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1、AEC-Q200AEC-Q200 試驗條件：試驗條件：說明：說明：AEC-Q200 的環境試驗條件，主要是依據 MIL-STD-202 與 JEDEC22A-104 規範來制定的，不同零件的試驗溫度除了不一樣之外，其施加電源(電壓、電流、負載)要求也會有所不同，高溫儲存屬於不施加偏壓與負載，但是在高溫工作壽命就需要，溫度循環與溫度衝擊，其試驗目的與手法不一樣，在溫度循環中高低溫變化需控制溫變率，溫衝擊則不用，偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗，而濕度抵抗就是濕冷凍試驗試驗條件注意事項：試驗條件注意事項：1000h 試驗過程需在 250h、500h 進行間隔量測高溫儲存高溫儲存(MIL-STD-20
2、2-108)(MIL-STD-202-108)： 適用設備：適用設備：THSTHS 薄膜電容、網路低通濾波器、網路電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI 干擾抑制器、EMI 干擾過濾器：85/1000h電感、變壓器、電阻：125/1000h變阻器：150/1000h鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容：最大額定溫度/1000h高溫工作壽命高溫工作壽命(MIL-STD-202-108)(MIL-STD-202-108)： 適用設備：適用設備：THSTHS 網路低通濾波器、網路電阻：85/1000hEMI 干擾抑制器、EMI 干擾過濾器：85/1000h/施加額定 IL鉭電容、陶瓷電容：最
3、大額定溫度/1000h/ (2/3)負載/額定電壓 鋁電解電容、電感、變壓器：105/1000h薄膜電容：1000h/(85/125%額定電壓、105&125/100%額定電壓)自恢復保險絲：125/1000h電阻、熱敏電阻、可變電容：125/1000h/額定電壓可變電阻：125/1000h/額定功率變阻器：125/1000h/額定電壓 85+ma 電流陶瓷共鳴器：85/1000h/額定 VDD+1M，並聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有 2X 的晶體 CL 電容石英震盪器：125/1000h/額定 VDD+1M，並聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有 2X 的晶體 CL 電容溫度循環溫度循環(JE
4、DEC22A-104)(JEDEC22A-104)： 適用設備：適用設備：TSRTSR、ESSESS 薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI 干擾抑制器、EMI 干擾過濾器：-55(30min)85(30min)/RAMP(15/min)/1000cycles鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻： -55(30min)125(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles鋁電解電容：-40(30min)105(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles電感、變壓器、變阻器、石英震盪器、自恢復保險絲：-40(30min)125(30min)/RAMP(1
5、5/min)/1000cycles網路低通濾波器、網路電阻：-55(30min)125(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles溫度衝擊溫度衝擊(MIL-STD-202-107)(MIL-STD-202-107)： 適用設備：適用設備：TCTC、TSKTSK 自恢復保險絲：自恢復保險絲：-40(15min)125(15min)/300cycles 偏高濕度偏高濕度(MIL-STD-202-103)(MIL-STD-202-103)： 適用設備：適用設備：THSTHS 鉭電容、陶瓷電容：鉭電容、陶瓷電容：85/85%R.H./1000h/電壓 1.31.5V電感電感& &變
6、壓器：變壓器：85/85%R.H./1000h/不通電鋁電解電容：鋁電解電容：85/85%R.H./1000h/額定電壓EMIEMI 干擾抑制器、干擾抑制器、EMIEMI 干擾過濾器：干擾過濾器：85/85%R.H./1000h/額定電壓電流電阻、熱敏電阻：電阻、熱敏電阻：85/85%R.H./1000h/工作電源 10%自恢復保險絲：自恢復保險絲：85/85%R.H./1000h/額定電流 10%可變電容、可變電阻：可變電容、可變電阻：85/85%R.H./1000h/額定功率 10%網路低通濾波器網路低通濾波器& &網路電阻：網路電阻：85/85%R.H./1000h/電壓網路電容(額定電
7、壓)、網路電阻(10%額定功率)變阻器：變阻器：85/85%R.H./1000h/額定電壓 85+ma 電流石英震盪器、陶瓷共鳴器：石英震盪器、陶瓷共鳴器：85/85%R.H./1000h/額定 VDD+1M，並聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有 2X 的晶體 CL 電容薄膜電容：薄膜電容：40/93%R.H./1000h/額定電壓濕度抵抗濕度抵抗(MIL-STD-202-106)(MIL-STD-202-106)： 適用設備：適用設備：THSTHS 薄膜電容：薄膜電容：(2565/90%R.H.*2cycle)/18h-10/3h，每一 cycle 共 24h，step7a&7b 不通電top
