半导体极管与分立元件放大电路

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1、第二章第二章 半导体三极管与分立元件半导体三极管与分立元件 放大电路放大电路2.1 2.1 双极型半导体三极管双极型半导体三极管 2.2 2.2 共射基本放大电路共射基本放大电路 2.3 2.3 分压式工作点稳定电路分压式工作点稳定电路 2.4 2.4 分立元件放大电路的分析方法分立元件放大电路的分析方法 2.5 2.5 共集电路和共基电路共集电路和共基电路 2.6 2.6 场效应晶体管及其放大电路场效应晶体管及其放大电路 2.7 2.7 多级放大电路多级放大电路 2.8 2.8 共射放大电路的频率特性共射放大电路的频率特性教学目标1、了解三极管结构,熟悉电路符号、电流放大作用、特性曲 线、主

2、要参数及温度对特性的影响。掌握三极管三种工作状 态及其特点。 2、熟悉放大电路的基本要求及主要性能指标 。 3、熟悉共射基本电路的组成及其工作原理。熟悉静态、动态 、直流通路、交流通路的基本概念。 4、熟悉温度对静态工作的影响,分压式工作点稳定电路组成和 工作点稳定原理。 5、会用工程估算法计算静态工作点。了解直流负载线的作法 ,熟悉非线性失真及其产生原因和消除方法。 教学目标6、掌握三极管简化微变等效电路模型和微变等效电路法,会 用微等效电路法求放大电路的主要参数。 7、熟悉共集电路组成工作原理、性能特点及其应用。 8、了解共基电路组成、性能及其应用。 9、了解场效应管结构、分类、工作原理、

3、电路符号,选学主 要参数、组成电路及主要参数的求法。 10、了解多级放大电路的耦合方式及其特点,熟悉多级放大电 路Au、 Ri 、Ro计算方法。了解常用组合放大电路的组成和特 点 。 11、熟悉BJT频率参数、单级阻容耦合共射电路频率特性和波 特图。了解多级放大电路频率特性。 半导体三极管分为双极型三极管(Bipolar junction transistor,BJT)和单极型三极管。双极型三极管又称为晶体三极管,简称三极管(或晶体管),它是多数载流子与少数载流子均参与导电的三极管。单极型三极管又称为场效应管(Field effect transistor,FET),它工作时只有多数载流子参与

4、导电。 2.1 双极型半导体三极管 o若将两个PN结“背靠背”地连接起来(用工艺 的办法制成),则组成三极管。1三极管的分类(1)按结构(导电类型)划分:NPN和PNP。 (2)按所用半导体材料划分:硅管和锗管。(3)按用途划分:放大管和开关管。(4)按工作频率划分:低频管和高频管。(5)按功率大小划分:小功率管、中功率管、大功率管。 2.1.1 三极管的结构、图形符号及分类2三极管的结构、电路符号 三极管结构与符号如图2.1.1所示。它们有三区:集电 区、基区、发射区;三极:各对应引出的电极分别称为集电 极c(Collector)、基极b(Base)和发射极e(Emitter);两 结:发射

5、区与基区之间的PN结称为发射结Je,基区与集电区 之间的PN结称为集电结Jc。 图2.1.1 三极管的内部结构与符号 (a)NPN型 (b) PNP型 三极管实物图片 注意:(1)两种管子的电路符号用发射极箭头方向的不同以示区别,箭头方向表示发射结正偏时发射极电流的实际方向。(2)三极管具有信号放大作用。(3)保证放大的制造工艺:基区很薄且掺杂浓度低,发射区掺杂浓度高,集电结的面积比发射结的面积大等。(4)在使用时三极管的发射极和集电极不能互换。一、三极管放大的基本条件 (1)放大的偏置条件:Je正偏,Jc反偏。(2)NPN管具有放大作用时的电位关系:UCUBUE;PNP管:UCUBUE。 2

6、.1.2 三极管的电流放大作用及其放大的基本条件 二、三极管各电极上的电流分配 NPN型三极管的电流分配实验电路如图2.1.2所示,图中 ,IB为基极电流,IC为集电极电流,IE为发射极电流,它们的 方向如图中箭头所示。UBE为发射结的正偏压,UCE为集电极 与发射极之间的电压。图2.1.2 三极管电流分配实验电路 调节实验电路的电位器RP可以改变UBE并产生相应的基极电流IB,而IB的变化又将引起IC和IE的变化。每产生一个IB值,就有一组IC和IE值与之对应,该实验所得数据见表2.1.1。 由上表得出规律:IE=IB+IC,即发射极电流等于基极电流与集电极电流之和。表2.1.1 三极管三个

7、电极上的电流分配 三、三极管的电流放大作用 由表1.3.1可知,当IB从0.02mA变化到0.03mA时, IC随之从1.14mA变化到了1.74mA,则两变化量之比(1.74-1.14)/(0.03-0.02)=60,说明此时三极管IC的变化量为IB的变化量的60倍。(1)三极管的电流放大作用就是基极电流IB的微小变化控制了集电极电流IC较大的变化。(2)三极管放大电流时,被放大的IC是由电源VCC提供的,并不是三极管自身生成的,放大的实质是小信号对大信号的控制作用。(3)三极管是一种电流控制器件。 2.1.3 三极管的输入、输出特性曲线 三极管的各个电极上电压和电流之间的关系曲线称为三极管

8、的 伏安特性曲线或特性曲线。常用的是输入特性曲线和输出特性曲线 。三极管在电路中的连接方式(组态)不同,其特性曲线也不同。用NPN型管组成的共射特性曲线测试电路如图2.1.3所示。 图2.1.3 三极管共射特性曲线测试电路 一、输入特性曲线(Input characteristic curves) 共射输入特性曲线方程式:iB=f(uBE)uCE=常数。图 2.1.4为NPN型硅管3DG4的共射输入特性曲线。 图2.1.4 共射输入特性曲线 (1) uCE0:c极与b极相连,相当于两个二极管并联,输入特性曲线与二极管伏安特性曲线的正向特性相似。(2)uCE1V:曲线右移。(3) uCE1V:曲

9、线与uCE=1V时的曲线近乎重合。实际中,通常就用uCE1V这条曲线来代表。(4)三极管放大状态的依据:硅管uBE=0.7V,锗管uBE=0.2V。 二、输出特性曲线(Output characteristic curves) 1方程输出特性曲线方程式:iC= f(uBE)iB=常数。 2输出特性曲线测试测试时,先调节RP1使iB为某一值固定不变,再调节RP2,得到与之对应的uCE和iC值,根据所对应的值可在直角坐标系中画出一条曲线。重复上述步骤,可得不同IB值的曲线族,如图2.1.5所示。 图2.1.5 共射输出特性曲线 由图可知: (1)曲线起始部分较陡, 且不同iB曲线的上升部分几乎重合

10、。(2)对一条曲线而言,uCE 增大,iC增大,但当uCE大于 0.3V左右以后,曲线较平坦,只略有上翘。这说明三极 管具有恒流特性。(3)输出特性曲线不是直线,是非线性的,说明三极 管是一种非线性器件。 3三极管输出特性曲线的四个区 (1)放大区(Active region) (2)饱和区(Saturation region) (3)截止区(Cutoff region) (4)击穿区(Breakdown region) 4PNP管特性曲线由于电源电压极性和电流方向不同,PNP管与NPN管的特性曲线是相反、“倒置”的。 2.1.4 三极管的主要参数及温度对特性的影响 三极管的参数用来表征管子性

11、能优劣和适用范围,它是 合理选用三极管的依据。 一、电流放大系数(Current amplification factor)电流放大系数是表征三极管放大能力的参数。电路工作状 态有两种:电路无交流信号输入而工作在直流状态时,称为静 态;电路有交流信号输入而工作在交流状态时,称为动态。 1.共发射极电路直流电流放大系数 它反映静态时集电极电流与基极电流之比值。 温度升高,值增大。每升高1,值增加0.5%1%, 反映在输出特性曲线上就是各条曲线的间距增大。 3. 共基极电路电流放大系数2.共发射极电路交流电流放大系数 在共基极电路(即信号从发射极输入,集电极输出,基 极为输入输出的公共端)中,三极

12、管的集电极电流IC与发射 极电流IE之比称为共基极电路直流电流放大系数。二、极间反向电流(1)ICBO指发射极开路时集电极和基极之间的反向饱和电流。ICBO很小,温度升高,ICBO增加。一般硅管热稳定性比锗管好。图2.1.6(a)为该参数的测试电路。(2)ICEO是指基极开路时,集电极和发射极之间的反向饱和电流,又称为穿透电流。ICEO=(1+) ICBO。图2.1.6(b)为该参数的测试电路。极间反向电流是由少数载流子形成的,其大小表征了管子的温度特性。 图2.1.6 极间反向电流的测量 (a)测量ICBO的电路 (b)测量ICEO的电路 三、极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM(Max

13、imum allowable collector current):是指当下降到正常值的2/3时所对应的IC值。当IC超过 这个值时,放大性能下降或损坏管子。 (2)反向击穿电压(Reverse breakdown voltage)U(BR)CBO : 发射极开路时,集电极基极之间允许施加的最高 反向电压,超过此值,集电结发生反向击穿。U(BR)EBO : 集电极开路时,发射极基极之间允许施加的最高反 向电压。U(BR)CEO:基极开路时,集电极与发射极之间所能承受的最高反 向电压。为可靠工作,使用时VCC取U(BR)CEO的1/2或2/3。在输出特 性曲线中,iB0的曲线开始急剧上翘所对应的

14、电压即为U(BR)CEO , 其值比U(BR)CBO小。T,U(BR)。 (3)集电极最大允许耗散功率PCM(Maximum allowable power dissipation):PCM的大小主要决定于允许的集电结结温。一般硅管约 为150,锗管约为70。显然,PCM的大小与管子的散热条件及环 境温度有关。且PCM= iCuCE,由此可画出三极管的安全工作区。 图2.1.7 三极管的安全工作区1.3.5 微型三极管简介 图2.1.8 微型三极管外形尺寸 (a)SOT-23封装外形尺寸 (b) SOT-143封装外形尺寸附:三极管的引脚判别及性能检测 (一)晶体三极管的引脚判别用万用表测三极

15、管示意图 1、基极的判别2、集电极、发射极的判别一、BJT放大电路的基本要求 2.2 共射基本放大电路 要使BJT放大电路完成预定的放大功能,必须满足以下要求:(1)有直流电源。三极管Je正偏,Jc反偏,工作在放大区。(2)输入信号能输入。(3)输出信号能输出。(4)信号不失真地放大,满足放大电路的性能指标要求。 2.2.1 放大电路的基本要求及主要性能指标 1放大倍数(Amplification)放大倍数是衡量放大电路放大能力的指标,常用A表示。 放大倍数可分为电压放大倍数、电流放大倍数和功率放大倍数 等。放大电路框图如图2.2.1所示。 二、放大电路的主要性能指标 图2.2.1 放大电路框

16、图 放大电路输出电流与输入电流之比,称为电流放大倍数。工程上常用对数来表示放大倍数,称为增益G,单位为分贝 (dB),常用的有Gu=20lgAu Gi=20lgAi 放大电路输出电压与输入电压之比,称为电压放大倍数 相当于信号源的负载, 越大,信号源的电压更多地传输到放大 电路的输入端。在电压放大电路中,希望大一些。2输入电阻(Input resistance)输入电阻就是向放大电路输入端看进去的交流等效电阻,在数 值上等于输入电压与输入电流之比,即3输出电阻(Output resistance) 图2.2.2 输出电阻的求法 输出电阻就是从放大电路输出端(不包括负载)看进去的 交流等效电阻。输出电阻的求法如图2.2.2所示,即先将信号源 短路,保留内阻,将负载开路,在输出端加一交流电压uo,产 生电流io,输出电阻等于uo与io之比,即 图2.2.3 共射放大电路组成 (a)双电源电路 (b)实际电路 2.2.2 共射基本

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