《电力电子技术》课后答案完整版

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1、 第 页0王兆安王兆安电力电子技术电力电子技术 （第（第 4 版）课后习题解版）课后习题解第 1 章 电力电子器件1.1 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极注入正向触发电流。 1.2 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流（即维持电流） ，即 。HAII 要使晶闸管由导通变为关断，可通过外加反向阳极电压或减小负载电流的办法，使流过晶闸管的电流降 到维持电流值以下，即。HAII1.3 图 1-43 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流

2、最大值均为。 试计算各波形的mI电流平均值，与电流有效值，。1dI2dI3dI1I2I3I解：a） mm mdIItdtII2717. 0) 122(2)()(sin2141mm mIItdtII4767. 021 43 2)()sin(2142 1b） mm mdIItdtII5434. 0) 122()()(sin142mm mIItdtII6471. 021 43 22)()sin(142 2c） 2 0341)(21 mmdItdIImmItdII21)(212 02 31.4 上题中如果不考虑安全裕量，问 100A 的晶阐管能送出的平均电流、各为多少？这时，相1dI2dI3dI应的电

3、流最大值、各为多少？1mI2mI3mI解：额定电流的晶闸管，允许的电流有效值，由上题计算结果知：AIAVT100)(AI157a） AIIm35.3294767. 01AIImd48.892717. 011b） AIIm90.2326741. 02AIImd56.1265434. 022c） AIIm31423AIImd5 .7841331.5 GTO 和普通晶闸管同为 PNPN 结构，为什么 GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能？ 答：GTO 和普通晶阐管同为 PNPN 结构，由和构成两个晶体管、，分别具有共基极211PNP221NPN1V2V电流增益和，由普通晶阐管的分析可得，是器件临界导

4、通的条件。两个等效12121121晶体管过饱和而导通；不能维持饱和导通而关断。121图 1-43 晶闸管导电波形第 页1GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为 GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几 点不同：1）多元并联集成结构使每个 GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，区的横向2P 电阻很小，显著减小了横向压降效应，从而使从门极抽出较大的电流成为可能； 2） GTO 导通时的更接近于 1，普通晶闸管，而 GTO 则为，GTO215 . 12105. 121的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；而且 GTO 在设计时较大，这2样晶

5、体管控制灵敏，易于 GTO 关断；2V3） GTO 的结的反向击穿设计得较高，使得允许在门极和阴极间施加较高的反向驱动电压，不仅可以3J进一步削弱横向压降效应，而且可以加速 GTO 体内非平衡载流子经门极回路泄放的过程。 1.6 如何防止电力 MOSFET 因静电感应引起的损坏？ 答：电力 MOSFET 的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET 的输入电容是低泄漏电容，当栅极 开路时极易受静电干扰而充上超过20V 的击穿电压，所以为防止 MOSFET 因静电感应而引起的损坏，应 注意以下几点： 一般在不用时将其三个电极短接； 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时 所有仪器外壳必

6、须接地； 电路中，栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高； 漏、源极间也要采 取缓冲电路等措施吸收过电压。 1.7 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的驱动电路各有什么特点？ 答：IGBT 驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT 是电压驱动型器件，IGBT 的驱动多采 用专用的混合集成驱动器。GTR 驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通 过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加 速关断速度。GTO 驱动电路的特点是：GTO 要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应

7、有足够的幅值和陡度，且一般需 要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开 通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。电力 MOSFET 驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。 1.8 全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析 RCD 缓冲电路中各元件的作用。答：全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压，或过电流和，减小器件的开关损dtdvdtdi耗。RCD 缓冲电路中，各元件的作用是： 开通时，经放电，起到限制放电电流的作用；关断时，SCSRSR负载电流经从分流，使减小，抑制过电压。SVDSC

8、dtdv1.9 试说明 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。 解：对 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表： 器 件优 点缺 点IGBT开关速度快，开关损耗小，具有耐脉 冲电流冲击的能力，通态压降较低， 输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率 小。开关速度低于电力 MOSFET，电压、 电流容量不及 GTO ；存在擎住效应 问题。GTR耐压高，电流大，开关特性好，通流 能力强，饱和压降低。开关速度低，为电流驱动，所需驱 动功率大，驱动电路复杂；存在二 次击穿问题。GTO电压、电流容量大，适用于大功率场 合，具有电导调制效应，其通流能力 很强。

9、电流关断增益很小，关断时门极负 脉冲电流大，开关速度低，驱动功 率大，驱动电路复杂，开关频率低。电力 MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性 好，所需驱动功率小且驱动电路简单， 工作频率高，不存在二次击穿问题。通态电阻大，通态损耗大，电流容 量小，耐压低，一般只适用于功率 不超过 10kW 的电力电子装置。1.10 什么是晶闸管的额定电流？ 答：晶闸管的额定电流就是它的通态平均电流，国标规定：晶闸管在环境温度为 40和规定的冷却状态下， 稳定结温不超过额定结温所允许的最大工频正弦半波电流的平均值。1.11 为什么要限制晶闸管断电电压上升律？dtdv答：晶闸管在承受正向阳极电压阻断状态下，

10、第 页2结反偏，其结电容在晶闸管端电压上升率过大时，就会流过较大的充电电流（称位移电流） ，此位2Jdtdv移电流流过，起到相当于触发电流的作用，易使晶闸管误触发导通，所以要限制。3Jdtdv1.12 为什么要限制晶闸管通态电流上升率？dtdi答：在晶闸管开始导通时刻，若电流上升速度过快，会有较大的电流集中在门极附近的阴极小区域内，虽然平均电流没有超过额定值，但在小的区域内局部过热而损坏晶闸管，所以要限制通态。dtdi1.13 电力电子器件工作时产生过电压的原因及防止措施有哪些？ 答：产生原因产生原因：分闸、合闸时产生的操作过电压；雷击引起的雷击过电压；晶闸管换相过程中产生的换相过 电压。防止

11、措施防止措施：压敏电阻；交流侧 RC 过电压抑制电路；直流侧 RC 过电压控制电路；变压器加屏蔽层； 避雷器；器件关断缓冲电路等。第 2 章 整流电路2.1 单相半波可控整流电路对电感负载供电，求当时和时的负载电mHL20VU1002 060流，并画出与波形。dIdudi解： 时，在电源电压的正半周期晶闸管导通时，负载电感储能，在晶闸管开始导通时刻，负载 02uL电流为零。在电源电压的负半周期，负载电感释放能量，晶闸管继续导通。因此，在电源电压的一2uL2u 个周期里，以下方程均成立：tUdtdiLdsin22考虑到初始条件：当时可解方程得：0t0di)cos1 (22tLUid202)()c

12、os1 (2 21tdtLUId)(51.2222ALU 与的波形如下图：dudi当时，在的正半周期期间，晶闸管导通使电惑储能，电感储藏的能量在 602u60180LL负半周期期间释放，因此在的一个周期中期间，以下微分方程成立：2u1803002u60300tUdtdiLdsin22考虑到初始条件：当时可解方程得： 60t0di第 页3)cos21(22tLUid其平均值为3532)()cos21(2 21tdtLUId)(25.11222ALU此时与的波形如下图：dudi2. 2 图 2-9 为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁化问题吗？试说明： 晶闸管承受的最大

13、反向电压为； 当负载是电阻或电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥222U 时相同。 答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有直流磁化的问题。因为单相全波可控整流电路变压器二次侧绕组中，正负半周内上下绕组内电流的方向相反，波形对称， 其一个周期内的平均电流为零，故不会有直流磁化的问题。 以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。 以晶闸管为例。当导通时，晶闸管通过与 2 个变压器二次绕组并联，所以承受2VT1VT2VT1VT2VT的最大电压为。222U 当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角相同时，对于电阻负载；期间无晶)0(闸管导通，输出电压为

14、 0；期间，单相全波电路中导通，单相全控桥电路中、导通，输)(1VT1VT4VT出电压均与电源电压相等；期间均无晶闸管导通，输出电压为 0；期间，单2U)()2(相全波电路中导通，单相全控桥电路中、导通，输出电压等于。2VT2VT3VT2U对于电感负载；期问，单相全波电路中导逼，单相全控桥电路中、导通，输出)(1VT1VT4VT电压均与电源电压相等；期间，单相全波电路中导通，单相全控桥电路中、2U)2(2VT2VT导通，输出波形等于。3VT2U可见，两者的输出电压相同，加到同样的负载上时，则输出电流也相同。2.3 单相桥式全控整流电路，负载中，值极大，当时， 要求： 作出VU1002 20RL

15、30、和的波形；dudi2i 求整流输出平均电压、电流，变压器二次电流有效值；dUdI2I 考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。 解： 、和的波形如下图：dudi2i 输出平均电压、电流，变压器二次电流有效值分别为dUdI2I)(97.7730cos1009 . 0cos9 . 02VUUd)(99.38297.77ARUIdd)(99.382AIId第 页4 晶闸管承受的最大反向电压为：)(4 .141100222VU考虑安全裕量，晶闸管的额定电压为：)(4242834 .141)32(VUN具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。流过晶闸管的电流有效值为：)(57.272AIIdVT晶闸管的额定电流为：)(352657. 157.27)25 . 1 (AIN具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。2.4 单相