1、门电路功能测试实验

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1、实验一、 集成门电路逻辑功能及参数测试,一、实验目的 1、认识集成门电路的管脚排列。 2、掌握门电路的逻辑功能及参数测试方法。 3、熟悉TTL电路和CMOS电路的使用规则 和注意事项,二、实验设备 1数字存储示波器:TDS1002 。 2函数信号发生器:EE1641D 。 3 数字万用表:UT58A。 4数字实验箱:CDS-02() 5.可跟踪直流稳定电源:SS3323,三、实验原理 本实验选择TTL两输入与非门74LS00和CMOS两输入与非门74HC00 (4011),它们的外部管脚定义相同,如下图所示。,输入输出电平: 5V CMOS: (电源电压范围较大:26V) 74HC和74HCT

2、:高速CMOS(High-speed CMOS),T表示和TTL直接兼容。 低电平输入电压范围UIL :0 1.5V。 高电平输入电压范围UIH :3.55V。 低电平输出电压范围UOL: 不大于0.33V。 高电平输出电压范围UOH :不小于4.4V,,TTL:(电源电压范围:4.55.5V),1、测与非门的逻辑功能,在实验箱上将74LS00和74HC00(4011)分别插到实验箱插座上,输入高、低电平,用万用表分别测量输出电压并将结果填入表中。,四、实验内容及步骤:,2TTL和CMOS与非门的参数测试 (1)输出高电平VOH和输出电平VOL :,TTL门电路: VOH= VOL=,CMOS

3、门电路: VOH= VOL=,(2)TTL的低电平输入电流IIL和低电平最大输出电流IoL(max)及低电平扇出系数N :,a.低电平输入电流是指被测输入端接地,其余输入端悬空时,由被测输入端流出的电流。可采用间接法测量,输入端经100欧电阻接地,用万用表测量其电压除以R得到输入电流。一般为0.1-2mA.,b.低电平输出电流是指被测输出端为低电平,且带有负载时的灌电流值。当低电平上升到VOLmax时的电流为IoL(max)。一般为48mA,测量方法:如图串联1K电位器和200欧电阻,调节RW用万用表测量VO(即输出对地的电压),当VO VOLmax 0.4V时,测200欧电阻上的电压,间接得

4、到IoL(max)。,扇出系数是指驱动同类门电路的数目,用以衡量带负载能力。,(3)TTL和CMOS与非门的电压传输特性:,图中固定电阻为200,电位器为4.7K,测量方法:调节电位器,使输入电压从0V开始逐步升高,直到能够调节的最大值,同时测量输出端电压值。 自己选择15个以上的测试电压点。输出电压变化大的地方,测试电压点间隔要小一些。,3. 动态测试: 将函数发生器调至TTL输出、=1kHz,接入A输入端。 B端接1时,用示波器同时观察A和L的波形并记录。 B端接0时,观察并记录波形。,B,A,L,2,1,“1”,3,L,五、注意事项:,TTL与非门对电源电压的稳定性要求较严,只允许在5V

5、上有10的波动。 超过5.5V,易使器件损坏;低于4.5V又易导致器件的逻辑功能不正常。 TTL与非门不用的输入端允许悬空(但最好接高电平),不能接低电平。 TTL与非门的输出端不允许直接接电源电压或地,也不能并联使用。,4. CMOS与非门不用的输入端不能悬空,应按逻辑功能的要求接VDD或VSS 5. CMOS与非门输出端不允许直接接VDD或VSS,以免损坏器件。 6. CMOS电路的输入电压VI应满足VSSVIVDD,以防止输入保护电路中的二极管正向导通,产生大电流。实验时,应先接通电源VDD和VSS,后加输入信号VI,关机时要先撤除VI后关闭VDD和VSS。 7. 输入端的输入电流一般不超过1mA。 8. 每个芯片使用时注意电源和地的连接。,六、实验报告 1. 认真记录所测与非门的主要参数VOH、VOL、IIL、 IOL,并与标准值比较且将两种器件进行比较。 2. 用坐标纸仔细描绘所测与非门电压传输特性曲线,标 出VOH、VOL、VON、VOff,两种器件进行比较。,七、思考题(写在实验报告中),1.TTL器件与CMOS器件在处理不使用的输入管 脚上有什么区别? 2.为什么没有要求测量CMOS器件的电流参数? 3.在测量I oLmax电路中,串入的200欧电阻有 什么作用?它的取值需要满足什么条件? 4.通过本次实验, 总结TTL及CMOS器件的特点及 使用的收获和体会。,

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