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1、 第二讲讲 第二章 光电式传感技术光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件 ，它是把光信号（红外、可见及紫外光辐射）转变成为电信号的 器件。 2.1 概述2.2 外光电效应器件2.3 内光电效应器件2.4 新型光电传感器2.5 光敏传感器的应用举例2.1 概 述一、光谱光波：波长为10106nm的电磁波可见光：波长380780nm紫外线：波长10380nm，波长300380nm称为近紫外线, 波长200300nm称为远紫外线,波长10200nm称为极远紫外线 ，红外线：波长780106nm,波长3m（即3000nm）以下的称近 红外线,波长超过3m 的红外线称为远红外线。光谱分布如
2、图所示。二、光源（发光器件）1、钨丝白炽灯用钨丝通电加热作为光辐射源最为普通，一般白炽灯的辐射 光谱是连续的。发光范围：可见光外、大量红外线和紫外线， 所以任何光敏元件都能和它配合接收到光信号。特点：寿命短 而且发热大、效率低、动态特性差，但对接收光敏元件的光谱 特性要求不高，是可取之处。有溴钨灯和碘钨灯，其体积较小 ，光效高，寿命也较长。远紫外近紫外可见光近红外远红外极远紫外0.010.11100.050.55 波长/m波数/cm-1频率/Hz光子能量/eV1061051041035105510451031015510141014510131001015050.551015101631018
3、光的波长与频率的关系由光速确定，真空中的光速 c=2.997931010cm/s，通常c31010cm/s。光的波长和频率 的关系为 的单位为Hz，的单位为cm。 =31010cm / s2、气体放电灯定义：利用电流通过气体产生发光现象制成的灯。气体放电灯的光谱是不连续的，光谱与气体的种类及放电条 件有关。改变气体的成分、压力、阴极材料和放电电流大小， 可得到主要在某一光谱范围的辐射。低压汞灯、氢灯、钠灯、 镉灯、氦灯是光谱仪器中常用的光源，统称为光谱灯。例如低 压汞灯的辐射波长为254nm，钠灯的辐射波长为589nm，它们经 常用作光电检测仪器的单色光源。如果光谱灯涂以荧光剂，由 于光线与涂
4、层材料的作用，荧光剂可以将气体放电谱线转化为 更长的波长，目前荧光剂的选择范围很广，通过对荧光剂的选 择可以使气体放电发出某一范围的波长，如，照明日光灯。气 体放电灯消耗的能量仅为白炽灯1/21/3。3、发光二极管LED（Light Emitting Diode）由半导体PN结构成，其工作电压低、响应速度快、寿命长、 体积小、重量轻，因此获得了广泛的应用。在半导体PN结中，P区的空穴由于扩散而移动到N区，N区的 电子则扩散到P区，在PN结处形成势垒，从而抑制了空穴和电子 的继续扩散。当PN结上加有正向电压时，势垒降低，电子由N区 注入到P区，空穴则由P区注入到N区，称为少数载流子注入。所 注入
5、到P区里的电子和P区里的空穴复合，注入到N区里的空穴和N 区里的电子复合，这种复合同时伴随着以光子形式放出能量，因 而有发光现象。电子和空穴复合，所释放的能量Eg等于PN结的禁带宽度（即 能量间隙）。所放出的光子能量用h表示，h为普朗克常数， 为光的频率。则普朗克常数h=6.610-34J.s；光速c=3108m/s；Eg的单位为 电子伏，1eV=1.610-19J。hc=19.810-26mWs=12.410-7meV 。可见光的波长近似地认为在710-7m以下，所以制作发光二 极管的材料，其禁带宽度至少应大于h c /=1.8 eV。普通二极管是用锗或硅制造的，这两种材料的禁带宽度Eg分
6、别为0.67eV和1.12eV，显然不能使用。通常用的砷化镓和磷化镓 两种材料固溶体，写作GaAs1-xPx，x代表磷化镓的比例，当x 0.35时，可得到Eg1.8eV的材料。改变x值还可以决定发光波长 ，使在550900nm间变化，它已经进入红外区。可供制作发光 二极管的材料见下表。材料波长/nm材料波长/nmZnS340CuSe-ZnSe400630SiC480ZnxCd1-xTe590830GaP565,680GaAs1-xPx550900GaAs900InPxAs1-x9103150InP920InxGa1-xAs8501350发光二极管的伏安特性与普通二极管相似，但随材料禁带 宽度的
7、不同，开启（点燃）电压略有差异。图为砷磷化镓发光 二极管的伏安曲线，红色约为1.7V开启，绿色约为2.2V。 注意 ，图上的横坐标正负值刻度比例不同。一般而言，发光二极管 的反向击穿电压大于5V，为了安全起见，使用时反向电压应在 5V以下。U/VI/m A-10-5 0 12GaAsP(红 )GaAsP(绿 )发光二极管的光谱特性如图所示。0.20.40.60.81.006007008009001000GaAsP p=670nmp=655 nmGaAsPp=565nmGaPp=950nmGaAs发光二极管的光谱特性/nm相对灵敏度4、激光器激光是20世纪60年代出现的最重大科技成就之一，具有高
8、 方向性、高单色性和高亮度三个重要特性。激光波长从0.24m 到远红外整个光频波段范围。激光器种类繁多，按工作物质分 类：（1）固体激光器典型实例是红宝石激光器，是1960年人类发明的第一台激 光器。它的工作物质是固体。种类：红宝石激光器、掺钕的钇铝榴石激光器（简称YAG激 光器）和钕玻璃激光器等。特点：小而坚固、功率高，钕玻璃激光器是目前脉冲输出 功率最高的器件，已达到几十太瓦。固体激光器在光谱吸收测量方面有一些应用。利用阿波罗 登月留下的反射镜，红宝石激光器还曾成功地用于地球到月球 的距离测量。 （2）气体激光器：工作物质是气体。种类：各种原子、离子、金属蒸汽、气体分子激光器。常 用的有氦
9、氖激光器、氩离子激光器、氪离子激光器，以及二氧 化碳激光器、准分子激光器等，其形状像普通的放电管一样， 能连续工作，单色性好。它们的波长覆盖了从紫外到远红外的 频谱区域。 （3）半导体激光器与前两种相比出现较晚，其成熟产品是砷化镓激光器。特 点：效率高、体积小、重量轻、结构简单，适宜在飞机、军舰 、坦克上应用以及步兵随身携带，如在飞机上作测距仪来瞄准 敌机。其缺点是输出功率较小。目前半导体激光器可选择的波 长主要局限在红光和红外区域。 （4）液体激光器无机液体激光器和有机染料激光器，其中较为重要的是有 机染料激光器。它的最大特点是发出的激光波长可在一段范围 内调节，而且效率也不会降低，因而它能
10、起着其他激光器不能 起的作用。三、光电效应物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量，从而 产生的电效应。光电传感器的工作原理基于光电效应。光电效 应分为外光电效应和内光电效应两大类1、外光电效应在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的 现象称为外光电效应。向外发射的电子叫做光电子。基于外光 电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。光子是具有能量 的粒子，每个光子的能量：E=h。h普朗克常数，6.62610-34Js；光的频率（s-1）根据爱因斯坦假设，一个电子只能接受一个光子的能量， 所以要使一个电子从物体表面逸出，必须使光子的能量大于该 物体的表面逸出功，超过部分的能量表现为逸
11、出电子的动能。 外光电效应多发生于金属和金属氧化物，从光开始照射至金属 释放电子所需时间不超过10-9s。根据能量守恒定理 式中m电子质量；v0电子逸出速度。该方程称为爱因斯坦光 电效应方程。2、内光电效应当光照射在物体上，使物体的电阻率发生变化，或产生光生 电动势的现象叫做内光电效应，它多发生于半导体内。根据工作 原理的不同，内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类：（1）光电导效应在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态 ，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。基于 这种效应的光电器件有光敏电阻。过程：当光照射到半导体材料上时，价带中的电子受到能量 大于或等于禁带
12、宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导 带，如图，使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加，从 而使电导率变大。不存在电子所占能带导带价带禁带自由电子所占能带价电子所占能带Eg式中、分别为入射光的频率和波长。材料的光导性能决定于 禁带宽度，对于一种光电导材料，总存在一个照射光波长限0 ，只有波长小于0的光照射在光电导体上，才能产生电子能级 间的跃进，从而使光电导体的电导率增加。（2）光生伏特效应在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫 做光生伏特效应。基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、三极管。为了实现能级的跃迁，入射光的能量必须大于光电导材料 的禁带宽度Eg，即势垒效应
13、（结光电效应）。接触的半导体和PN结中，当光线照射其接触区域时，便引起 光电动势，这就是结光电效应。以PN结为例，光线照射PN结时， 设光子能量大于禁带宽度Eg，使价带中的电子跃迁到导带，而产 生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，被光激发的电子移向 N区外侧，被光激发的空穴移向P区外侧，从而使P区带正电，N区 带负电，形成光电动势。侧向光电效应。当半导体光电器件受光照不均匀时，有载流子浓度梯度将会 产生侧向光电效应。当光照部分吸收入射光子的能量产生电子空 穴对时，光照部分载流子浓度比未受光照部分的载流子浓度大， 就出现了载流子浓度梯度，因而载流子就要扩散。如果电子迁移 率比空穴大，那么空穴的
14、扩散不明显，则电子向未被光照部分扩 散，就造成光照射的部分带正电，未被光照射部分带负电，光照 部分与未被光照部分产生光电动势。基于该效应的光电器件如半 导体光电位置敏感器件（PSD）。2.2 外光电效应器件利用物质在光的照射下发射电子的外光电效应而制成的光电 器件，一般都是真空的或充气的光电器件，如光电管和光电倍 增管。光电管的结构示意图一、光电管及其基本特性1. 结构与工作原理光电管有真空光电管和充气 光电管或称电子光电管和离子光 电管两类。两者结构相似，如图 。它们由一个阴极和一个阳极构 成，并且密封在一只真空玻璃管 内。阴极装在玻璃管内壁上，其 上涂有光电发射材料。阳极通常 用金属丝弯曲
15、成矩形或圆形，置 于玻璃管的中央。光阳极光电阴极光窗2. 主要性能光电器件的性能主要由伏安特性、光照特性、光谱特性、 响应时间、峰值探测率和温度特性来描述。（1） 光电管的伏安特性在一定的光照射下，对光电器件的阴极所加电压与阳极所 产生的电流之间的关系称为光电管的伏安特性。光电管的伏安 特性如图所示。它是应用光电传感器参数的主要依据。光电管的伏安特性5020lm40lm60lm80lm100lm120lm100150200024681012阳极与末级倍增极间的电压/VIA/ A（2） 光电管的光照特性通常指当光电管的阳极和阴极之间所加电压一定时，光通 量与光电流之间的关系为光电管的光照特性。其
16、特性曲线如图 所示。曲线1表示氧铯阴极光电管的光照特性，光电流I与光通 量成线性关系。曲线2为锑铯阴极的光电管光照特性，它成非 线性关系。光照特性曲线的斜率（光电流与入射光光通量之间 比）称为光电管的灵敏度。 IA/ A光电管的光照特性255075100200.51.52.0/1m1.02.51（3）光电管光谱特性由于光阴极对光谱有选择性，因此光电管对光谱也有选择 性。保持光通量和阴极电压不变，阳极电流与光波长之间的关 系叫光电管的光谱特性。一般对于光电阴极材料不同的光电管 ，它们有不同的红限频率0，因此它们可用于不同的光谱范围 。除此之外，即使照射在阴极上的入射光的频率高于红限频率 0，并且强度相同，随着入射光频率的不同，阴极发射的光电 子的数量还会不同，即同一光电管对于不同频率的光的灵敏度 不同，这就是光电管的光谱特性。所以，对各种不同波长区域 的光，应选用不同
