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1、1基于 PID 电加热炉温度控制系统设计 摘 要 基于 PID 电加热炉温度控制系统以 PID 控制为核心，硬件方面包括电源部分、采样测量部分、驱动执行部分。PID 控制不仅适用于数学模型已知的控制系统中，而且对于大多数数学模型难以确定的工业过程也可应用，在众多工业过程控制中取得了满意的应用效果。PID 控制又分为位置式 PID 控制和增量式 PID 控制，公式 4 给出了控制量的全部大小，所以称之为全量式或者位置式控制；如果计算机只对相邻的两次作计算，只考虑在前一次基础上，计算机输出量的大小变化，而不是全部输出信息的计算，这种控制叫做增量式 PID 控制算法。控制系统的软件主要包括：采样、标
2、度变换、控制计算、控制输出、中断、显示、报警、调节参数修改、温度设定及修改。其中控制算法采用数字 PID 调节，应用增量型控制算法，并对积分项和微分项进行改进，以达到更好的控制效果。 关键字 电机热炉；温度；PID 1 概述温度是工业对象中的很重要参数的之一。广泛应用在冶金、化工、机械各类加热炉热、处理炉和反应炉等工业中。电加热炉随着科学技术的发展和工业生产水平的提高，已经在冶金、化工、机械等各类工业控制中得到了广泛应用，并且在国民经济中占有举足轻重的地位。对于这样一个具有非线性、大滞后、大惯性、时变性、升温单向性等特点的控制对象，很难用数学方法建立精确的数学模型，因此用传统的控制理论和方法很
3、难达到好的控制效果。PID（Proportional Integral Derivative）控制是控制工程中技术成熟、应用广泛的一种控制策略，经过长期的工程实践，已形成了一套完整的控制方法和典型的结构。它不仅适用于数学模型已知的控制系统中，而且对于大多数数学模型难以确定的工业过程也可应用，在众多工业过程控制中取得了满意的应用效果。在本控制对象电阻加热炉功率为 800W，由 220V 交流电供电，采用双向可2控硅进行控制。本设计针对一个温度区进行温度控制，要求控制温度范围50350，保温阶段温度 控制精度为正负 1 度。选择合适的传感器，计算机输出信号经转换后通过双向可控硅控制器控制加热电阻两
4、端的电压。其对象问温控数学模型为：1)(sTeKsG ds d其中：时间常数 Td=350 秒放大系数 Kd=50滞后时间=10 秒控制算法选用 PID 控制2 系统硬件的设计本系统的单片机炉温控制系统结构主要由单片机控制器、可控硅输出部分、热电偶传感器、温度变送器以及被控对象组成。系统硬件结构框图如下：图 2.1 系统硬件结构框图LED 显示报警提醒通信接口键盘看门狗微型控制机AT89S52测量变送8 路 A/D 转器 ADC0809温度温度检测PT100加热电阻驱动执行机构8 路 D/A 转换器DAC083232.1 电源部分本系统所需电源有 220V 交流市电、直流 5V 电压和低压交流
5、电，故需要变压器、整流装置和稳压芯片等组成电源电路。电源变压器是将交流电网 220V的电压变为所需要的电压值，然后通过整流电路将交流电压变为脉动的直流电压。由于此脉动的直流电压还含有较大的纹波，必须通过滤波电路加以滤除，从而得到平滑的直流电压。但这样的电压还随电网电压波动（一般有10%左右的波动） 、负载和温度的变化而变化。因而在整流、滤波电路之后,还需要接稳压电路。稳压电路的作用是当电网电压波动、负载和温度变化时，维持输出直流电压稳定。整流装置采用二极管桥式整流，稳压芯片采用 78L05,配合电容将电压稳定在 5V，供控制电路、测量电路和驱动执行电路中弱电部分使用。除此之外，220V 交流市
6、电还是加热电阻两端的电压，通过控制双向可控硅的导通与截止来控制加热电阻的功率。低压交流电即变压器二次侧的电压，通过过零检测电路检测交流电的过零点，送入单片机后，由控制程序决定双向可控硅的导通角，以达到控制加热电阻功率的目的。2.2 采样测量部分在检测装置中，温度检测用WZP-231铂热电阻（Pt100），采用三线制接法，采样电路为桥式测量电路，其输入量程为50350C，经测量电路采样后输出25V电压，再经模数转换芯片ADC0809进行转换，变为数字量后送入单片机进行分析处理。铂电阻温度传感器是利用其电阻和温度成一定函数关系而制成的温度传感器,由于其测量准确度高、测量范围大、复现性和稳定性好等,
7、被广泛用于中温(-200650)范围的温度测量中。PT100是一种广泛应用的测温元件，在-50600范围内具有其他任何温度传感器无可比拟的优势，包括高精度、稳定性好、抗干扰能力强等。由于铂电阻的电阻值与温度成非线性关系，所以需要进行非线性校正。校正分为模拟电路校正和微处理器数字化校正，模拟校正有很多现成的电路，其精度不高且易受温漂等干扰因素影响，数字化校正则需要在微处理系统中使用，将Pt电阻的电阻值和温度对应起来后存入EEPROM中，根据电路中实测的AD值以查表方式计算相应温度值。 4常用的 Pt 电阻接法有三线制和两线制，其中三线制接法的优点是将 PT100的两侧相等的的导线长度分别加在两侧
8、的桥臂上，使得导线电阻得以消除。常用的采样电路有两种：一为桥式测温电路，一为恒流源式测温电路。在本系统设计中，采用了第一种方法，即桥式测温。测温原理：电路采用TL431和电位器VR1调节产生4.096V的参考电源；采用R1、R2、VR2、Pt100构成测量电桥（其中R1R2，VR2为100精密电阻），当Pt100的电阻值和VR2的电阻值不相等时，电桥输出一个mV级的压差信号，这个压差信号经过运放LM324放大后输出期望大小的电压信号，该信号可直接连AD转换芯片。差动放大电路中R3R4、 R5R6、放大倍数R5/R3，运放采用单一5V供电。 设计及调试注意点： 1. 同幅度调整R1和R2的电阻值
9、可以改变电桥输出的压差大小； 2. 改变R5/R3的比值即可改变电压信号的放大倍数，以便满足设计者对温度范围的要求 3. 放大电路必须接成负反馈方式，否则放大电路不能正常工作 。4. VR2也可为电位器，调节电位器阻值大小可以改变温度的零点设定，例如Pt100的零点温度为0，即0时电阻为100，当电位器阻值调至109.885时，温度的零点就被设定在了25。测量电位器的阻值时须在没有接入电路时调节，这是因为接入电路后测量的电阻值发生了改变。5. 理论上，运放输出的电压为输入压差信号放大倍数，但实际在电路工作时测量输出电压与输入压差信号并非这样的关系，压差信号比理论值小很多，实际输出信号为 4.0
10、96*(RPt100/(R1+RPt100)- RVR2/(R1+RVR2) （1） 式中电阻值以电路工作时量取的为准。 6. 电桥的正电源必须接稳定的参考基准，因为如果直接VCC的话，当网压波动造成VCC发生波动时，运放输出的信号也会发生改变，此时再到以VCC未发生波动时建立的温度-电阻表中查表求值时就不准确。52.3 驱动执行部分硬件输出通道主要包括加热电阻的控制环节，而此控制环节的核心是双向可控硅，但电路的关键是设计双向可控硅的驱动电路。双向可控硅的通断直接决定加热电阻的工作与不工作，本部分用带过零触发的光耦 MOC3061 来驱动。1 光耦驱动电路在驱动电路中，由于是弱电控制强电，而弱
11、电又很容易受到强电的干扰，影响系统的工作效率和实时性，甚至烧毁整个系统，导致不可挽回的后果，因此必须要加入抗干扰措施，将强弱电隔离。光耦合器是靠光传送信号，切断了各部件之间地线的联系，从根本上对强弱电进行隔离，从而可以有效地抑制掉干扰信号。此外，光耦合器提供了较好的带宽，较低的输入失调漂移和增益温度系数。因此，能够较好地满足信号传输速度的要求，且光耦合器非常容易得到触发脉冲，具有可靠、体积小、等特点。所以在本系统设计中采用了带过零检测的光电隔离器 MOC3061，用来驱动双向可控硅并隔离控制回路和主回路。MOC3061 是一片把过零检测和光耦双向可控硅集成在一起的芯片。其输出端的额定电压是 4
12、00V，最大重复浪涌电流为 1.2A，最大电压上升率 dv/dt 为1000v/us,输入输出隔离电压为 7500V，输入控制电流为 15mA。在驱动执行电路中，当单片机的 P2.0、P2.1、P2.2 发出逻辑数字量为高电平时，经过三极管放大后驱动光耦合器的放光二极管，MOC3061 的输入端导通，有大约 15mA 的电流输入。当 MOC306 的输出端 6 脚和 4 脚尖电压稍稍过零时，光耦内部双向可控硅即可导通，提供一个触发信号给外部晶闸管使其导通；当P2.0、P2.1、P2.2 为低电平时，MOC3061 截止，双向可控硅始终处于截止状态。2 驱动电路有关元件的选择R25，C10 组成
13、吸收电路，并接在双向可控硅的两极之间。吸收回路组成缓冲器。有了吸收回路，可控硅通断过程中电源电压的变化率受到 R25，C10 的限制。R25 可以抑制双向可控硅通断时产生的浪涌电流。R25 和 C10 根据经验公式选，一般 C10 取 0.011.0uF，R25 取几欧到几十欧，本电路中 R25 取 39 欧，C10 取 0.01 uF。6R27 为限流电阻，用来限制 MOC3061 的输出驱动电流，其数值为电源电压峰值除以双向可控硅的允许重复电流。在本电路中 R27 取 300 欧。R26：由于 MOC3061 在输出关断状态下也有小于或等于 500mA 的输出电流，所以加入 R26 分流消
14、除这个电流对双向可控硅的影响，以防止双向可控硅误触发，提高了系统的可靠性。在此电路中可以看出单片机的输出通道采用了 MOC3061 进行驱动有以下优点：（1）控制简单。可用 SETB 或 CLR 指令直接控制 P2.0、P2.1、P2.2 以控制加热电阻的工作与否。（2）MOC3061 由于采用了过零触发电路大大简化了双向可控硅的触发电路，把 SCR 一向控制变为实用的数字脉冲控制。（3）MOC3061 与双向可控硅实际组成了一个固态继电器，实现了无触电控制。（4）输出通道实现了光电隔离，防止了射电干扰。（5）输出通道用 P2.0、P2.1、P2.2 口直接控制双向可控硅，省去了的 D/A转换
15、电路，简化了接口电路。3 双向可控硅电路(1)双向可控硅这种可控硅具有双向导通功能，在交流电的正负半周都可以导通。其英文名 TRIAC 即三级交流开关的意思，并把它的两极称为 MT1 和 MT2，其电路符合如图所示。双向可控硅的通断情况由控制极栅极（G）决定，当栅极无信号时 MT1 和MT2 成高阻态，管截止；而当 MT1 与 MT2 之间加一个阈值电压（一般大于1.5V）的电压时，就可以利用控制极栅极电压来使可控硅导通。但需要注意的是，当双向可控硅接感性负载时，电流和电压之间有一定的相位差。在电流为零时，反向电压可能不为零，且超过转换电压，使管子反向导通，故要管子能承受这种反向电压，并在回路
16、中加入 RC 网络加以吸收。(2)触发方式控制双向可控硅从高阻态（阻断区）转换到低阻态（导通区）可以用不同7的方式实现。相应的分为四种方式：（1）MT1 相对于 MT2 为正，控制脉冲电压 Ug 相对于 MT1 为正（2）MT1 相对于 MT2 为负，控制脉冲电压 Ug 相对于 MT1 为负（3）MT1 相对于 MT2 为正，控制脉冲电压 Ug 相对于 MT1 为负（4）MT1 相对于 MT2 为负，控制脉冲电压 Ug 相对于 MT1 为正双向可控硅通常工作在控制方式（1）和控制方式（2） 。在这两种控制方式下，控制灵敏度特别高。另外两种控制方式下，要求高一倍的触发电流。在本设计中，选择了控制方式（1）和（2） 。如同晶闸管的控制极那样，双向可控硅的控制极在触发后便失去了作用。双向可控硅长期维持低阻态，直到低于维持电流 I H，然后在转换到高阻态。在控制交流电压时，每次电源电压过零双向可控硅都会自动截止，所以双向可控硅每半个周期都需要重新触发。在本设计中，考虑到电网电压的稳定和现在市场上销售的双向可控硅型号，选择了工作电压
