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1、!“#$%,? A/+:(#!，BC? D#(/;+EA/;!，BC? F:#+:G/;4，HC)2 IA#+J#/4（!“#$%,-3#%$%-23#/,-+ # ,/4器件沟道有源区2。此外，45+*“-!“和应变45能带带隙及能带偏移量可由以下的式子来定量地描述（+/+66*./71“?./.(.3“(）!)（.“./（(/.+.*+/(2“）!)（././31“（.“./7）#A（“）（./27*./61“）“（.“./7）!+)应变%4器件。对体45衬底上应变45-!层而言，由于压应变在提升价带简并度的同时使态密度和有效质量都得到了降低，从而增加了空穴的迁移率，但弛豫45-!的载流子
2、迁移率由于合金散射而要低于体45的迁移率。在体45中平行于界面传输的有效质量为+ $D+ 1+ $E?+ $F!“其中$E为纵向质量；$F为横向质量。在张应变45中，+ $D+ $F。由于平面内应变产生的各向异性结构打破了导带和价带的简并度，因此张应变在改善迁移率上起着很大的作用，并在很大程度上减少了能谷间的散射。此外，以下三种散射机制也促使张应变45中载流子迁移率得到提升：一是沟道区域轻掺杂或不掺杂来减少杂质散射；二是如图3所示3的体45导带六重简并#3能级分裂为#(和#7，减少了能谷间的散射；三是由于应变高出平面的有效质量减少了界面的渗透从而降低了界面散射。所有的这些都使应变45材料中电子
3、和空穴迁移率增加。1应变45器件及器件优势)+$应变%4器件。该器件的特点是：单层应变45生长在弛豫45-!虚拟衬底上；沟道层的厚度大于反型层；导电特性以电子的输运为主。图2（8）显示了埋层沟道应变45 :;4器件。该器件的特点是：高性能特性仅局限于有限的电压范围，当栅极电压很高时电子堆聚在帽层；栅极氧化物层的质量较差；在45-!帽层图645“45-!异质结构的能带图（#）体45（弛豫）上的应变45./2-!./1能带（!型能带对准）（8）体45./2-!./1（弛豫）上的应变45能带（“型能带对准）体45衬底上应变45-!层图3应变45的能带分裂及能带对准示意图纳米器件与技术!“#$%）显示
4、了应变!“ $()器件有效载流子迁移率与垂直有效电场的关系曲线+7。从此图我们可以知道：当有效电场强度!3?时，应变!“的有效载流子迁移率!3。?结语可以看出，应变2$3Z#I2178IM0N)SD I#H：N NEEED!0(DG1/N，-+*Q+?Q+DR*?D?MAC A，B)T4 L S，U!00)C2G3#1“ 3“K 3“3%6O55 1F K$H 57;/G21“ 5#23“$KO35$K9()O*+ “/ 5#23“$K 2G3#“8 I8I H$2F12/3“G$ 5#23“$K& ()&VM4 K$=G$5LD&1%KO#$ M%$G#21“G5，-+，：*.+Q*.*?D*&U$ 3K=3“G$ “ #I$ /32Z$#H%3G$(D: 3#IF“K$2 A$O5$32GI，!“G，年月清华大学微电子学研究所博士后出站，从事半导体薄膜 材 料 分 析 和 集 成 电 路 相 关 工 艺 的 研 究 ，M/3%：GI3“8GI7“GI$“bI1#/3%DG1/D。图*.用于应变&器件制作的应变&衬底市场的发展趋势（注：*平方英寸c?DR G/-）纳米器件与技术!“#$%&%()$#* +%,*% - .%/#$&$01$%
