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1、外延外延术语术语1、外延生长、外延生长（Epitaxy）2、量子阱、量子阱（Quantum Well）3、能带工程、能带工程（Energyband engineering）4、半导体发光二极管、半导体发光二极管（Light Emitting Diode）5、PN 结的击穿结的击穿（PN junction Striking）6、金属有机化学汽相沉、金属有机化学汽相沉淀淀积（积（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）7、异质结构、异质结构（Heterogeneous Structure）8、量子阱半导体激光器、量子阱半导体激光器（Quantum Well
2、Laser）9、超晶格、超晶格（Super Lattice）EpitaxyEpitaxy：外延制程外延制程（垒晶）（垒晶） GaPGaP：磷化镓：磷化镓 n-GaNn-GaN：N N 型氮化镓型氮化镓 p-GaNp-GaN：P P 型氮化镓型氮化镓 GaAsGaAs：砷化镓：砷化镓 GaNGaN：氮化镓：氮化镓 AlInGaPAlInGaP：磷化铝镓铟：磷化铝镓铟（铝铟镓磷）（铝铟镓磷） AlGaAsAlGaAs：砷化铝镓：砷化铝镓（铝镓砷）（铝镓砷） InGaNInGaN 铟镓氮铟镓氮 AlGaNAlGaN 铝镓氮铝镓氮 WaferWafer：晶片、：晶片、外延片外延片分析仪器分析仪器1 1
3、、XRDXRD：X X 射线射线衍射衍射仪，主仪，主 peakpeak GaNGaN 分析仪器分析仪器 2 2、PLPL：荧光光谱仪：荧光光谱仪（或光致发光光谱仪）（或光致发光光谱仪） ，PeakPeak 强度越强，强度越强，FWHMFWHM 越窄，表示有越窄，表示有 较佳的较佳的 QWQW。 3 3、HallHall：霍尔测试仪，：霍尔测试仪，利用霍尔效应测量载流子（对利用霍尔效应测量载流子（对 n-GaNn-GaN 载流子为电子，对载流子为电子，对 p-GaN,p-GaN,载流子为空穴）迁移率载流子为空穴）迁移率（mobilitymobility）以及）以及 SheetSheet Resi
4、stanceResistance，分析时同，分析时同 结构若有相同的结构若有相同的掺杂掺杂（DopingDoping） ，若是量测的，若是量测的迁移率迁移率 mobilitymobility 较小，可以推测较小，可以推测 此结构有较多的此结构有较多的缺陷缺陷（DefectsDefects） 。 4 4、SEMSEM（ScanningScanning ElectronElectron MicroscopyMicroscopy）：扫描）：扫描式式电电子显微子显微镜，测量刻蚀深镜，测量刻蚀深 度、及刻蚀截面状况。度、及刻蚀截面状况。5 5、MicroscopeMicroscope：显微镜：显微镜 6
5、 6、DifferentialDifferential MicroscopyMicroscopy（Nikon-OPTINikon-OPTI PHOTPHOT）：）：晶晶相相（金相）（金相）显微镜，用显微镜，用 以观测磊芯片表面的型态（以观测磊芯片表面的型态（morphologymorphology） 。 7 7、EDSEDS：能量：能量分分色色散光谱仪，散光谱仪，EDSEDS 之仪器构造主要是由一个硅之仪器构造主要是由一个硅( (锂锂) )固态侦测器固态侦测器 为核心，它是由硅单晶参杂锂原子而成的。为核心，它是由硅单晶参杂锂原子而成的。 8 8、MOCVDMOCVD (Metal(Metal
6、OrganicOrganic ChemicalChemical VaporVapor Deposition)Deposition)：金属有机化学汽相：金属有机化学汽相 沉沉淀淀积积 9 9、TEMTEM：透射电子显微镜，测量截面的微细构造，可测量量子：透射电子显微镜，测量截面的微细构造，可测量量子井井阱阱、缓冲层以、缓冲层以 及超晶格的微细构造厚度及及超晶格的微细构造厚度及接口接口（界面）（界面）状况。状况。 1010、SIMSSIMS：二次离子质谱仪，测量每层的掺杂状况，可测量：二次离子质谱仪，测量每层的掺杂状况，可测量 P-GaNP-GaN 以及以及 N-GaNN-GaN 的掺杂状况，以及
7、掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。的掺杂状况，以及掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。芯片芯片（ChipChip）1 1、LEDLED（LightLight EmittingEmitting DiodeDiode）：发光二极管）：发光二极管 2 2、reversereverse mountingmounting typetype 薄芯片薄芯片 LEDLED：反向粘着型薄芯片：反向粘着型薄芯片 LEDLED（倒装芯片）（倒装芯片） 3 3、GaNGaN LEDLED：氮化镓发光二极管：氮化镓发光二极管 4 4、UVUV LEDLED：紫外线二极管：紫外线二极管（紫外发光二极管）（紫外发光二极管）
8、5 5、ChipChip ProcessingProcessing：芯片制程：芯片制程 6 6、PhotolithographyPhotolithography：光刻，将图形从：光刻，将图形从光罩光罩（掩膜版）（掩膜版）上成象到光阻上的过程。上成象到光阻上的过程。7 7、PhotoresistPhotoresist：光刻胶光刻胶（光阻）（光阻） ，是一种感光的物质，经紫外光曝光后会变得，是一种感光的物质，经紫外光曝光后会变得 很硬而不溶解于腐蚀剂。其作用是将很硬而不溶解于腐蚀剂。其作用是将 PatternPattern 从从光光刻版刻版（掩膜版）（掩膜版）(Reticle)(Reticle)上
9、上 传递到传递到 WaferWafer 上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 （第（第 1313 条与此条合并）条与此条合并）8 8、EtchingEtching：蚀刻：蚀刻 9 9、WetWet EtchingEtching：湿：湿式式（法）（法）蚀刻，将芯片浸没于化学溶液中，将进行光刻制蚀刻，将芯片浸没于化学溶液中，将进行光刻制 程前所程前所沈沈沉沉积的薄膜，把没有被光阻覆盖及保护的部分，利积的薄膜，把没有被光阻覆盖及保护的部分，利用用化学溶液与芯化学溶液与芯 片表面产生氧化还原作用的化学反应的方式加以去除，以完成转移片表面产生氧化还原作用的化学反应的方
10、式加以去除，以完成转移光罩图案光罩图案 （掩膜版图形）（掩膜版图形）到薄膜上面的目的。到薄膜上面的目的。 1010、DryDry EtchingEtching：干：干式式（法）（法）蚀刻，干式蚀刻主要是利用低压放电，将气体电蚀刻，干式蚀刻主要是利用低压放电，将气体电 离成电浆，使气体透过电场解离，产生具有反应及方向性的离子。接着，将离成电浆，使气体透过电场解离，产生具有反应及方向性的离子。接着，将 晶圆晶圆（晶片）（晶片）置于带有负电的阴极，使带有正电的离子因物理作用而以垂直置于带有负电的阴极，使带有正电的离子因物理作用而以垂直 角度撞击角度撞击晶圆晶圆（晶片）（晶片）表面，就可得到垂直蚀刻。
11、表面，就可得到垂直蚀刻。 1111、EvaporationEvaporation：蒸镀，利用电子枪所射出的电子束轰击待镀材料，将高能电：蒸镀，利用电子枪所射出的电子束轰击待镀材料，将高能电 子射束的动能转化为熔化待镀材料的热能，使其局部熔化。子射束的动能转化为熔化待镀材料的热能，使其局部熔化。1212、Lift-offLift-off：剥离，用：剥离，用 blueblue tapetape（蓝膜）（蓝膜）把金属弄走。把金属弄走。 1414、MaskMask：光光刻版刻版（掩膜版）（掩膜版） ，是一石英玻璃，上面會鍍上一層影像。，是一石英玻璃，上面會鍍上一層影像。(e.g.(e.g. TCL,T
12、CL, p-pad,p-pad, n-pad)n-pad) 其原理和拍照用的菲林一樣。其原理和拍照用的菲林一樣。 1515、PhotoresistPhotoresist CoatingCoating：上光刻胶上光刻胶（光阻涂敷）（光阻涂敷） 1616、SoftSoft BakeBake：软烤，其主要目的是通过：软烤，其主要目的是通过 SoftSoft BakeBake 将光阻中的溶剂蒸发，并将光阻中的溶剂蒸发，并 控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。 1717、HardHard BakeBake：硬烤，是通
13、过烘烤使显影完成后残留在：硬烤，是通过烘烤使显影完成后残留在 WaferWafer 上的显影液蒸发，上的显影液蒸发， 并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。 1818、ExposureExposure：曝光，是将涂布在：曝光，是将涂布在 WaferWafer 表面的光阻感光的过程，同时将表面的光阻感光的过程，同时将光罩光罩 （掩膜版）（掩膜版）上的图形传递到上的图形传递到 WaferWafer 上的过程。上的过程。 1919、PEBPEB（PostPost ExposureExposure BakeBake）：是在曝光结束后对光阻进行控制精密的）：是在
14、曝光结束后对光阻进行控制精密的 BakeBake 的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝 光的图形均匀化。光的图形均匀化。 2020、DevelopmentDevelopment：显影，类似于洗照片，是将曝光完成的：显影，类似于洗照片，是将曝光完成的 WaferWafer 进行成象的过进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。 2121、NozzleNozzle：喷嘴：喷嘴 2222、BARCBARC（BottomBottom AntiAnti R
15、eflectiveReflective CoatingCoating）：是被涂布在光阻下面的一层）：是被涂布在光阻下面的一层 减少光的反射的物质。减少光的反射的物质。 2323、TARCTARC（TopTop AntiAnti ReflectiveReflective CoatingCoating）：是被涂布在光阻上表面的一层减）：是被涂布在光阻上表面的一层减 少光的反射的物质。少光的反射的物质。 2424、IlineIline：曝光过程中用到的光，由：曝光过程中用到的光，由 MercuryMercury Lamp(Lamp(汞灯汞灯) )产生，其波长为产生，其波长为 365nm365nm，其
16、波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要 的层次。的层次。 2525、DUVDUV：曝光过程中用到的：曝光过程中用到的深紫外深紫外光，其波长为光，其波长为 248nm248nm，其波长较短，因此曝，其波长较短，因此曝 光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。 2626、ExposureExposure FieldField：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域 。 2727、StepperStepper：一种曝光机，其曝光动作为：一种曝光机，其曝光动作为 StepStep byby stepstep 形式形式, ,一次曝整個一次曝整個
