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1、PE 电子线 WWW.DGMSDZ.COM低频电子线复习题一低频电子线复习题一1.11.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图 1.11.1 所示，该晶体管的类型是所示，该晶体管的类型是A.A.NPNNPN 型硅管型硅管B.B.PNPPNP 型硅管型硅管C.C.NPNNPN 型锗管图型锗管图 1.12V6V1.12V6VD.D.PNPPNP 型锗管型锗管 1.3V1.3V1.21.2 某三极管各个电极的对地电位如图某三极管各个电极的对地电位如图 1-21-2 所示，可判断其工作状态所示，可判断其工作状态 是是A.A.饱和饱和B.
2、B.放大放大C.C.截止图截止图 1.21.2D.D.已损坏已损坏1.31.3 在如图在如图 1.31.3 所示电路中，当电源所示电路中，当电源 V=5VV=5V 时，测得时，测得 I=1mAI=1mA。若把。若把 电源电压调整到电源电压调整到 V=10VV=10V，则电流的大小将是，则电流的大小将是A.I=2mAB.I2mAD.C.I2mAD.不能确定不能确定图图 1.31.3PE 电子线 WWW.DGMSDZ.COM1.41.4 在如图在如图 1-71-7 所示电路中电源所示电路中电源 V=5VV=5V 不变。当温度为不变。当温度为 2020O OC C 时测得二时测得二 极管的电压极管的
3、电压 U UD D=0.7V=0.7V。当温度上生到为。当温度上生到为 4040O OC C 时时, ,则则 U UD D的大小将是的大小将是A.A.仍等于仍等于 0.7VB.0.7VB.大于大于 0.7V0.7VC.C.小于小于 0.7VD.0.7VD.不能确定不能确定图图 1.41.41.51.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于A.A.温度温度 B.B.掺杂工艺掺杂工艺 C.C.杂质浓度杂质浓度 D.D.晶体缺陷晶体缺陷1.61.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是A.IA.ICBOCBOB.
4、IB.ICESCESC.IC.ICERCERD.ID.ICEOCEO1.71.7 二极管的主要特性是二极管的主要特性是A.A.放大特性放大特性 B.B.恒温特性恒温特性C.C.单向导电特性单向导电特性 D.D.恒流特性恒流特性1.81.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流温度升高时，晶体管的反向饱和电流 I ICBOCBO将将A.A.增大增大 B.B.减少减少 C.C.不变不变 D.D.不能确定不能确定1.91.9 下列选项中，不属三极管的参数是下列选项中，不属三极管的参数是A.A.电流放大系数电流放大系数 B.B.最大整流电流最大整流电流 I IF FC.C.集电极最大允许电流集电极最大允许
5、电流 I ICMCMD.D.集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率 P PCMCMPE 电子线 WWW.DGMSDZ.COM1.101.10 温度升高时，三极管的温度升高时，三极管的 值将值将A.A.增大增大 B.B.减少减少 C.C.不变不变 D.D.不能确定不能确定1.111.11 在在 N N 型半导体中，多数载流子是型半导体中，多数载流子是A.A.电子电子 B.B.空穴空穴 C.C.离子离子 D.D.杂质杂质1.121.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好下面哪一种情况二极管的单向导电性好A.A.正向电阻小反向电阻大正向电阻小反向电阻大 B.B.正向电阻大反向电阻小正向电阻大
6、反向电阻小C.C.正向电阻反向电阻都小正向电阻反向电阻都小 D.D.正向电阻反向电阻都大正向电阻反向电阻都大1.131.13 在如图在如图 1.131.13 所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不 计，反向饱和电流为计，反向饱和电流为 0.1mA,0.1mA,反向击穿电压为反向击穿电压为 25V25V 且击穿后基本不随电且击穿后基本不随电 流而变化，这时电路中的电流流而变化，这时电路中的电流 I I 等于等于A.0.1mAB.2.5mAA.0.1mAB.2.5mAC.5mAD.15mAC.5mAD.15mA图图 1.131.131.141.14 在在
7、P P 型半导体中，多数载流子是型半导体中，多数载流子是A.A.电子电子 B.B.空穴空穴 C.C.离子离子 D.D.杂质杂质1.151.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是下列对场效应管的描述中，不正确的是A A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B B 场效应管的两种主要类型是场效应管的两种主要类型是 MOSFETMOSFET 和和 JFETJFET；PE 电子线 WWW.DGMSDZ.COMC C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；场效应管工作时多子、少子均参与导电；D D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。场
8、效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。1.161.16 在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的A.A.可变电阻区可变电阻区 B.B.截止区截止区 C.C.饱和区饱和区 D.D.击穿区击穿区1.171.17 表征场效应管放大作用的重要参数是表征场效应管放大作用的重要参数是A.A.电流放大系数电流放大系数 B.B.跨导跨导 g gm m=I=ID D/U/UGSGSC.C.开启电压开启电压 U UT TD.D.直流输入电阻直流输入电阻 R RGSGS1.181.18 下列选项中，不属场效应管直流参数的是下列选项中，不属场效应管直流参数的是A
9、.A.饱和漏极电流饱和漏极电流 I IDSSDSSB.B.低频跨导低频跨导 g gm mC.C.开启电压开启电压 U UT TD.D.夹断电压夹断电压 U UP P1.191.19 双极型晶体三极管工作时参与导电的是双极型晶体三极管工作时参与导电的是A A 多子多子 B B 少子少子 C C 多子和少子多子和少子 D D 多子或少子多子或少子1.201.20 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是A A 发射结正偏，集电结正偏发射结正偏，集电结正偏 B B 发射结正偏，集电结反偏发射结正偏，集电结反偏C C 发射结反偏，集电结反偏发射结反偏，集
10、电结反偏 D D 发射结反偏，集电结正偏发射结反偏，集电结正偏1.211.21 选择括号中的答案填空（只填答案选择括号中的答案填空（只填答案 a a、b b、c c、） 。1 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子PE 电子线 WWW.DGMSDZ.COM的浓度则与有很大关系，的浓度则与有很大关系， （a.a.温度，温度，b.b.掺杂工艺，掺杂工艺，c.c.杂质浓度，杂质浓度，d.d.晶体缺晶体缺 陷）陷）2 2、当、当 PNPN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。当结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗
11、尽层。当 PNPN 结结 外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。(a.(a.大于，大于，b.b.小于，小于，c.c.等等 于，于，d.d.变宽，变宽，e.e.变宽变宽 f.f.不变不变) )3 3、温度升高时，晶体管的电流放大系数、温度升高时，晶体管的电流放大系数 ，反向饱和电流，反向饱和电流 I ICBOCBO，正，正 向结电压向结电压 U UBEBE。(a.(a.变大，变大，d.d.变小，变小，c.c.不变不变) )4 4、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将， 而且输
12、出特性曲线之间的间隔将。而且输出特性曲线之间的间隔将。(a.(a.上移，上移，b.b.下移，下移，c.c.左移，左移，d.d.右移，右移， e.e.增大，增大，f.f.减小，减小，g.g.不变不变) )1.221.22 用大于号用大于号()()、小于号、小于号(2mAa.I=2mAb.I2mA1.251.25 填空：填空：1 1、半导体中载流子的基本运动形式有：和。、半导体中载流子的基本运动形式有：和。2 2、二极管的最主要特性是，它的两个主要参数是反映正向特性的、二极管的最主要特性是，它的两个主要参数是反映正向特性的和反映反向的特性的。和反映反向的特性的。3 3、在常温下，硅二极管的开启电压
13、约、在常温下，硅二极管的开启电压约 V V，导通后在较大电流下的正，导通后在较大电流下的正 向压降约向压降约 V V；锗二极管的开启电压约；锗二极管的开启电压约 V V，导通后在较大电流下的正向压降，导通后在较大电流下的正向压降 约约V V。4 4、场效应管从结构上分成和两大类型。它们的导电过程仅仅取决于、场效应管从结构上分成和两大类型。它们的导电过程仅仅取决于 载流子。载流子。5 5、场效应管属于控制型器件。、场效应管属于控制型器件。6 6、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和PE 电子线 WWW.DGMSDZ.C
14、OM两种载流子参于导电。两种载流子参于导电。7 7、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和 两种载流子参与导电。场效应管从结构上分成和两种载流子参与导电。场效应管从结构上分成和两大类型，它们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。两大类型，它们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。8 8、场效应管属于控制型器件，而晶体管若用简化的、场效应管属于控制型器件，而晶体管若用简化的 h h 参数等效电路参数等效电路 来分析则可以认为是控制型器件。来分析则可以认为是控制型器件。9 9、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏
15、置。、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置。2.12.1 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是 A.A.共射放大电路共射放大电路 B.B.共基放大电路共基放大电路C.C.共集放大电路共集放大电路 D.D.不能确定不能确定2.22.2 在基本共射放大电路中，负载电阻在基本共射放大电路中，负载电阻 R RL L减小时，输出电阻减小时，输出电阻 R RO O 将将A.A.增大增大 B.B.减少减少 C.C.不变不变 D.D.不能确定不能确定2.32.3 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是在三种基本放大
16、电路中，输入电阻最小的放大电路是A.A.共射放大电路共射放大电路 B.B.共基放大电路共基放大电路C.C.共集放大电路共集放大电路 D.D.不能确定不能确定2.42.4 在电路中我们可以利用在电路中我们可以利用实现高内阻信号源与低阻负载之间实现高内阻信号源与低阻负载之间PE 电子线 WWW.DGMSDZ.COM较好的配合。较好的配合。A A 共射电路共射电路 B B 共基电路共基电路 C C 共集电路共集电路 D D 共射共射- -共基电路共基电路2.52.5 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是A.A.共射放大电路共射放大电路 B.B.共基放大电路共基放大电路C.C.共集放大电路共集放大电路 D.D.不能确定不能确定2.62.6 在由在由 NPNNPN 晶体管组成的基本共射放大电路中，当
