电子技术基础及实验习题1

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1、图图 1 图图 2 图图 3 半导体二极管习题半导体二极管习题一、选择判断题1、二极管加正向电压时，其正向是由（ ） 。A：多数载流子扩散形成 B：多数载流子漂移形成 C：少数载流子漂移形成2、PN 结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压， （ ） 。A：其反向电流增大 B：其反向电流减小 C：其 反向电流基本不变 3、二极管反偏时，以下说法正确的是（ ） A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电 流；B、在达到死区电压之前，反向电流很小； C、二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无 关。 4、图图 1 所示电路，二极管导通时压降为 0.7V，反偏时电阻为 ，则以下说

2、法正确的是（） 。 A、VD 导通，UAO=5.3V； B、VD 导通，UAO=5.3V；C、VD 导通，UAO=6V； D、VD 导通，UAO=6V；E、VD 截止，UAO=9V。5、稳压二极管是利用 PN 结的（ ） 。A：单向导电性 B：反向击穿性 C：电容特性6、变容二极管在电路中使用时，其 PN 结是（ ） 。A：正向运用 B：反向运用 二、如图2所示的电路图中，E=5V，ui=10sintV，二极管的正向 压降可忽略不计，试画出输出电压 uo的波形。三、如图 3 所示的电路图中，E=5V，ui=10sintV，二极管的正向 压降可忽略不计，试画出输出电压 uo的波形。四、如图所示的

3、电路中，已知 ui=30sintV，二极管的正向压降可 忽略不计，试画出输出电压的波形。五、如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端 Y 的电位 VY及 各元件（R，DA，DB）中通过的电流； （1）VA=VB=0V；（2）VA=+3V，VB=0V； 六、如图所示电路中，试求下列几种情况下输出端电位 VY及各元件 中通过的电流：（1） VA=+10V，VB=0V；（2） VA=+6V，VB=+5.8V； 七、某二极管的伏安特性如图 (a)所示： 如在二极管两端通过 1k 的电阻加上 1.5V 的电压，见图(b)， 此时二极管的电流 I 和电压 U 各为多少？ 如将图 (b)中的 1.5V 电

4、压改为 3V，则二极管的电流和电压 各为多少？提示：可用图解法。八、假设用万用表的 R10 挡测得某二极管的正向电阻为 200，若改用 R100 挡量测同一个二极管，则测得的结果将比 200 大还是小，还是正好相等？为什么？ 提示：使用万用表的欧姆挡时，表内电路为 1.5V 电池与一个电 阻串联。但不同量程时这个串联电阻的值不同，R10 挡时的串联 电阻值较 R100 挡时为小。九、已知在图中，u1=10sint(V)，RL1k，试对应地画出 二极管的电流 iD、电压 u0 的波形，并在波形图上标出幅值，设二极 管的正向压降和反向电流可以忽略。十、 在图中，已知电源电压 V=10V，R=200

5、，RL=1 k,稳压 管的 U2=6V，试求： 稳压管中的电流 IZ=? 当电流电压 V 升高到 12V，IZ将变为多少？ 当 V 仍为 10V，但 RL改为 2 k 时，IZ将变为多少？十一、十一、 如图所示电路中， E=20V，R1=900，R2=1100。 稳压管 D2的稳定电压 UZ=10V， 最大稳定电流 IZM=8mA。试求稳压管中通过的电流 IZ；问 IZ是否超 过 IZM？如果超过，怎么办？ 半导体三极管习题半导体三极管习题一、选择填空1当晶体管工作在放大区时， （ ） 。A.发射结和集电结均反偏； B.发射结正偏，集电结反偏；C.发射结和集电结均正偏；2当超过下列哪个参数时，

6、三极管一定被击穿（ ）A集电极最大允许功耗 B集电极最大允许电流 C集基极反向击穿电压（）3有一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若它的工作电压 UCE=10V，则工作电流 IC 不得超过（ ）mA；若工作电压 UCE=1V，则工作电流 IC 不得超过（ ）mA；若工作电流 IC=1mA，则工作电压 UCE 不得超过（ ）V。A.15； B.100； C.30； D.1504用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么此三极管是（ ）型三极管，U1=2.8V 的那个极是（ ） ，

7、U2=2.1V 的那个极是（ ） ，U3=7V 的那个极是（ ） 。A. NPN B. PNP C. 发射极 D . 基极 E. 集电极5、测得三极管三电流方向、大小如图所示，则可判断三个电极为（ ） 。A、基极 b、发射极 e、集电极 c； B、基极b、集电极 c、发射极 e；C、集电极 c、基极 b、发射极 e； D、发射极e、基极 b、集电极 c。6.上题中管子为（ ） 。A、NPN 管； B、PNP 管； C、根据已知条件无法判断。二、三极管各电极实测数据如图 P1.6 所示。回答以下问题：（1）各个管子是 PNP 型还是 NPN 型？（2）是锗管还是硅管？（3）管子是否损坏（指出哪个

8、结已开路或短路）？若不损坏处于放大、截止、饱和哪一种工作状态？三、已知两只晶体管的电流放大系数 分别为 50 和 100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。四、一个三极管的输出特性曲线见图，试在图上求出UCE=5V，IC6mA 处的电流放大系数 、 、 和 ，并时行比较。五、 电路如图所示，试问 大于多少时晶体管饱和？六、分别判断图 P1.19 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。差分放大电路与集成运算放大电路习题差分放大电路与集成运算放大电路习题一、选择题 1.差分放大电路产生零点漂移的主要原因是：_。 A.

9、电压增益太大 B. 环境温度变化 C. 采用直接 耦合方式 D. 采用阻容耦合方式 2.差分放大电路中，当 vi1=300mV，vi2=200mV 时，分解为共模输入 信号为_。 A. 500mV B. 100mV C. 250mV D. 50mV 3.差分放大电路中，当 vi1=300mV，vi2=280mV，AVD=100，AVC=1 时， 输出电压为_。 A. 580mV B. 1.71V C. 2V D. 2.29V 4.共摸抑制比 KCMR 越大，表明电路_。 A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 抑制零票 能力越强 D. 输入信号中的差模成分越大 5.差分放大电路由双

10、端输入变为单端输入，则差模电压增益 _。 A. 增加一倍 B. 为双端输入时的 1/2 C. 不变 D. 不确 6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 A可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小 C集成工艺难于制 造大容量电容 7.通用型集成运放适用于放大。A高频信号 B. 低频信号 C. 任何频率信号 8.集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。 A. 指标参数准确 B. 参数不受温度影响 C参数一致 性好 9.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。 A减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 10.为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。A共射放大电路 B. 共集放大

11、电路 C共基放大电 路 三、电路如图所示，已知 1=2=3=100。各管 的UBE 均为 0.7V，试求 IC2 的值。四、通用型集成运放一般由几部分电路组成，每一部分常采用哪种 基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么？五、 已知一个集成运放的开环差模增益 Aod 为 100dB，最大输出 电压峰-峰值 Uopp14V，分别计算差模输入电压 uI（即 uPuN）为 10V、100V、1mV、1V 和 10V、100V、1mV、1V 时的输出电压 uO。六、已知几个集成运放的参数如表所示，试分别说明它们各属于哪 种类型的运放。特性指 标AodridUIOIIO IIB3dB fHKCMRS

12、R单位增益带 宽 单位dBMmvnAnAHzdBV/VMHz A110025200 6007860.5A213020.0124071200.5A3100 100050.02 0.03860.55 A41002220150966512.5七、多路电流源电路如图所示，已知所有晶体 管的特性均相同，UBE均为 0.7V。试求 IC1、IC2 各为多少。八、 电路如图所示，具有理想的对称性。回答题七所提的问题。九、 图所示简化的高精度运放电路原理图，试分析：（1）两个输入 端中哪个是同相输入 端，哪个是反相输入 端；（2）T3 与 T4 的作用；（3）电流源 I3 的作用；（4）D2 与 D3 的作用

13、。十、 通用型运放 F747 的内部电路如图所示，试分析：（1）偏置电路由哪些元件组成？基准电流约为多少？（2）哪些是放大管，组成几级放大电路，每级各是什么基本电 路？（3）T19、T20 和 R8 组成的电路的作用是什么？场效应管及其放大电路习题场效应管及其放大电路习题一、选择题 1.场效应管是利用外加电压产生的_来控制漏极电流的大小 的。 A. 电流 B. 电场 C. 电压 2.场效应管是_器件。 A. 电压控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流 3.结型场效应管利用删源极间所加的_来改变导电沟道的电 阻。 A. 反偏电压 B. 反向电流 C. 正偏电压 D.

14、 正向电流 4P 沟道耗尽型 MOS 管的夹断电压 VP为_。 A. 正值 B. 负值 C. 零 5场效应管漏极电流由_的漂移运动形成。 A. 少子 B. 电子 C. 多子 D. 两种载流子 6.P 沟道结型场效应管的夹断电压 Vp为_。 A. 正值 B. 负值 C.vGS D. 零 7N 沟道结型场效应管的夹断电压 VP为_。 二、未画完的场效应管放大电路如图所示，试 将合适的场效 应管接入电路，使之能够正常 放大。要求给出两 种方案。三, 改正图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。 要求保留电路的共漏接法.四、 已知图 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分 别如图（ b）(c)所示。（1）利用图解法求解Q 点；（2）利用等效电路法求解、Ri和 Ro 。五、已知图（ a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q 点和。六、电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出、Ri和 Ro的表达式。七、图中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型 （如 NPN 型、 PNP 型、 N 沟道结型 ）及管脚 （b、e、c、d、g、s） 。低频功率放大电路低频功率放大电路一、选择题 1.所谓电路的最大不失真输出功