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1、Comment z1: 小二号宋体、加黑 间 空两格Comment z2: 小四 加粗I（正文之前的页码实用希腊字母）摘摘 要要随着便携式电子设备的不断普及，人们对于高密度、高速度、低功耗以及低成本的非挥发存储器的需求也在与日俱增。目前，Flash 仍是非挥发存储技术的主流，占据了非挥发存储器市场约 90%的份额，但随着半导体工艺技术代的不断推进，Flash 遇到了越来越多的瓶颈问题，比如浮栅厚度不能随着器件尺寸的缩小而无限制地减薄。 关键词关键词：非挥发存储器; 阻变存储器; 灵敏放大器; Comment z3: Times New Roman 小 二 加粗Comment z4: Times
2、 New Roman 小 四 加粗II（正文之前的页码实用希腊字母）AbstractWith the growing popularity of portable electronic devices, peoples requirement for high-density, high-speed, low-power and low-cost nonvolatile memory is also increasing. Keywords: Nonvolatile Memory; Resistive Random Access MemoryComment z5: 小二号宋体、加黑、 居中Co
3、mment z6: 目录中一级标题 四号 黑体 加粗目录中 二级标题 小四 宋体III（正文之前的页码实用希腊字母）目目 录录摘摘 要要.IAbstract .II目目 录录.III第第 1 章章 绪绪 论论 .11.1 研究意义.1 1.2 新兴非挥发存储器.1第第 6 章章 总结和展望总结和展望 .36.1 总结.3 6.2 展望.3参考文献参考文献 .4附录附录 1 1 英文原文英文原文附录附录 2 2 中文译文中文译文附录附录 3 3 电路原理图电路原理图附录附录 4 4 关键程序关键程序正文之前的页码用希腊字母，从绪论开始使用数字表示页码Comment z7: 中文小三黑体 +数字
4、小二Comment z8: 中文四号黑体 加粗 + 数字四号 Time New Roman 加粗Comment z9: 中文小四黑体 +数字 小四 Time New Roman 加粗Comment z10: 参考文献必须在正文 中应该引用的地方出现，并使用商标， 字体为小四 宋体Comment z11: 引用图的时候，不能 出现如上图所示字样，应该改为如图 X.X 所示。山东科技大学本科毕业设计（论文）1第第 1 章章 绪绪 论论1.1 研究意义研究意义二十一世纪的社会是信息化的社会，而信息化社会的重要标志就是电子化，虚拟化的生活逐渐在社会中其主导作用，以0和1为表征。1.2 新兴非挥发存储器
5、新兴非挥发存储器随着制作工艺的限制，传统 flash 的研究遇到很大的瓶颈，下面介绍四种新兴非挥发存储器。1.2.1 磁阻式随机存取存储器磁阻式随机存取存储器MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式随机存取存储器）的设计十分具有吸引力，作为一种非易失性存储器，它拥有低压操作的潜能，耐循环擦写能力强，同 DRAM 比较同样能进行高速操作，集成度高。MRAM 使用一个磁性隧道结存储器单元结构，放大隧道式磁阻（Tunneling Magneto Resistance，TMR）效应1。这个结构利用根据磁通量方向增加电阻的原理在写操作过程中，通过磁通量
6、的存在和缺省对电阻级别进行控制，然后，在读操作过程中，电流以磁通量阻值为依据，存储为 0 或 1，如图 1.1 所示。Comment z12: 图的标题在图的下面， 5 号字体 中文宋体+英文 数字 Time New RomanComment z13: 表的标题在表的上面， 5 号字体 中文宋体+英文 数字 Time New Roman山东科技大学本科毕业设计（论文）2图 1.1 隧穿结的基本结构和原理表 1.1 对各种上文介绍的不挥发存储器的比较，可以得出如下结论：RRAM 的存储材料相比其他不挥发存储器具有更好的 CMOS 工艺兼容性，因此，比较容易实现高密度、低成本生产制造。它同时具有低
7、功耗的优点，另外在疲劳特性、速度、按比例缩小等方面都具有相当的潜力。表 1.1 各种不同不挥发存储器性能比较存储器类型FlashFeRAMMRAM挥发性非挥发非挥发非挥发单元尺寸()25-102020写/擦/读时间(ns)1us/1-100m80/80/8030/30/30多值存储能力有无无功耗低中等中等与 CMOS 兼容性不兼容一般一般寿命10e510e10不限Comment z14: 表中的字体使用五号山东科技大学本科毕业设计（论文）3相对成本中等高高山东科技大学本科毕业设计（论文）1注意事项注意事项1正文之前的页码使用 I, II, III 等希腊字母，从第一章开始使用数字作为页码2正文
8、中的括号使用（） ，不能使用()3子标题的级别：1. 当前级别（） 下一级别 更低一级4参考文献前面使用1, 2, 3 等作为序号5表的标题是五号字体，放在表的上面，标题与正文的行距比正文的行距多 0.5 行，例如，正文的行距为 1.5 倍行距，则标题与正文的行距为 2 倍行距。6图的标题是五号字体，放在图的下面，标题与正文的行距比正文的行距多 0.5 行，例如，正文的行距为 1.5 倍行距，则标题与正文的行距为 2 倍行距。7图和表的标题，每章单独排序，如第二章的第三张表为 表 2.3 数据比较如第三章的第四张图为 图 3.4 硬件架构8论文中的式子 居中，式号在最右边，式子使用 matht
9、ype 插入，如：svt（4.1）山东科技大学本科毕业设计（论文）2引用的时候，如下规范：是速度可采用式（4.1）进行计算。9 编辑 word 文档的时候要打开“显示/隐藏文档标记” ，如图 3.1 所示。图 3.1 打开文档标记10整片文档中，英文数字使用 Time New Roman11整篇文档中药注意中文逗号（， ， ， ， ， ， ， ）和英文逗号“,”的区别。12论文中不能出现“我” 、 “我们” 、 “本人”等人称代词，应使用“本文”13 对于英文缩写的解释整个论文中只能出现一次，以后不需要重复解释。对英文缩写的解释既要有英文全称，也要有中文名称，如：MRAM（Magnetores
10、istive Random Access Memory，磁阻式随机存取存储器）14参考文献的格式学校规定篇数不能少于 8 篇，英文不少于 2 篇。期刊要有年份，期、卷和页码，标记为J. 书刊的标志为M，具体可参照学校的标准。期刊后面的页码是指文章在所在当前期刊的页码，不是指在毕业论文中的页码山东科技大学本科毕业设计（论文）3山东科技大学本科毕业设计（论文）1第第 6 章章 总结和展望总结和展望6.1 总结总结自己做的东东。6.2 展望展望存在的不足和下一步要做的东西。山东科技大学本科毕业设计（论文）2参考文献参考文献1 Yang J. J., Pickett M. D., Li X. M.,
11、et al. Memristive switching mechanism for metal oxide metal nano devices J. Nature Nano technology, 2008, 160(3) : 429-433.2 Wei Z., Kanzawa Y., Arita K, et al. Highly reliable TaOx ReRAM and direct evidence of redox reaction mechanismC. IEDM Tech Dig, 2008: 293-296.3 李萌, 陈刚, 林殷茵,一种基于阻变单元特性的阻变存储器修复方案J,半导体检测与测试技术, 2012, 2(4): 1003-3536.4 万海军. 电阻存储器RR脚的可靠性研究D, 上海：复旦大学，2010.
