半导体的三个特性

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1、 6.1 6.1 半导体半导体6.1.1 6.1.1 半导体的三个特性半导体的三个特性6.1.2 6.1.2 PN PN 结结6.1.1 半导体的三个特性导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是 导体，如铁、铜、铝等。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷 、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为 半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。半导体的导电机理不同于其它物质，其特点为： 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。6.1 半导体1.热敏特性和光敏特性HOMEGeSi在绝对零度以下，本征半导体中无活跃载流子，不导电用的最

2、多的半导体是硅和锗，最外层电子（价电子）都是四个。本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。形成共价键后，每个原子最外层电子是八个，构成稳定结构 。+4+4+4+4共价键结构束缚电子HOME2.掺杂特性在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体 的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种 载流子浓度大大增加。P 型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼(或铟)而形成，也称为（空穴半导体）。N 型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑）而形成。也称为（电子半导体）。+4+4+5+4多余 电子磷原子+ + + + + + + + + + + + +N 型半导体N 型

3、半导体中的 载流子是什么？自由电子为多数载流子（多子 ）空穴称为少数载流子（少子）+N 型半导体自由电子为多子空穴是多子P 型半导体杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数 量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂 质浓度相等。往纯净半导体中掺入某些杂质，会使其导电能力明显改变。HOMEP型半导体N型半导体扩散运动内电场E漂移运动扩散的结果是使空间 电荷区逐渐加宽，空 间电荷区越宽。内电场越强，就使漂移 运动越强，而漂移使空 间电荷区变薄。空间电荷区， 也称耗尽层。1. PN 结的形成+所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡， 相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚 度固定不变。HOME6.1.2 PN 结2 .PN结的单向导电性PN 结外加正向电压：P 区接正、N 区接负电压PN 结加上反向电压：P区加负、N 区加正电压PNPN 内电场 外电场变薄结论：P N 结导通内电场 外电场变厚结论：P N 结截止HOMEHOMEHOME