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1、晶体管最大耗散功率最大耗散功率（ Maximum dissipation power）： （1）对于双极型晶体管： BJT 的总耗散功率为 Pc=Ie Vbe + Ic Vcb + Ic rcs Ic Vcb），并 且 Pc 关系到输出的最大交流功率 Po：Po = (供给晶体管的直流功率 Pd) (晶体管耗散的功率 Pc) = /(1)Pc Pc，即输出交流功率与 晶体管的耗散功率成正比（ = Po / Pd 是转换效率）。晶体管功率的耗散 (消耗)即发热，如果此热量不能及时散发掉 , 则将使集电结的结温 Tj 升高, 这就限制了输出功率的提高； 最最高高结结温温 Tjm（一般定为 175
2、oC）时所对应 的耗散功率即为 最最大大耗耗散散功功率率 Pcm 。为了提高 Po，就要求提高 Pc, 但 Pc 的提高又受到结温的限制，为使结温不超过Tjm，就需要减小晶体管的 热阻 Rt；最大耗散功率 Pcm 1/ Rt 。最高结温 Tjm 时所对应的最大耗散功率 为(PcmsPcm )：稳态时， Pcm = (TjmTa) / Rt ；瞬态时，Pcms = (TjmTa) / Rts 。 提高 PCM 的措施，主要是降低热阻 RT 和降低环境温度 Ta ；同时，晶 体管在脉冲和高频工作时 , PC 增大, 安全工作区扩大，则最大耗散功率增 大，输出功率也相应提高。 （2）对于 MOSFET： 其最大输出功率也要受到器件散热能力的限制： Pcm = (TjmTa) / Rt，MOSFET 的最高结温 Tjm 仍然定为 175 oC, 发热中心是在漏结附近的沟 道表面处, 则 Rt 主要是芯片的热阻 (热阻需要采用计算传输线特征阻抗的 方法来求出)。
