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1、一、填空题一、填空题(本大题共本大题共 10 小题，每空小题，每空 1 分，共分，共 10 分分)请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。1.变容二极管是利用 PN 结的势垒电容而制成的，应工作在 反偏 状态。2.晶体三极管的三个电极对地电位分别为 VA=-2V，VB=-2.2V，VC=-6V，则该管的管型是_PNP 型锗管_。3.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是_AF=-1_。4.MOS 管作为开关应用时，其工作状态应在非饱和区和_截止区_之间转换。5.晶体管的高频参数 fT是指 ()下降到_0_dB 时所对应的频率。6.集成运算
2、放大器最大输出电压为Vom，若该运放工作在开环或正反馈状态，其输出电压是_正负 Vom_。7.在放大电路中，要稳定输出电压，应引入_电压_负反馈。8.在差分放大器中，已知 Vi1=15mv，Vi2=10mv，则输入差模电压 Vid=_5mv=Vi1-Vi2_。9.理想集成运放的共模抑制比为_正无穷大，因此具有很强的抑制共模信号的能力。10.场效应管工作在饱和区时，其漏极电流 iD和栅源电压 VGS之间呈_平方_关系。二、单项选择题二、单项选择题(本大题共本大题共 15 小题，每小题小题，每小题 2 分，共分，共 30 分分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题
3、后的在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。括号内。错选、多选或未选均无分。1.二极管的伏安方程是( A )A.iD=Is(-1)B.iD=IsC.iD=-IsD.iD=Is2.晶体三极管工作在饱和状态时，其两个 PN 结的偏置状态是( A )A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏3.场效应管共漏极放大电路的信号是从( C )A.栅极输入，漏极输出B.源极输入，漏极输出C.栅极输入，源极输出D.漏极输入，源极输出4.设计一运算电路实现三角波方波的变换，应选用_实现
4、。( D )A.同相比例电路B.反相比例电路C.积分电路D.微分电路5.当集成运放工作在线性放大状态时，可运用_两个重要的概念。( B )A.开环和闭环B.虚短和虚断C.虚短和虚地D.线性和非线性6.要增大放大器的输出电阻及减小输入电阻，可采用_放大电路。( A )A.电流并联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电压串联负反馈7.由运算放大器构成的电压比较器，抗干扰能力最强的是( C )A.单限电压比较器B.过零电压比较器C.迟滞电压比较器D.窗口电压比较器8.负反馈放大电路的开环增益是 A，反馈系数为 kf，则闭环增益 Af的表达式是( A )A.B.C.AkfD.1+Akf9.设
5、计一负反馈放大器，实现电压电流的变换，应引入( C )A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈10.放大电路在信号的高频段时，放大倍数下降的原因是( B )A.耦合电容和旁路电路的存在B.晶体管极间电容和分布电容的存在C.晶体管非线性的影响D.放大电路的静态工作点设置不合理11.放大器产生零点漂移的主要原因是( B )A.电压增益太大B.环境温度变化C.采用直接耦合方式D.采用阻容耦合方式12.由 NPN 管组成的单级共发射电路，当集电极电阻 Rc增大时，工作点 Q 的 ICQ和 VCEQ的变化是( C )A.ICQ增大、VCEQ增大B.ICQ增大、VCEQ减小
6、C.ICQ不变、VCEQ减小D.ICQ不变、VCEQ不变13.随着温度的升高，晶体三极管的_将减小。( B )A.B.VBE(on)C.ICBOD.ICEO14.集成运算放大电路的输入级通常采用_电路。( C )A.共集电极放大B.共发射极放大C.差分放大D.共基极放大15.设计一单级晶体管放大器，要求输入电阻大，输出电阻小，应选择_电路。( D )A.共发射极放大B.共基极放大C.共源极放大D.共集电极放大2010 年年一、填空题一、填空题(本大题共本大题共 10 小题，每小题小题，每小题 1 分，共分，共 10 分分)请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。请在每小题的空格中填上
7、正确答案。错填、不填均无分。1.在 N 型半导体中，掺入_+5_价杂质元素。2.半导体中有_自由电子_和空穴两种载流子。3.晶体三极管工作在放大状态时，其发射结应正偏，集电结应_反偏_。4.PNP 型晶体三极管处于放大状态时，三个电极中_发射_极电位最高。5.N 沟道 MOS 管，VGS越向正值方向增大，ID越_大_。6.MOS 场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和_耗尽型_两种类型。7.与共发、共集组态相比较，共基组态的输入电阻较_小_。8.晶体管放大电路的非线性失真分为饱和和_截止_两种。9.希望增大放大电路的输入电阻并稳定输出电流，应引入_电流串联_负反馈。10.某一放大电路，其
8、信号源内阻很大，应引入_并联_负反馈电路，才能使反馈更加有效。二、单项选择题二、单项选择题(本大题共本大题共 15 小题，每小题小题，每小题 2 分，共分，共 30 分分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。括号内。错选、多选或未选均无分。1.当 PN 结外加正向电压时，阻挡层的宽度将( B )A.增大B.减小C.不变D.近似不变2.当 PN 结反向工作时，其结电容主要是( A )A.势垒电容B.扩散电容C.平面电容D.势垒和扩散电容并存3.晶体三极管
9、工作在饱和区时，要求( B )A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结正偏4.三极管的 ICEO大，说明其( D )A.工作电流大B.击穿电压高C.寿命长D.热稳定性差5.结型场效应管的基本工作原理是( B )A.改变导电沟道中的载流子浓度B.改变导电沟道中的横截面积C.改变导电沟道中的有效长度D.改变导电沟道中的体积6.衡量场效应管控制能力的主要参数是( C )A.电流放大倍数B.电压放大倍数C.跨导D.转移电阻7.有两个放大电路和，其|Av|都为 100，它们分别与具有相同内阻的电压源连接后，测得 V01=4.85V,V02=4.
10、95V，由此得知电路比好，因为它的( B )A.放大倍数大B.输入电阻高C.输出电阻小D.频带宽8.在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的( D )A.和值B.差值C.迭加D.平均值9.已知某一放大器的 A=100，现要求引入负反馈后，增益 Af=10，问反馈系数 kf应为多少?( C )A.0.01B.0.05C.0.09D.0.1010.反馈量是指( B )A.反馈网络从放大电路输出回路中取出的信号B.反馈到输入回路的信号C.前面两信号之比D.前面两信号之差11.稳压二极管正常工作时，它处在_状态。( B )A.截止B.击穿C.导通D.不定12.已知三极管的 ICQ=1mA，则在
11、常温下跨导 gm为( B )A.19.2msB.38.5msC.77msD.154ms13.已知场效应管的 =0.01，IDQ=1mA，则 rds为( C )A.10kB.50kC.100kD.200k14.下列哪个答案不是共集电极电路的特点？( D )A.输入电阻很高B.电压增益约为 1C.输出电阻很低D.输入输出电压反相15.某放大电路的增益为 105，则折算成 dB 数为( C )A.60dBB.80dBC.100dBD.120dB2010 年七月年七月一、填空题（本大题共一、填空题（本大题共 10 小题，每小题小题，每小题 1 分，共分，共 10 分）分）请在每小题的空格中填上正确答案
12、。错填、不填均无分。请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。1.温度升高，对二极管的各种参数将发生影响，其中反向饱和电流将_变大_。2.半导体有两种导电方式：在外加电场作用下将形成_漂移_电流。3.晶体三极管 ICEO的中文含义是_ 基极开路时集射极之间穿过的电流_。4.晶体三极管工作在放大区时具有_电流放大_作用。5.MOS 管作开关应用时，其工作状态应在截止区和_非饱和区_之间转换。6.场效应管的非饱和区又称变阻区，它是沟道未被_夹断_的工作区。7.三种基本组态晶体管放大电路中，_共基_组态输入电阻最低。8.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察 v0和 vi的波形
13、，当放大电路为共射电路时，则 v0和 vi的相位_相反_。9.某一放大电路，要使输出电压稳定，应引入_电压_负反馈电路。10.已知放大电路输入信号电压为 1mV，输出电压为 1V，加入负反馈后，为达到同样输出时需要的输入信号为 10mV，该电路的反馈系数 F 为_0.009_。二、单项选择题（本大题共二、单项选择题（本大题共 15 小题，每小题小题，每小题 2 分，共分，共 30 分）分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。括号内。错选、多选或未选均无
14、分。1.PN 结击穿后，它的反向电流将（ D ）A.急剧减小B.减小C.几乎不变D.急剧增大2.PN 结反向工作时，流过的电流主要是（ B ）A.扩散电流B.漂移电流C.传导电流D.扩散和漂移电流并存3.工作在放大状态的某 NPN 晶体三极管，各电极电位关系为（ B ）A.VCVBVEC.VCVEVB4.以下晶体管的参数中，不属于管子的极限参数的是（ D ）A.VBR（CEO）B.ICMC.PCMD.5.场效应管工作在饱和区时具有_的转移特性。 （ C ）A.线性B.指数律C.平方律D.对数律6.场效应管是一种（ A ）A.电压控制器件B.电流控制器件C.双极型器件D.少子工作的器件7.某放大
15、电路在负载开路时的输出电压为 4V，接入 12k 的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ）A.10kB.2kC.4kD.3k8.设单级共射放大电路 Avsm=100dB，fH=105Hz，当输入信号频率 f=106Hz 时，该电路的电压放大倍数约为（ C ）A.100dBB.90dBC.80dBD.70dB9.反馈放大电路的含义是（ B ）A.输出与输入之间有信号通路B.电路中存在反向传输的信号通路C.除放大电路以外还有信号通路D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路10.负反馈放大电路产生自激的条件是（ B ）A.（jo）=1B.（jo）=-1T&T&C.（jo）1T&T&11.在纯净的半导体中加入少量的+5 价元素，形成（ B ）A.本征半导体B.N 型半导体C.P 型半导体D.杂质半导体12.温度减少时，晶体三极管的_将增加。 （ A ）A.VBE（on）B.C.ICBOD.ICEO13.P 沟道增强型 MOS 管工作在饱和区的条件是（ B ）A.VGSVGS（th）,VDSVGS-VGS（th）B.VGSVGS（th）,VDSVGS-VGS（th）D.VGSfD.if10希望放大器具有高的输入电阻和稳定的输
