力电子器件的半导体物理结构和基本工作原理。了解某些主电路中对其它电路元件的特殊要求。,13/89,2.2 不可控器件电力二极管,2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理2.2.2 电

8、力二极管的基本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数2.2.4 电力二极管的主要类型,14/89,2.2 不可控器件电力二极管引言,电力二极管（Power Diode）自20世纪50年代初期就获得 应用，但其结构和原理简单，工作可靠，直到现在电力二 极管仍然大量应用于许多电气设备当中。 在采用全控型器件的电路中电力二极管往往是不可缺少 的，特别是开通和关断速度很快的快恢复二极管和肖特基 二极管，具有不可替代的地位。,整流二极管及模块,15/89,肖特基二极管：多用于正向压降较低(一般是0.3V) 的低压输出电路。 快恢复二极管：多用于带有可控开关且反向恢复时间较短的高频电路中。 线频二极管：用

9、于阻断电压额定值是几千伏，阻断电流额定值是几千安的电路中，也可以通过级联和并联满足不同的电压和电流的需要。,几种常用的电力二极管:,功率半导体器件,理想开关,看作,16/89,2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理,电力二极管是以半 导体PN结为基础的, 实际上是由一个面积 较大的PN结和两端引 线以及封装组成的。 从外形上看，可以有 螺栓型、平板型等多 种封装。,图2-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号a) 外形 b) 基本结构 c) 电气图形符号,17/89,图1 PN结的形成,PN结与电力二极管的工作原理,把空穴导电占优势的半导体称为P(Positive)型半导体,把电子导电占优

10、势的半导体称为N(Negative)型半导体,(可以运动带正电)空穴,(不能移动)负离子,(可以运动带负电)电子,(不能移动) 正离子,P区：空穴为多子，来自N区的电子为少子。,N区：电子为多子，来自P区的空穴为少子。,PN结单向导电性是由正向(少子)注入和反向(少子)抽取决定的,N型半导体和P型半导体结合后构成PN结,图2 PN结的形成,扩散运动 N区和P区交界处电子和空穴的浓度差别，造成各区多数载流子（多子）向另一区移动，到对方区成为少数载流子（少子）的运动。 空间电荷 在界面两侧不能任意移动的正、负电荷。,内电场（自建电场）空间电荷建立的电场 漂移运动 内电场一方面阻止扩散运动，另一方面

11、又吸引对方区内少子向本区运动。,空间电荷区 扩散运动和漂移运动达动态平衡，正、负空间电荷量达稳定值，形成稳定的由空间电荷构成的区域,空间 电荷区,耗尽层,阻挡层,势垒区,图3 PN结的形成,多子的扩散运动少子的漂移运动,扩散电流,PN结 外加电场,PN结 自建电场,方向相反,形成自P区流入从N区流出的电流,内部,外电路,造成空间电 荷区变窄,正向电流IF,外加电压升高,PN结的正向导通状态,扩散电流增加,自建电场削弱,PN结流过的正向电流,电阻值较高且为常数,较小,较大,电阻率下降电导率增加,电导调 制效应,PN结的正向导通状态 电导调制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左

12、右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态。,PN结的反向截止状态 PN结的单向导电性,二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这个主要特征。,反向电流IR,少子浓度很小，在温度一定时漂移电流的数值趋于恒定,PN结外加反向电压,外电路电流,N区流入,P区流入出,反向饱 和流IS,高 电 阻,几 乎 没 有 电 流 流 过,PN结的反向截止状态,PN结的反向击穿,施加PN结反 向电压过大,反向电流 急剧增大,破坏PN结反向偏置 为截止的工作状态,雪崩击穿,齐纳击穿,热击穿,因热量散发不出 PN结温度上升 过热烧坏,结电容C J(微分电容),PN结中电荷量随外加电压变化，呈现电容效应,势垒电容CB,扩散

13、电容CD,PN结截面成正比 阻挡层成反比,大 小,正 向 电 压 较 高,正向 电压 较低,仅在正向偏 置时起作用,外加电压变 化时起作用,结电容影响PN结的工作频率，特别是在高速开关的状态下，可能使其单向导电性变差，甚至不能工作。,24/89,二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这一主要特征。,PN结与电力二极管的工作原理,PN结的状态,25/89,2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理,二极管的基本原理PN结的单向导电性当PN结外加正向电压（正向偏置）时，在外电路上则形成自P区流入而从N区流出的电流，称为正向电流IF，这就是PN结的正向导通状态。当PN结外加反向电压时（反向偏置）时，

14、反向偏置的PN结表现为高阻态，几乎没有电流流过，被称为反向截止状态。 PN结具有一定的反向耐压能力，但当施加的反向电压过大，反向电流将会急剧增大，破坏PN结反向偏置为截止的工作状态，这就叫反向击穿。按照机理不同有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式 。 反向击穿发生时，采取了措施将反向电流限制在一定范围内，PN结仍可恢复原来的状态。否则PN结因过热而烧毁，这就是热击穿。,26/89,2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理,PN结的电容效应称为结电容CJ，又称为微分电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD 势垒电容只在外加电压变化时才起作用，外加电压频率越高，势垒电容作用越明显。在正向

15、偏置时，当正向电压较低时，势垒电容为主。 扩散电容仅在正向偏置时起作用。正向电压较高时，扩散电容为结电容主要成分。结电容影响PN结的工作频率，特别是在高速开关的状态下，可能使其单向导电性变差，甚至不能工作。,27/89,2.2.2 电力二极管的基本特性,静态特性主要是指其伏安特性 正向电压大到一定值（门槛电压UTO ），正向电流才开始明显增加，处于稳定导通状态。与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF。 承受反向电压时，只有少子引起的微小而数值恒定的反向漏电流。,图2-5 电力二极管的伏安特性,28/89,2.2.2 电力二极管的基本特性,u,图2-6 电力二极管的动态过程波形正向

16、偏置转换为反向偏置 零偏置转换为正向偏置,动态特性 因为结电容的存在，电压电流特性是随时间变化的，这就是电力二极管的动态特性，并且往往专指反映通态和断态之间转换过程的开关特性。由正向偏置转换为反向偏置 电力二极管并不能立即关断，而是须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态。在关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲。延迟时间：td=t1-t0 电流下降时间：tf =t2- t1反向恢复时间：trr=td+ tf恢复特性的软度： tf /td，或称恢复系 数，用Sr表示。,t0:正向电流降为零的时刻,t1:反向电流达最大值的时刻,t2:电流变化率接近于零的时刻,