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1、东莞市海陆通实业有限公司,电子元器件基础知识培训,部门：品质部,电子元器件是元件和器件的总称 电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。 电子器件：指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。例如晶体管、电子管、集成电路。因为它本身能产生电子，对电压、电流有控制、变换作用（放大、开关、整流、检波、振荡和调制等），所以又称有源器件。,什么是电子元器件,产品,贴装方式,直插式DIP,贴片式SMD,常用电子元器件,电阻,电容,电感元件,二极管,三极管,场效应管,电阻,电阻的主要职能就是阻碍电流流过,
2、用字母 R表示，它是导体 的一种基本性质, 与导体的 尺寸、 材料、 温度有关。电阻的基 本单位是欧姆，用字母“”表示，还有千欧(K)、兆欧M，金属 中银的电阻率最小，铜次之。,欧姆定律：,U/R=l,1M =1000K =1000000,I are not TOM,电阻器作用,限流.在电路中限制电流的通过，电阻值越大，电流越小。 降压.电流通过电阻器时必然会产生电压降，电阻值越大，电压降越大。 分压.基于电阻的降压作用，电阻器还可以作分压器,详见Multisim 电路仿真测试,电阻按结构又可分为固定电阻，可调电阻，特殊电阻。,电阻按材料又可分为碳质电阻，薄膜电阻，线绕电阻等。,电阻的标识方法
3、有直标法、文字符号法、色环法等。,电阻的技术参数：,贴片电阻值识别,第一位有数值,第二位有数值,倍数值,2,2,1000,22000=22K,色环电阻值识别,有效数值,倍数,误差%,温度系数PPM/,固定电阻,顾名思义，固定电阻即为电阻值不变的电阻电路中用R表示。常见的类型有水泥电阻，金属膜电阻，碳膜电阻等。,电路符号,可变电阻即为电阻值可调的电阻（在一定范围内），电路 中用VR表示。,可变电阻,RG,常见的特殊电阻有热敏电阻，压敏电阻，光敏电阻等。,特殊电阻,RT,RV,电容,电容器就是储存电荷的容器，通常简写为 C，电容的国际单位是 F （法拉）为纪念英国物理学家M.法拉第而命名，一般用u
4、F（微法）做为基本单位，电容在电路中起调谐、耦合、滤波、反馈等作用。,1 F = 103 mF = 106 uF = 109 nF= 1012 pF,电气特性：通交隔直，通高频阻低频,毫法mF,微法uF,纳法nF,皮法pF,M.法拉第,电容按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容三大类；,按极性分为：有极性电容和无极性电容。最常见到的就是电解电容,主要参数,电容量,耐电压,容量误差,漏电流,标识方法,直标法：如下图的电解电容，容量1000uf，电容耐压80v。 数码标法：如上图瓷介电容，标值103，容量就是：10X1000pf=0.01uf.如果标值473，即为47X1000pf=0.47u
5、f。（后面的4、3，都表示10的多少次方）。又如：332=33X100pf=3300pf。,有极与无极电容，在电路图线路板上用“C”表示,用下列符号表示,+,负极,电容极性,耐压,使用电解电容时要注意其耐压值，一般上耐压值高的可以代用低耐压值的容量相同的电解电容，而不能将低耐压值的电解电容代用于高耐压值的电容，而且不能插反，这样都会因其承受过压而损坏或发生爆炸！,误差,指电容允许的误差值，误差值一般标识在外包箱上，也有标识在电容外壳上用字母表示,F 1 G 2 J 5 K 10 M 20 N 30,漏电流,电容器两极之间的绝缘材料不可能保证100的绝缘，它也是有介电常数的，大小不同而已，当两极
6、间存在电势差时，根据绝缘材料的不同，或多或少有一些自由电子会定向穿过绝缘层，产生微小的漏电流。随着绝缘材料的劣化，其极间的漏电流也会随之增大。,电感元件,指电感器与变压器，是家电电器中常见的元件之一，是能够把电能转化为磁能而存储起来的元件； 电感：当线圈通过电流后，在线圈中形成磁场感应，感应磁场又会产生感应电流来抵制通过线圈中的电流。我们把这种电流与线圈的相互作用关系称其为电的感抗（XL)，也就是电感，单位是“亨利”（H）。 电感器一般由骨架、绕组、屏蔽罩、封装材料（封装材料采用塑料或环氧树脂等 ）、磁芯或铁芯等组成 。,电感量,允许偏差,额定电流,电感器,主要参数：,单位,由于电感是由美国的
7、科学家约瑟夫亨利发现的，所以电感的单位就是“亨利”，符号 “ L ”表示,亨 (H)、毫亨(mH)、微亨 (H)、纳亨（nH），他们的换 算关系为：1H= 103 mH= 106 H= 109 nH,电气特性：通直隔交，通低频阻高频,XL=2fL,电感按结构可分为：固定式电感器，可调式电感器；,电感器结构：电感器一般由骨架、绕组、屏蔽罩、封装材料、磁心或铁心等组成。,标识方法,直标法：将电感器的标称电感量用数字和文字符号直接标在电感器外壁上。,文字符号法：将电感器的标称值和允许偏差值用数字和文字符号法按一定的规律组合标示在电感体上。采用这种标示方法的通常是一些小功率电感器。其单位通常为nH或H
8、,用H做单位时，“R”表示小数点;用nH做单位时，“n”代替 “R”表示小数点。,4N7表示电感量为4.7nH 4R7则代表电感量为4.7H 47N表示电感量为47nH 6R8表示电感量为6.8H,数码标法：用三位数字来表示电感器电感量的标称值。该方法常见于贴片电感器上(单位为uH)。,10101 =100 uH 47 100 =47 uH,电量值通常后缀一个英文字母表示允许偏差，各字母代表的允许偏差与直标法相同。,色标法：在电感器表面涂上不同的色环来代表电感量(与电阻器类似)，通常用三个或四个色环表示，紧靠电感体一端的色环为第一环，露着电感体木色较多的另一端为末环,有效数值,倍数,误差%,2
9、2100 （10%）,变压器,利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置，主要构件是初级线圈、次级线圈和铁芯（磁芯），用字母 T 表示。,n1/n2=U1/U2,匝数比：初级线圈与次级线圈之比,电路符号,二极管,定义：二极管又称晶体二极管,简称二极管(用 D 表示) 特性：单向导电性（电流只能从正极流向负极） 作用：整流、开关（普通二极管） 主要参数：最大整流电流、最大反向击穿电压及反向电流。,二极管的分类,按材料分：硅二极管和锗二极管;锗管正向压降0.2-0.3V,硅管0.6-0.7V；锗管最高工作温度一般不超过100，硅管一般在200. 按用途分：普通二极管、整流二极管、开关二极管、发光二极管
10、、稳压二极管、光电二极管等，具体电路符号如下图示。,普通二极管,光电二极管,发光二极管,稳压二极管,伏安特性,在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过开启电压时（硅管：0.5V,锗管0.2V)，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千
11、伏。,稳压二极管,此二极管是一种齐纳二极管，它是利用二极管反向击穿时，其两端电压固定在某一数值，而基本上不随电流大小变化的特性来进行工作。,+,反接在电路中，用DZ表示 详见Multisim 仿真测试,整流桥堆,整流桥堆就是由两个或四个二极管组成的整流器件。桥堆有半桥和全桥，堆桥的文字符号为UR。,电路符号,图中“+”是正极直流电压输出引脚， “-”是负极性直流电压输出引脚。 “”是交流电压输入引脚， 每个桥堆或半桥堆各有两个交 流电压输入引脚，这两个引脚没有 极性之分。,三极管,半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成辐值
12、较大的电信号, 也用作无触点开关。,三极管按材料分有两种： 锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,PN结,PNP三极管,NPN三极管,IE=IC+IB,IC+IB=IE,三极管原理,对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成。发射区与基区之间形成的PN结称为发射结;集电区与基区形成的PN结称为集电结;三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。,管型识别,万用表找基极、定管型,口决：三颠倒，找基极；PN结，定管型,假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极(如这两个电极为
13、1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察阻值；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表的阻值。在这三次颠倒测量中，必然有两次测 量结果相近：1、用公共表笔的只管脚就是我们要寻找的基极；2、设定红表笔是公共笔（基极）黑笔测另两个电极时显示阻值大的电极为发射极。3、若上述法测得红表笔为基极端该管型为NPN,反之是黑表笔则为PNP,详见Multisim 仿真测试,常规电极排放,工作状态,截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，我们称三极管处于截止状态 。 放大状态：当加在三极管发射结
14、的电压大于PN结的导通电压，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数Ic/Ib，这时三极管处放大状态 。 饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极 电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态 。,主要技术参数,工作电压/电流 用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围. hFE电流放大倍数. VCEO 集电
15、极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.,场效应管,场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。分类：结型场效应管和MOS场效应管，而MOS场效应管又分为N沟道；P沟道。 特点:场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制Id（漏极电流）；场效应管的抗辐射能力强；噪声低。作用：开关，放大,金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶 体管简称MOS晶体管。,MOS管类型,MOS管结构,以一块掺杂浓度较低，电阻率较高的P型硅半导体薄片作为衬底，利用扩散的方法在P型硅中形成高掺杂的N+区。然后在P
16、型硅表面生长一层很薄的二氧化硅绝缘层，并在二氧化硅表面及N+型区的表面上分别安上三个铝电极,电路符号,栅极 G,源极 S,漏极 D,主要参数,开启电压VT 开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压； 标准的N沟道MOS管，VT约为36V； 通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到23V。,漏源击穿电压BVDS 在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID 开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS,栅源击穿电压BVGS 在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS， 称为栅源击穿电压BVGS。,NMOS是栅极高电平导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。 PMOS是栅极低电平导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通，,连接方法,SO-8,TO-252,常规电极排放,沟道判定,N沟道还是P沟道？,红笔接D极，黑笔接S极，如低于0.7V交换表笔,
