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1、现今化学机械研磨（CMP）制程已经广泛使用于半导体业晶圆的制造程序，对于晶圆表面 全面性平坦化是有效的制程。虽然 CMP 制程是现代半导体业晶圆制造重要的技术，但是 CMP 制程在无尘室中是一个高污染的制程，因为过程中使用了研磨液（Slurry） 。一般而 言，此研磨液主要包含有 510的 30100 奈米（nm）的微细研磨粉体（亦称为砥 粒）及其它化学物质。 这些化学物质包含： （1）pH 缓冲剂（例如：KOH、NH4OH、HNO3 或有机酸等） ； （2）氧化剂（例如：双氧水、硝酸铁、碘酸钾等） ； （3）界面活性剂。一般而言，界面活性剂的使用可以帮助粉体在水溶液中之悬浮稳定性， 抑制其胶
2、凝或结块，使晶圆表面的刮伤降至最低、获得更好的再现性（Repeatability）及 使 CMP 后续的洗净能力提高。 因此，CMP 废水包含来自于研磨液、晶圆本身以及 CMP 后续清洗程序所产生的各种 无机及有机污染物质，大部份的无机物质系以氧化物存在，主要的非溶解性无机物来自研 磨液的砥粒，包含 SiO2、Al2O3 及 CeO2，还有一些在研磨时从晶圆本身掉下来的无机 物质（例如：金属、金属氧化物及低介电材料等） 。溶解性的无机物质包含溶解性硅酸盐与 氧化剂。CMP 废水中的有机物包含界面活性剂、金属错合剂以及其它物质。为了移除在 晶圆表面的上述物质，需要使用大量超纯水于 CMP 后续清洗程序。 据统计，以一个拥有 20 个 CMP 制程机具的公司而言，每天将产生 700 m3 的 CMP 废水。根据文献的报导，在 1999 年及 2000 年估计分别有 4.088 x 108 m3 及 超过 5.223 x 108 m3 的超纯水用于 CMP 制程，此用水占了整个半导体用水的 40%左 右。如此庞大的 CMP 制程用水必定产生大量的 CMP 废水，此废水量大且碱度、总固体 物及浊度高，因此必须妥善加以处理。
