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1、2006 年华南理工大学半导体物理试题 一、解释下列概念：（20 分） 1、霍尔效应： 2、共有化运动 3、杂质补偿 4、肖特基势垒 5、 非平衡载流子寿命 二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。 （10 分） 三、简述产生半导体激光的基本条件。 （10 分） 四、简述半导体光吸收的主要物理过程，并在能带示意图上定性表示之。 （10 分） 五、试述什么是简并、非简并半导体；给出非简并、弱简并及简并半导体的区分标准，并 说明其含义。 （15 分） 六、请解释迁移率概念，并说明对于半导体硅而言影响其迁移率的主要因素。 （15 分） 七、请定性画出 n-n 型异质结平衡时能带图，并给予简要解释。 （15
2、 分） 八、 用 n 型 Si 衬底制成 MOS 电容，解释该结构在积累、耗尽、弱反型、强反型下的电容 值变化规律，并画出高频、低频的 C-V 曲线。 （15 分） 九、 在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度 ND = 1015/cm3，受主杂质浓度 NA = p =n = 1350cm2/(V.S), .cm，假设电子和空穴的迁移率分别为i=2.210541014/cm3；设室温下 本征硅材料的电阻率 500cm2/(V.S)，不考虑杂质浓度对迁移率的影响，求掺杂样品的电导 率。 （20 分） 十、 施主浓度 ND = 1016/cm3 的 n 型单晶硅片，求室温下功函数是多少？若忽略表面态的 影响，当它同金属 Al、Au、Mo 接触时，分别形成何种接触？并定性画出该 n 型硅与金属 Al 接触前后的能带示意图。已知硅的电子亲和能 Xs =4.0eV，NC = 1019/cm3，设金属的功函 数分别为 Wal = 4.05 eV, WAu = 5.20eV, WMo = 4.21 eV。 （20 分）
