《集成基站混频器本振噪声的规格与测量》由会员分享，可在线阅读，更多相关《集成基站混频器本振噪声的规格与测量（6页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、 美信社区：http:/ 集成基站混频器本振噪声的规格与测量集成基站混频器本振噪声的规格与测量 摘要：集成混频器内部的本振摘要：集成混频器内部的本振(LO)(LO)驱动器驱动器/ /缓冲器会增加本振残余相噪，强射频信号与缓冲器会增加本振残余相噪，强射频信号与 本振噪声发生倒易混频会降低接收灵敏度。定义并评估集成混频器本振噪声的劣化能够帮本振噪声发生倒易混频会降低接收灵敏度。定义并评估集成混频器本振噪声的劣化能够帮 助系统设计人员计算接收机灵敏度的降低。助系统设计人员计算接收机灵敏度的降低。 前言前言 蜂窝基站接收机需要在有较高阻塞/干扰信号的情况下接收天线端微弱的有用信号。干 扰信号通常会被滤
2、波器滤除，但滤波是在第一级下变频后的中频(IF)阶段进行的。因此，中 频滤波器之前的 LNA 与混频器必须具有较高的线性度(IP3)和低噪声系数(NF)。 图 1 给出了一个典型的基站接收机架构的简化框图。接收机从天线开始，然后是高 Q 值调谐滤波器单元，低噪放位于天线附近。通过同轴线缆将接收到的信号连接到收发信机， 收发信机单元由低噪放、低噪声混频器、声表滤波器以及中频放大器构成，最后是模/数转 换器(ADC)。第一级混频器将信号下变频至 70MHz 至 100MHz (CDMA 800/GSM 900)或 200MHz 至 300MHz (GSM 1800/GSM 1900/UMTS)。
3、图 1. 蜂窝基站接收机的基本框图 通常使用本振驱动电平大于 17dBm 的无源平衡二极管混频器来满足对混频器线性度和 噪声的要求(图 2)。这些基站混频器由分立元件或混合集成电路构成，本振驱动由外部特性 阻抗为 50 的缓冲放大器实现。因此，在信号注入混频器之前增加滤波器，滤除本振残余 相噪是可行的。选择 IC 方案时，必须谨慎考虑本振驱动的噪声，以满足系统要求。在芯片 的输入端口通过滤波将本振电平噪声限制到 kT，本振缓冲放大器将使本振相噪劣化。当存 在大的阻塞信号时，由于本振噪声与强干扰信号之间的倒易混频会增加接收机的噪声。 图 2. 带本振滤波的分立式无源 17 级基站接收机混频器
4、美信社区：http:/ 混频器噪声模型混频器噪声模型 热噪声是接收机混频器中常见的测量噪声，定义为具有 50 射频输入端口的混频器的 噪声性能，端口的噪声功率密度为-174dBm/Hz (kTo)。输入参考噪声可以由混频器的噪声系 数(10log10F)获得。 式中， k = 玻尔兹曼常数(1.381 x 10-23 J/K) To = 绝对温度(290K) F = 混频器的噪声系数。 倒易混频发生在射频端口存在强射频信号的情况下。 这是一种在噪声系数(NF)测量中没 有计算在内的附加噪声。输入倒易混频噪声 Nrmi 可以在特定的阻塞电平 Sbl 条件下评估。 假定输入本振噪声为，带宽为 B，
5、中频端口的倒易混频噪声为： 如果干扰频率与有用信号的频率偏差足够大， 相位噪声可认为是平坦的。 这两个噪声源 可看作相互独立，并且可以直接相加(图 4 所示)。存在阻塞信号时，对输入、输出信噪比的 影响可以用下式表示： 本振噪声的定义本振噪声的定义 根据混频器输出端口所需要的载噪比(C/I)、 输入阻塞信号电平(Sbl)、 信号电平(Sdes) 以及接收噪声带宽(B)，可以估算所需的本振噪声，单位为 dBc/Hz ()。对于 GSM 基站，偏 差大于 3MHz 的最大阻塞信号(Sbl)电平定为-13dBm，在阻塞条件下所需接收灵敏度为 -101dBm，GSM 系统的带宽B为 200kHz。 对
6、于需要 C/I 比为 10 的 GSM 基站系统，计算所得的相位噪声电平为-151dBc/Hz。考虑 到前端热噪声，实际的相位噪声应该大于该值，移动基站的阻塞指标比较宽松， = -138dBc/Hz。 美信社区：http:/ 图 3. 典型集成基站接收机混频器，集成了本振驱动和中频放大功能 LOLO 驱动的等效噪声电平驱动的等效噪声电平 将式 1 和式 2 代入式 3，得到接收机信噪比下的等效本振噪声电平 (单位为 dBc/Hz)。 高线性混频器要求较高的本振驱动电平，但同时放大器的底噪也会相应增加。如式 2 所示， 由于倒易混频使本振噪声出现在中频端口， 可以在中频端口测量本振驱动放大器的
7、噪声。 图 5 所示配置可以用来测量阻塞条件下的混频器噪声。 底噪测量分别在无信号和存在阻塞信号 的条件下进行。Nbl 由输出热噪声 Ntho 以及输出倒易混频噪声 Nrmo 组成，Nbl 经过声表滤 波器衰减和中频放大。Ntho 由小信号噪声(F)和增益(G)确定。 Nrmo 可以从 Nbl 中分离出来，并计算集成本振驱动放大器的 (dBc/Hz)。定义集成混频 器的等效噪声可以帮助系统设计者由式 3 估算信噪比(SNR)的劣化。 图 4. 混频器总噪声由热噪声和倒易混频噪声组成 计算举例计算举例 MAX9993 是一款为 PCS/DCS/UMTS (1.7G 至 2.2G)应用设计的一款有
8、源混频器。 其典型增 益为 8.5dB，噪声系数 9.5dB，IIP3 = 23.5dBm，P1dB = 13.0dBm，工作所需的本振电平在 0 至 6dBm 之间。输入参考热噪声 Nthi = -174 + 9.5 = -164.5dBm/Hz，输出热噪声 Ntho = -174 + 9.5 + 8.5 = -156dBm/Hz。本例中工作频率分别为：fIF = 190MHz，fLO = 1800MHz， 美信社区：http:/ fRF = 1990MHz。在偏离 fRF 25MHz 处(fbl = 2015MHz)，注入 5dBm 的阻塞信号，且使用一 个 190MHz 的中频滤波器(S
9、AWTEK 855770)滤除 215MHz 处的阻塞信号，用 Agilent E4404B 频谱分析仪测得的 Nbl 为-127dBm/Hz。不存在阻塞信号的同样配置下，测得的噪声电平为 Ntho = -134dBm/Hz。该配置中，中频放大器的增益和噪声系数分别为 29.5dB 和 2.5dB。所 测得的 Ntho 与使用实验配置下的增益和存在阻塞条件下的噪声系数计算的结果一致。 图 5. 存在阻塞情况下测量噪声以及推导的实验配置 图 6. 不同温度条件下 MAX9982 以 dBc/Hz 表示的本振噪声()相对于输入本振驱动功率 的变化 存在阻塞情况下噪声的增加归结到混频器输出噪声表现为
10、 Ntho 到 Nbl 的劣化。通过频 谱仪测量到的噪声电平(Nbl)来源于热噪声、倒易混频、声表以及中频放大器。通过对整个 系统的级联噪声分析，混频器的等效噪声系数由 9.5dB 增加到 16dB。从合成噪声(Nbl)中， 美信社区：http:/ 使用在混频器噪声部分推导的公式可求出倒易混频噪声 Nrmi。式 3 所示信噪比降低 16dB， 从式 3 解出 Nrmi，结果是： 输入倒易混频噪声 Nrmi = 15dBm/Hz - 174dBm/Hz = -159dBm/Hz。由于使用了 5dBm 的 阻塞信号，为-164dBc/Hz。该指标远小于 GSM 所需要的-151dBc/Hz。 以信
11、噪比(dBc/Hz)定义的本振噪声会随着本振驱动信号的变化而变化， 同时该驱动信号 会受本振驱动的限制。从下述例子可以看到这一点。 MAX9982 是一款用于 CDMA/GSM 频带(825MHz 至 915MHz)的高线性混频器，其输入 IP3 26dBm， 增益为 3dB 且噪声系数 NF = 11dB。 该混频器工作时的本振驱动范围为-5dBm 至+5dBm 之间。 大多数参数随着本振驱动信号而变化。 图 6 给出了一个以驱动电平为函数的 (dBc/Hz) 曲线。此次测量所采用的配置与图 5 完全相同。一个 SAWTEK (854823) 86.6MHz 的 GSM 中频 滤波器用于衰减
12、中频端口的阻塞信号(DUT 口为 5dBm)。 结论结论 本文讨论了在基站集成混频器设计中本振驱动放大器噪声的影响。 用一个简单的噪声模 型， 倒易混频成分可以从存在阻塞信号情况下的整体噪声中提取出来， 通过测量在阻塞条件 下的整体输出噪声， 测量出了两个集成混频器内部的驱动放大器的本振噪声。 这个数据可以 用来计算阻塞条件下接收机的灵敏度。 参考文献 Frequency Mixers Level 17. Available . H. Wohlmuth and W. Simburger, “A High IP3 RF Receiver Chip Set for Mobile Radio Bas
13、e Stations upto 2GHz,“ IEEE JSSC, July 2001. H. J. Yoo and J. H. Kim, “The Receiver Noise Equation: A Method for System Level Design of an RF Receiver,“ Microwave Journal, August 2002, pp. 20-34. E. Ngompe, “Computing the LO Noise requirements in a GSM receiver“, Applied Microwave and Wireless, pp.5
14、4-58. Draft GSM 05.05 V8.1.0, European Telecommunications Standard Institute, pg 29, Nov 1999. J. Lin et al, “A silicon MMIC active balun/buffer amplifier with high linearity and low residual phase noise,“ 2000 IEEE MTT-S Digest. 美信社区：http:/ R. G. Meyer and A. K. Wong, “Blocking and Desensitization in RF Amplifiers,“ IEEE JSSC, August 1995. Maxim Integrated Products, MAX9981, MAX9982, MAX9993.
