《HFO2高K栅结构中界面反应导致的PBTI和NBTI》由会员分享，可在线阅读，更多相关《HFO2高K栅结构中界面反应导致的PBTI和NBTI（2页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、低原生缺陷密度的 HfN/HfO2 高 K 栅结构中界面反应导致的 PBTI 和 NBTI全部作者：萨宁 杨红 康晋锋第 1 作者单位：北京大学微电子所论文摘要：本文利用高温工艺制备了 HfN/HfO2 高 K 栅介质的 n-FETs 和 p-FETs，内含原生缺陷密度较低，分别研究了正偏压-温度不稳定特性和负偏压- 温度不稳定特性（PBTI 和 NBTI） 。结果显示，Vt 的不稳定性主要依赖于应力极性，而与衬底类型无关；在正和负偏压-温度应力（NBT ）下均观察到的负阈值电压（Vt）漂移，可以用反应- 扩散（R-D）模型表征。衬底注入电子或者空穴诱导的界面反应引起 PBTI 和 NBTI
2、特性：PBT应力下，衬底注入电子诱导了 HfO2 层/Si 衬底界面的 Si-O 键断裂，导致了 PBTI 特性；NBT 应力下，衬底注入空穴诱导了 Si 衬底界面的 Si-H 键断裂，导致了 NBTI 特性。关键词：高 K 栅介质， HfO2，负偏压- 温度不稳定性（NBTI） ，正偏压- 温度不稳定性（PBTI） ，反应-扩散(R-D)模型 (浏览全文)发表日期：2007 年 12 月 24 日同行评议：论文给出 HfN/HfO2 MOSFETs PBTI、NBTI 表征，并提出改进模型能较好地解释实验现象，具有创新意义。英文摘要不够简练。建议给出器件尺寸。英文写作总体较流畅，但也存在多处时态不 1 致的问题：1 般叙述实验步骤和方法时用过去时；描述观察现象和结论时用现在时。单复数误用，如第 6 页倒数第 6 行 was 似应为 were 数学式表达应规范，如 high-k, high-K 需统 1，Ig，Id 等 1 般用斜体，公式出现 1般应编号，Vt 需用下标。第 3 页倒数第 2 行 Vt 定义似应为 1E-7A/um,而非 1E-7A/cm。参考文献16需给出文章将发表的年限 综合评价：修改稿：注：同行评议是由特聘的同行专家给出的评审意见，综合评价是综合专家对论文各要素的评议得出的数值，以 1 至 5 颗星显示。
