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1、金属前介质层（PMD） 金属间介质层（IMD） W 塞 （W PLUG） 钝化层（Passivation） acceptor 受主，如 B，掺入 Si 中需要接受电子 Acid：酸 actuator 激励 ADI After develop inspection 显影后检视 AEI After etching inspection 蚀科后检查 AFM atomic force microscopy 原子力显微 ALD atomic layer deposition 原子层淀积 Align mark(key)：对位标记 Alignment 排成一直线，对平 Alloy：合金 Aluminum：铝
2、 Ammonia：氨水 Ammonium fluoride：NHF Ammonium hydroxide：NHOH Amorphous silicon：-Si，非晶硅（不是多晶硅） amplifier 放大器 AMU 原子质量数 Analog：模拟的 analyzer magnet 磁分析器 Angstrom：A（E-m）埃 Anisotropic：各向异性（如 POLY ETCH） Antimony(Sb)锑 arc chamber 起弧室 ARC： anti-reflect coating 防反射层 Argon(Ar)氩 Arsenic trioxide(AsO)三氧化二砷 Arsenic
3、(As)砷 Arsine(AsH) ASHER 一种干法刻蚀方式 Asher：去胶机 ASI 光阻去除后检查 ASIC 特定用途集成电路Aspect ration：形貌比（ETCH 中的深度、宽度比） ATE 自动检测设备 Back end：后段（CONTACT 以后、PCM 测试前） Backside Etch 背面蚀刻 Backside 晶片背面 Baseline：标准流程 Beam-Current 电子束电流 Benchmark：基准 BGA ball grid array 高脚封装 Cassette 装晶片的晶舟 CD：critical dimension 关键性尺寸，临界尺寸Cham
4、ber 反应室 Chart 图表 Child lot 子批 chiller 制冷机 Chip (die) 晶粒 Chip：碎片或芯片。 clamp 夹子 CMP 化学机械研磨 Coater 光阻覆盖（机台） Coating 涂布，光阻覆盖 Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。 Contact Hole 接触窗 Control Wafer 控片 Correlation：相关性。 Cp：工艺能力，详见 process capability。 Critical layer 重要层 CVD 化学气相淀积 Cycle time 生产周期 Defect density：缺
5、陷密度。单位面积内的缺陷数。 Defect 缺陷 DEP deposit 淀积 Depth of focus（DOF）：焦深。 Descum 预处理 Developer 显影液；显影（机台） developer：）显影设备； ）显影液 Development 显影 DG dual gate 双门 DI filter 离子交换器 DI water 去离子水 Diffusion 扩散 disk 靶盘disk/flag faraday 束流测量器 Doping 掺杂 Dose 剂量 Downgrade 降级 DRC design rule check 设计规则检查 Dry Clean 干洗 Due
6、date 交期 Dummy wafer 挡片 E/R etch rate 蚀刻速率 EE 设备工程师 ELS extended life source 高寿命离子源 enclosure 外壳 Bipolar：双极 Boat：扩散用（石英）舟 BPSG 含有硼磷的硅玻璃 Break 中断，stepper 机台内中途停止键 cassette 晶片盒 End Point 蚀刻终点 e-shower 中性化电子子发生器 ET etch 蚀刻 Exhaust 排气（将管路中的空气排除） Exposure 曝光 extrantion electrode 高压吸极 FAB 工厂 fab：常指半导体生产的制造
7、工厂。 FIB focused ion beam 聚焦离子束Field Oxide 场氧化层 filament 灯丝 film：薄膜，圆片上的一层或 多层迭加的物质。 flat aligener 平边检测器 flat：平边 flatband capacitanse：平带电容 flatband voltage：平带电压 Flatness 平坦度 flow coefficicent：流动系数 flow velocity：流速计 flow volume：流量计 flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数 Focus 焦距 forbidden energy gap：禁带 Foundry 代工 four-
8、point probe：四点探针台 FSG 含有氟的硅玻璃 functional area：功能区 Furnace 炉管 gate oxide：栅氧 glass transition temperature： 玻璃态转换温度GOI gate oxide integrity 门氧化层完整性 gowning：净化服 gray area：灰区 gyro drive 两方向偏转 hard bake：后烘 ，坚烘,soft bake (软烘)HCI hot carrier injection 热载流子注入 HDP：high density plasma高密度等离子体 heat exchange 热交换机
9、High-Voltage 高压 ICP inductive couple plasma 感应等离子体 ID 辨认，鉴定 IGBT 绝缘门双极晶体管 images：去掉图形区域的版implant 注入 Implant 植入 impurity n 掺杂 impurity：杂质 inductive coupledplasma(ICP)：感应等离子体 inert gas：惰性气体 initial oxide：一氧 insulator：绝缘 isolated line：隔离线 junction 结 junction spiking n 铝穿刺 kerf 划片槽 landing pad n PAD Lay
10、er 层次 LDD lightly doped drain 轻掺杂漏 liner drive 直线往复运动 lithography n 制版 loadlock valve 靶盘腔装片阀 Local defocus 局部失焦因机 台或晶片造成之脏污 LOCOS local oxidation of silicon 局部氧化 Loop 巡路 Lot 批 LP(低压)淀积多晶硅（LPPOLY）mainframe 主机 maintainability, equipment设备产能 maintenance n 保养 majority carrier n 多数载流子 Mask (reticle) 光罩 m
11、asks, device series of n 一成套光刻版 material n 原料 matrix n 矩阵 mean n 平均值 measured leak rate n 测得漏率 median n 中间值 memory n 记忆体 Merge 合并 metal n 金属 Metal Via 金属接触窗 MFG 制造部 Mid-Current 中电流Module 部门 nanometer (nm) n ：纳米 nanosecond (ns) n ：纳秒 NIT SiN 氮化硅 nitride etch n ：氮化物刻蚀 nitrogen (N ) n： 氮气，一种双原 子气体 Non-
12、critical 非重要 NP n-doped plus(N+) N 型重掺杂 n-type adj ：n 型 NW n-doped well N 阱 OD oxide definition 定义氧化层 ohms per square n：欧姆每平方 方 块电阻 OM optic microscope 光学显微镜 OOC 超出控制界线 OOS 超出规格界线 orientation n： 晶向，一组晶列所 指的方向 Over Etch 过蚀刻 Over flow 溢出 overlap n ： 交迭区 Overlay 测量前层与本层之间曝光 的准确度 OX SiO 二氧化硅 P poly 多晶硅
13、PA; passivation 钝化层 Parent lot 母批 Particle 含尘量/微尘粒子 PH photo 黄光或微影 phosphorus (P) n ：磷 ，一种有毒 的非金属元素 photomask n ：光刻版，用于光刻 的版 photomask, negative n：反刻 photomask, positive n：正刻 Pilot 实验的PVD 物理气相淀积 PW p-doped well P 阱 quad rupole lens 磁聚焦透镜quartz carrier n 石英舟。 Queue time 等待时间 内层介电层（ILD） 、 内金属介电层（IMD）h
14、ost：主机 Hot bake 烘烤 hot carriers：热载流子 hydrophilic：亲水性 hydrophobic：疏水性 pn junction n：pn 结 Pod 装晶舟与晶片的盒子 Polymer 聚合物 POR Process of record post accel 后加速器 Plasma 电浆 PMD premetal dielectric 电容 PP p-doped plus(P+) P 型重掺杂 PR Photo resisit 光阻 PR photo resist 光阻 pure water n 纯水。 半导体生产中所用之水。 PVD 物理气相淀积 PW p-
15、doped well P 阱 quad rupole lens 磁聚焦透镜 quartz carrier n 石英舟。 Queue time 等待时间 QTIME-DUMMY：从此步骤到 下一个步骤一共停留的时间范 围（超出范围会出问题） 显影前烘焙 (PEB)：降低或消除降低或消除 驻波效应驻波效应R/C runcard 运作卡 SOG 是一种相当简易的平坦化技 术。因为介电层材料是以溶剂的 形态覆盖在硅片表面，因此 SOG 对高低起伏外观的“沟 填能力”非常好，可以避免纯粹 以 CVD 法制作介质层时所面 临的孔洞问题 Spacer ：SPACER 工艺是通 过 LPTEPS ETCH B
16、ACK ， 在 PLOY 侧壁形成两个侧壁 突出的工艺，用于源漏区注 入的自对准和减少由于源 漏横向扩散形成的沟道效应。LPTEOS 主要用于 SPACER 及电容氧化层。TEOS = Si（O C2H5）4名称：正硅酸乙脂，又称BIST,Built-in Self Test 内建的自测试 Bus Route 总线布线 Carbide 碳 circuit diagram 电路图 Circuit 电路基准 Clementine 专用共形开线设计 Cluster Placement 簇布局 CM 合约制造商 COF Chip On FPC 将 IC 固定于柔性线路板上 COG Chip On Glass 将芯偏固定于玻璃上 Common Impedance 共模阻抗 component video - 分量视频 Composite video - 复合视频 Concurrent 并行设计 Constant Source 恒压源 Cooper Pour 智能覆铜 Crosstalk 串扰 CRT Cathode Ra
