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1、 3.6 3.6 基极电阻基极电阻如果把基极电流 IB 从基极引线经非工作基区流到工作基区所产生的电压降，当作是由一个电阻产生的，则称这个电阻为基极电阻，用 rbb 表示。由于基区很薄，rbb 的截面积很小，使 rbb 的数值相当可观，对晶体管的特性会产生明显的影响。以下的分析以 NPN 管为例。 ( 1 ) 基极金属电极与基区的欧姆接触电阻 rcon ( 2 ) 基极接触处到基极接触孔边缘的电阻 rcb( 3 ) 基极接触孔边缘到工作基区边缘的电阻 rb ( 4 ) 工作基区的电阻 rb 基极电阻 rbb 大致由下面四部分串联构成：3.6.1 方块电阻对于均匀材料，对于沿厚度方向 ( x 方
2、向 ) 不均匀的材料，对于矩形的薄层材料，总电阻就是 R口 乘以电流方向上的方块个数，即:晶体管中各个区的方块电阻分别为：LdI发射区：工作基区：指正对着发射区下方的在 WB = xjc - xje 范围内的 基区，也称为 有源基区 或 内基区 。非工作基区：指在发射区下方以外从表面到 xjc 处的基区， 也称为 无源基区 或 外基区 。为了降低 rcon 与 rcb ，通常对基极接触孔下的无源基区进行高浓度、深结深的重掺杂。无源基区的方块电阻为方块电阻还可以用来表示掺杂总量或多子电荷总量。 例如对于有源基区，其掺杂总量和多子电荷总量可分别表为3.6.2 rcon 与 rb式中， C 为 欧姆
3、接触系数 ，单位为.cm2 ， 随半导体类型、掺杂浓度及金属种类不同而不同，参见表 3-2 。 通常掺杂浓度越高， 则 C 越小。双基极条结构的 rcon 与 rbEBd Se SblBd Sb圆环形基极条结构的 rcon 与 rbdSdBSe3.6.3 rb 与 rcb在产生电阻 rb 与 rcb 的基区内，基极电流是随距离变化的分布电流 Ib(y) ，因此这个区域内的基极电阻是分布参数而不是集中参数。但是对于了解一些现象的物理机理，以及对于一些简化的工程计算及电路研究而言，可以采用 等效电阻 的概念。这里的等效，是指 集中电流 IB 在等效电阻上消耗的功率 与分布电流 Ib(y) 在相应的
4、基区内消耗的实际功率 相等。双基极条结构的 rb 分布电流为dy 段上的电阻为Ib(y) 在 dy 段电阻上的功耗为Ib(y) 在有源基区内的功耗为得：根据等效电阻的概念，这个功率应该与集中电流 IB 在等效电阻 rb 上的功耗 相等。令：双基极条结构的 rcb圆环形基极结构的 rb 圆环形基极结构的 rcb 很小，可以忽略。圆环行基极:降低 rbb 的措施（1）减小 R口B1 与 R口B2 ，即增大基区掺杂与结深，但这会降低 ，降低发射结击穿电压与提高发射结势垒电容。（2）无源基区重掺杂, 以减小 R口B3 和 C 。 （3）减小 Se 、Sb 与 d ，增长 l ， 即采用细线条，并增加基极条的数目， 但这受光刻工艺水平和成品率的限制。双基极条:
