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1、 光刻定义光刻是一种图象复印与选择性腐蚀相结合的加工过程，即先用照相复印的方法把光刻掩模版上的图形精确地复印到涂在待刻蚀材料表面的光刻胶上，接着以这种带图形的光刻胶为腐蚀掩模对材料作选择性腐蚀，使掩模版上的图形最终精确地转移到SiO2等薄膜上。工艺流程硅片涂HMDS涂胶光刻胶前烘硅片对准 和暴光显影显影后 检查后烘刻蚀刻蚀后 检查去胶和 清洗掩模版光刻工艺S iRESIST下地下地S iRESIST下地S i露光露光下地S iS iS iS iS iETC H注入氧化CVDSPT=下地RESIST 涂布目合露光（感光）现象ETCH注入RESIST 剥离PR作业工程流程 （ PR=Photo R
2、esist ）涂布光刻胶的基本形式： 正胶 、 负胶正胶在射线上照射下分解 感光的化合物被钝化 了，这样暴光的区域能在显影时很容易的洗去。这样 在光刻胶上就产生了光刻掩模版的正图象。负胶在射线 通常是UV 暴光起的聚合以至于 暴光后的胶在显影时被去掉了。这样在胶上留下了光 刻掩模版的反面影象。注意点：因为光刻胶通常对深紫外线光非常敏感 ，工艺就需在黄光区域或“金”光区域内进行，直到暴光 后的光刻胶被显影以后。涂布正胶涂布的工艺流程脱水BAKE作为正胶涂布的前处理，去除硅片表 面的水分，抑制自然氧化膜的成长。HMDS处理CLEANRESIST涂布PREBAKE运用HMDS使得硅片表面产生疏水性
3、能，从而提高RESIST和下地之间的 密着性。为了光刻胶的膜厚能够均匀一致，必 须使硅片表面的温度与超净间的温度 一样。在硅片表面滴下光刻胶，形成均一的 薄膜。调整光刻胶的感度。涂布光刻胶膜厚的形成过程光刻胶 滴下时间高速回转数Edge RinseBack Rinse（sec）回转数（rpm）加速度通过喷嘴将 光刻胶滴下运用高速的回转，去除多余 的光刻胶用THINNER清 洗表面背面露光正胶涂布后目合露光正胶现象RESIST 下地 SiRESIST 下地 SiFLYEYE LENSCONDENSER LENSRETICLEPROJECTION LENSNA瞳露光光刻机的基本构造水银灯激光FLY
4、EYE LENSIntegtator senserReticle blind反射镜CONDENSER LENSPROJECTION LENSRETICLENA瞳移动镜（干涉计）XY STAGE露光光刻机的结构： 缩小投影光学系统 照明系统 自动掩模管理系统 自动对准 自动调平、调焦系统 硅片管理系统 工作台 激光定位、测量系统 计算机和控制（硬件） 操作、接口系统（软件） RETICLE的组成：保护膜铬或氧化铬石英玻璃 露光光刻机的基本性能1. 解像度分离解像度（限界解像度）是指在最佳的露光时间、BEST FOCUS时所产生 的最小的寸法值。K K：定数（RESIST等）解像力= ：波长NNA
5、：LENS开口数 2. 焦点深度焦点深度是指在特定条件下、容许聚焦的变动量范围内进行有目的的图形化 。K 焦点深度= （m）NA（NA）2露光光刻机的基本性能3. 重合精度相对于前工程的图形而言，硅片之间、硅片内，SHOT间、SHOT内的精度精 确地重合在一起。重合精度 = X + 3 （影响精度的项目） 精度 精度 现象现象的处理流程PEB处理露光后进行高温地烘烤处理。只能使 用高感度的RESIST。滴下现象液CUP处理静止现象RINSE高速回转干燥HOST BAKE水份的蒸发使光刻胶干燥。（主要针 对防止光刻胶在刻蚀被剥落）现像液滴下现像（67S）纯水RINSE（810S）干燥现象现象的形
6、成过程外观外观检查的目的：外观检查就是检验人员用眼睛来发现硅片表面的不良，通过SAMPLE形式判断不良的种类和原因，按照相关的文书对不良制品和相应的设备进行有关的处理 和处置。对外观检查人员的要求： 外观检查作为光刻的最后一道工序，首先需要检验人员要有高度的责任感。 其次检验员要严格按照文书及SAMPLE形式进行外观判断，绝对禁止用自己的经验或其他形式进行自我意识的判断。 检验人员要自觉遵守公司的各项规章制度，时刻严格要求自己的一言一行。 检验人员在工作中要小心谨慎，不要放过任何细小的不良之处。 保持良好的座姿，在工作中保证良好的精神状态。外观外观不良的种类简介：1. 不良（部分、全体、SHO
7、T、周边）2. 不良（前工程造成的、本工程造成的）3. 涂布（滴下不良）4. 不良（前工程不良、本工程不良）5. 污染不良（表面的污染不良、背面的污染不良）6. 图形位置偏差7. 现象不良（现象液残留、图形剥落）8. SIDE RINSE不良药品气体在光刻现场使用的气体种类：F2（氟气）、Kr（氪气）、Ne（氖气）、He（氦气）、N2（氮气）F2 F2是一种剧毒并有腐蚀性的气体。在干燥情况下不会发生大问题 ，但溶于水后就显示很强的酸性。F2会伤害人的皮肤、眼睛、粘膜、呼吸道等部位，要特别注意。 Kr、Ne、He 这些气体都属于稀有气体。在半导体制造上将N2和以上气体并称为惰性气体。N2的特点是可以在现场大量制造；可以轻易达到要求的纯度以及其他指标 ；成本低廉。
