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2、合液体。光刻胶主要用来将光刻掩模板上的图形转移到元件上。 根据光刻胶的化学反应机理和显分为正性胶和负性胶。 负胶在光肇工艺上应用最早，其工艺成本低，产量高，但由于它吸 。” 千收显影液后会膨胀，导致其分辩率不如正胶，因此对于亚微米甚至更小扩寸加工技术，主要使用正胶作为光刻胶。人 多 光刻的一般流程1 底膜处理 5 显影2 涂胶 6 坚模3 前供 7-刻蚀4 曝光 8 去胶 TOPaAADGITPREDLSSERCITEYGGIDAXOOIDDOO 时四 底膜处理 本) 底膜处理是光刻工艺的第一步，其主要目的是对底膜表面进行处理，以增强其与光刻胶之间的粘附性。国步邓; 漳必天引 了工清让 上2 人烘二3 增粘处理 底肛处理 DOCaOATGIPREDGSEGIDEOGIDMOIIDOOO本 时-了 进行底模处理后，便可进行涂胶，即在底模上涂一层粘附良好厚度适当，均匀的光肇胶。一般采用旋转法进行涂胶，其原理是利用底模转动时产生的离心力，将滴于模上的胶液思开。在光刻胶表面张力和旋转离心力的共同作用下，最终形成光刻胶膜。国“直四 “已 前烘，又称软烘，就是在一定的温度下，使光刻胶膜里面的溶剂妥慑的、充分的逸出来，使光刻胶膜干燥。toUiconm 光刻胶的基片进行选择性的光化学反应,使校受到光照的光刻腔的光学特性发生
